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公开(公告)号：CN112563884B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011424684.X
申请日：2020-12-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，其中，该垂直腔面发射激光器，按照预设方向，依次包括：衬底、缓冲层、N电极接触层、第一分布布拉格反射镜、第一包层、第一异质结限制层、有源区、第二异质结限制层、第二包层、氧化限制层、第二分布布拉格反射镜、P电极以及N电极，其中，有源区包括多个宽度不同的非均匀压缩应变量子阱；N电极接触层的掺杂浓度高于衬底和第一分布布拉格反射镜的掺杂浓度；N电极设置于N电极接触层上，形成N电极接触层的外延结构。通过该垂直腔面发射激光器的设计，可以实现器件的宽温域工作，且具有制备工艺简单、重复性好、成本低。
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公开(公告)号：CN111216034A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010119889.0
申请日：2020-02-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/14 , B24B37/27 , H01L21/306
摘要： 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂层对GaSb晶圆的表面进行研磨，由于碳化钨与GaSb晶圆之间，不只是物理研磨，还包括化学反应，且碳化钨涂层的颗粒粒径在纳米级别，因此，对GaSb晶圆进行处理的减薄过程与抛光过程合二为一，从而能够减少减薄后抛光的过程，无需对厚度和误差进行再次进行修整和去除，从而减少了工艺过程，通过一体化减薄和抛光过程，即可达到传统意义上的镜面抛光要求。
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公开(公告)号：CN103390552A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210141445.2
申请日：2012-05-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 本发明实施例提供一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，所述混合气体源通过炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述炉外进气管之间设置有阀门，所述阀门与所述炉外进气管之间设置有流量计；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，其中，所述氮气与氢气的比例在90%：10%~95%：5%之间。采用用于向退火系统提供氮气与氢气的混合气体源，在退火过程中，向退火炉中通入一定比例的氮气与氢气的混合气体，避免了由于退火系统发生故障导致退火炉中氢气含量过高的危险，能够极大地提高退火系统的安全性。
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公开(公告)号：CN1754860A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200410080409.5
申请日：2004-09-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/58
摘要： 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要步骤是清洗、真空退火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀积、接触孔形成和金属化。本发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成TiN/Ni/Si结构，同时改进清洗方法，优化薄膜厚度和硅化反应的条件，获得了很好的结果。不但薄膜的薄层电阻明显减小，而且热稳定性有了明显的提高，即由低阻NiSi相向高阻NiSi2相转变的温度提高了，浅结漏电流得到改善。与常规Ti和Co硅化物工艺比较，该方法工艺步骤少，成本低，器件性能改善显著，因而极具吸引力。特别在亚50纳米技术中是常规Ti和Co硅化物工艺所不可替代的工艺。
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公开(公告)号：CN111540668A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010046706.7
申请日：2020-01-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
摘要： 本发明提供了一种基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法，通过采用不同材料的浆液和磨盘对石英玻璃进行多次减薄处理，制备出预设厚度＜70μm和预设厚度均匀性TTV为±0.5μm的晶圆片结构，其厚度均匀性达到了纳米级别，避免了石英玻璃本身机械性能脆弱易导致晶圆片结构碎裂的风险，可以保证晶圆片结构正面电路的完整性。并且，对多次减薄处理后的石英玻璃进行抛光处理，以使表面粗糙度小于预设阈值，例如表面粗糙度Ra小于1nm，使得散热金属层电镀的致密性大大增加，散热金属层的附着力大大加强，有效改善了晶圆片结构工作时的散热能力。
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公开(公告)号：CN111508838A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010046694.8
申请日：2020-01-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种基于硅衬底外延GaN的工艺改进方法，通过采用不同材料的浆液和磨盘对硅衬底进行多次减薄处理，制备出预设厚度和预设厚度均匀性的晶圆片结构，其厚度均匀性达到了纳米级别，大大降低了晶圆片结构内部的应力累积，使硅衬底和GaN外延结构由于晶格失配缺陷导致的晶圆片结构碎裂风险大大降低，提高了晶圆片结构的生产良率。并且，对多次减薄处理后的硅衬底进行抛光处理，以使表面粗糙度小于预设阈值，例如表面粗糙度Ra小于3nm，使得散热金属层电镀的致密性大大增加，散热金属层的附着力大大加强，有效改善了晶圆片结构工作时的散热能力。
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公开(公告)号：CN103390552B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201210141445.2
申请日：2012-05-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 本发明实施例提供一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，所述混合气体源通过炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述炉外进气管之间设置有阀门，所述阀门与所述炉外进气管之间设置有流量计；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，其中，所述氮气与氢气的比例在90%：10%~95%：5%之间。采用用于向退火系统提供氮气与氢气的混合气体源，在退火过程中，向退火炉中通入一定比例的氮气与氢气的混合气体，避免了由于退火系统发生故障导致退火炉中氢气含量过高的危险，能够极大地提高退火系统的安全性。
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公开(公告)号：CN112563884A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011424684.X
申请日：2020-12-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，其中，该垂直腔面发射激光器，按照预设方向，依次包括：衬底、缓冲层、N电极接触层、第一分布布拉格反射镜、第一包层、第一异质结限制层、有源区、第二异质结限制层、第二包层、氧化限制层、第二分布布拉格反射镜、P电极以及N电极，其中，有源区包括多个宽度不同的非均匀压缩应变量子阱；N电极接触层的掺杂浓度高于衬底和第一分布布拉格反射镜的掺杂浓度；N电极设置于N电极接触层上，形成N电极接触层的外延结构。通过该垂直腔面发射激光器的设计，可以实现器件的宽温域工作，且具有制备工艺简单、重复性好、成本低。
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公开(公告)号：CN111180314A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010046320.6
申请日：2020-01-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/34 , H01L23/373
摘要： 本发明提供了一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法，通过设置缓冲层堆叠结构，修正了氧化镓衬底在减薄抛光工艺过程中发生的尺寸形变，该缓冲层堆叠结构可以使得氧化镓衬底减薄抛光过程中累计的应力得到有效释放，避免了氧化镓衬底由于单斜晶形造成的机械损伤，进而可大幅度提高生产良率。并且，通过有效的减薄工艺，其厚度均匀性得到了大大的改善，结合抛光工艺优化了氧化镓衬底的表面粗糙度，使得金属掩膜的粘附性和形貌大大改善，提高了刻蚀的效果，进而使得散热金属层的可靠性得到显著提高。
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公开(公告)号：CN104167358B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201310184801.3
申请日：2013-05-17
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供SOI衬底，包括基底、埋氧层和顶层；在顶层中刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成衬垫层和填充层；刻蚀填充层、衬垫层以及顶层，形成暴露埋氧层的开口，开口内的顶层构成有源区，栅极沟槽底部的顶层构成沟道区；在开口中填充绝缘材料形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，在SOI顶层中刻蚀形成栅极沟槽并限定了下方的沟道区，填充栅极沟槽之后限定有源区和浅沟槽隔离，由此形成了超薄SOI半导体器件，实现了器件的小型化，提高了器件性能。
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