公开(公告)号：CN109661720A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780054775.9

申请日：2017-08-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种评价存在于硅晶片内的结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法，在所述硅晶片上形成与评价的结晶缺陷的尺寸相同的厚度的氧化膜并测定所述硅晶片的GOI特性，在所述GOI特性下降的区域视为存在与所述氧化膜的厚度同等的尺寸的结晶缺陷，并根据所述GOI特性的测定结果来求出所述硅晶片内的评价的结晶缺陷尺寸的结晶缺陷分布。由此，提供一种即使是10nm以下的结晶缺陷尺寸，也能够求出结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法。

公开(公告)号：CN109661720B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201780054775.9

申请日：2017-08-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种评价存在于硅晶片内的结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法，在所述硅晶片上形成与评价的结晶缺陷的尺寸相同的厚度的氧化膜并测定所述硅晶片的GOI特性，在所述GOI特性下降的区域视为存在与所述氧化膜的厚度同等的尺寸的结晶缺陷，并根据所述GOI特性的测定结果来求出所述硅晶片内的评价的结晶缺陷尺寸的结晶缺陷分布。由此，提供一种即使是10nm以下的结晶缺陷尺寸，也能够求出结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法。

公开(公告)号：CN110121576B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201880005708.2

申请日：2018-02-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其判定单晶硅晶片的缺陷区域，其特征在于，不对所述单晶硅晶片进行热处理，利用LST按照大小测量所述单晶硅晶片表面的Void缺陷分布，并根据通过该测量获得的Void缺陷密度分布来判定缺陷区域。由此，提供一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其不依赖初始氧浓度，能够用容易的方法进行晶片的缺陷区域的判定。

公开(公告)号：CN107615468B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201680027570.7

申请日：2016-03-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/30

Abstract: 本发明提供一种雾度的评价方法，其是通过使用了散射光的粒子计数器装置对基板表面的雾度进行评价的方法，其特征在于，在根据已入射至所述基板表面的光的散射光强度来求出所述基板表面的雾度值时，使用标准样品进行雾度值的校准，作为所述标准样品，使用涂布标准粒子而成的样品。由此，使用雾度用的标准样品进行粒子计数器装置的雾度值的校准，能够提高雾度的测定精度。

公开(公告)号：CN106255923B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201580020539.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: G03F7/20 ,  G01B21/20

CPC classification number: G01B21/20 ,  G01B21/30 ,  G01B2210/56 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70783 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明为一种晶圆的弯曲的评价方法，包含：第一步骤，测量未吸附的自由状态的晶圆的弯曲，以及第二步骤，使用经测量的晶圆的弯曲的数据，求出与点P相隔距离a的点Q1与点Q2的两点之间的晶圆弯曲量A，以及求出与点P相隔不同于距离a的距离b的点R1与点R2的两点之间的晶圆弯曲量B，根据晶圆弯曲量A与晶圆弯曲量B计算出于点P中晶圆弯曲量的差，并根据所计算出的晶圆弯曲量的差而评价晶圆的弯曲。如此一来，导入显示于吸附晶圆时因插针夹头的节距差异所产生的弯曲的修正程度的差的新参数，并且使用此新参数评价晶圆的弯曲。

公开(公告)号：CN106255923A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580020539.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: G03F7/20 ,  G01B21/20

CPC classification number: G01B21/20 ,  G01B21/30 ,  G01B2210/56 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70783 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明为一种晶圆的弯曲的评价方法，包含：第一步骤，测量未吸附的自由状态的晶圆的弯曲，以及第二步骤，使用经测量的晶圆的弯曲的数据，求出与点P相隔距离a的点Q1与点Q2的两点之间的晶圆弯曲量A，以及求出与点P相隔不同于距离a的距离b的点R1与点R2的两点之间的晶圆弯曲量B，根据晶圆弯曲量A与晶圆弯曲量B计算出于点P中晶圆弯曲量的差，并根据所计算出的晶圆弯曲量的差而评价晶圆的弯曲。如此一来，导入显示于吸附晶圆时因插针夹头的节距差异所产生的弯曲的修正程度的差的新参数，并且使用此新参数评价晶圆的弯曲。

公开(公告)号：CN120051683A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202380075212.3

申请日：2023-09-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: G01N23/2055 ,  G01N23/205 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是一种晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法，是采用X射线形貌仪（XRT）来评价晶圆的深度方向的缺陷位置的方法，其特征在于，包括：取得XRT图像的工序，其中，所述晶圆具有表面和背面，对所述表面从右方向和左方向以成为衍射条件的入射角度来入射X射线，在所述背面取得右眼图像和左眼图像这两个XRT图像；定位工序，对于所述所取得的两个XRT图像，以所述表面或所述背面的任一个面上的缺陷位置来实行定位；以及缺陷位置判定工序，根据所述右眼图像与所述左眼图像的偏离来判定所述晶圆的深度方向不同的其他缺陷位置。由此，能以采用了X射线形貌仪（XRT）的简便的方法，来提供一种晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法。

公开(公告)号：CN110121576A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201880005708.2

申请日：2018-02-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其判定单晶硅晶片的缺陷区域，其特征在于，不对所述单晶硅晶片进行热处理，利用LST按照大小测量所述单晶硅晶片表面的Void缺陷分布，并根据通过该测量获得的Void缺陷密度分布来判定缺陷区域。由此，提供一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其不依赖初始氧浓度，能够用容易的方法进行晶片的缺陷区域的判定。

公开(公告)号：CN107615468A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680027570.7

申请日：2016-03-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/30

Abstract: 本发明提供一种雾度的评价方法，其是通过使用了散射光的粒子计数器装置对基板表面的雾度进行评价的方法，其特征在于，在根据已入射至所述基板表面的光的散射光强度来求出所述基板表面的雾度值时，使用标准样品进行雾度值的校准，作为所述标准样品，使用涂布标准粒子而成的样品。由此，使用雾度用的标准样品进行粒子计数器装置的雾度值的校准，能够提高雾度的测定精度。