公开(公告)号：CN106062930B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201480076614.6

申请日：2014-12-31

申请人： 诺威量测设备股份有限公司

发明人： 尹戈尔·蒂罗韦斯

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/263 ,  H01L21/67 ,  G01B21/08

CPC分类号： B24B37/20 ,  B24B37/015 ,  B24B37/04 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/67219 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

摘要： 提出了一种表面平坦化系统。所述系统包括：外部能源，用于在处理区域内生成局部能量分布；以及控制单元，用于操作所述外部能源，以由所述局部能量分布在所述处理区域内产生预定的温度模式，使得所述处理区域的不同位置经受不同的温度。假设与蚀刻材料成分相互作用的样品(例如，半导体晶片)位于所述处理区域内时，所述样品的表面的不同位置处的温度模式通过所述蚀刻材料成分产生不同的材料去除速率(不同的蚀刻速率)。

公开(公告)号：CN106574900B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580041304.5

申请日：2015-07-28

申请人： 爱思开矽得荣株式会社

发明人： 姜憄勋 ,  韩基润

IPC分类号： G01N21/95 ,  H01L21/66

CPC分类号： G06T7/0004 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H04N7/181

摘要： 本发明涉及一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置能够同时测量晶片的上表面、下表面和侧表面上的缺陷，而同时防止损坏晶片。本发明提供一种用于测量晶片缺陷的装置，该装置包括：下鼓风机，通过将空气喷射到晶片的下表面来缓冲晶片；上鼓风机，设置为能够相对于下鼓风机上下移动，并且通过将空气喷射到晶片的上表面来使晶片固定；上污染测量件，设置在上鼓风机的上侧，并且检测晶片的上表面上的污染；下污染测量件，设置在下鼓风机的下侧，并且检测晶片的下表面上的污染；以及侧污染测量件，设置在上鼓风机与下鼓风机之间，并且检测晶片的侧表面上的污染。

公开(公告)号：CN107004554B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201580044320.X

申请日：2015-06-25

申请人： FEI埃法有限公司

发明人： V·乌克兰采夫 ,  I·尼夫 ,  R·本蔡恩

IPC分类号： H01J37/20 ,  H01L21/66 ,  G01R1/06 ,  G01R31/307 ,  G01R31/28

CPC分类号： G01Q30/02 ,  G01R1/06744 ,  G01R31/26 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/2891 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2008 ,  H01J2237/208 ,  H01J2237/2817 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14

摘要： 一种用于在半导体晶圆上执行在线纳米探测的系统。晶圆支架或垂直晶圆定位器附接到晶圆台。SEM柱、光学显微器和多个纳米探针定位器都附接到顶板。纳米探针定位器具有被配置为物理接触晶圆上所选择的点的一个纳米探针。当探针物理接触晶圆时，力(或触摸)传感器测量由探针施加到晶圆的接触力(或力矩)。多个漂移传感器被提供用于在测量期间实时计算探针相对于晶圆的对准漂移。

公开(公告)号：CN109643671A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052181.4

申请日：2017-08-03

申请人： 应用材料公司

发明人： A·A·哈贾

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本公开的实现大体处理基板的方法，且更具体地，涉及用于预测、量化及修正处理偏移的方法。在一个实现中，所述方法包括在处理腔室内执行实验设计(DOE)，以针对与处理腔室相关联的每一个可调整处理控件在基板上多个位置处获得传感器读数和膜特性；使用从所述DOE所获得的传感器读数和膜特性，对基板上的各个位置建立回归模型；在生产期间追踪传感器读数的改变；使用所述回归模型，识别可导致膜特性的改变的传感器读数的偏移；以及调整一个或更多个处理控件，以修正传感器读数的偏移而使膜特性的改变最小化。

公开(公告)号：CN109637945A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811554063.6

申请日：2018-12-19

申请人： 上海华力集成电路制造有限公司

发明人： 冯奇艳 ,  吴智勇

IPC分类号： H01L21/66 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L22/12 ,  G06F17/5009 ,  H01L22/20

摘要： 本发明涉及一种半导体器件浅沟槽隔离刻蚀形貌的监控方法，涉及微电子技术领域，包括S1：运用光学线宽测量仪，对不同工艺刻蚀时间的半导体器件STI结构收集半导体器件的实际测量光谱；S2：建模定义TCR结构的理论模型结构；S3：切片确定TCR结构的实际数据；S4：根据步骤S1收集的实际测量光谱和步骤S2的理论模型结构，通过进一步分析计算，得到TCR结构的量测程式库文件；S5：利用量测程式库文件，收集需要监控的TCR结构的参数的理论数据，并建立理论数据和步骤S3收集的实际数据的对应关系，并确认两者的相关性系数R2；S6：利用相关性系数R2及步骤S4得到的量测程式库文件得到TCR结构的参数，实现对TCR结构形貌有效监控，达到浅沟槽TCR结构工艺稳定的目的。

公开(公告)号：CN109148639A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810904899.8

申请日：2018-08-09

申请人： 镇江镓芯光电科技有限公司

发明人： 陆海 ,  周东 ,  渠凯军

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L31/109 ,  H01L22/12 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1864

摘要： 本发明专利公布了一种日盲紫外探测器结构、制备方法及性能测试方法，结构包括Ni/Au电极、Al0.4Ga0.6N有源层、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层和图形化蓝宝石衬底。日盲紫外探测器制备方法，首先在衬底上生长获得器件低温AlN成核、Al0.4Ga0.6N有源层和高温AlN缓冲层的外延结构，同时在Al0.4Ga0.6N有源层上蒸镀Ni/Au电极，用来表征半透明电极的透过率和电阻率，Ti/Au电极作为接触电极，最后，整个器件快速热退火。性能测试方法包括：通过显微镜观察探测器表面是否存在裂纹，若无裂纹则说明探测器质量达到要求。本发明益处在于：与无退火的日盲紫外探测器相比，性能变得更加稳定；采用高温AlN缓冲层技术可以获得极低暗电流；采用图形化蓝宝石衬底具有更好的量子效率。

公开(公告)号：CN109148420A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810654540.X

申请日：2018-06-22

申请人： 意法半导体公司

发明人： F·R·戈麦斯 ,  T·曼高昂 ,  J·塔利多

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L22/12 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/60 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2223/544 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49503 ,  H01L2224/48249 ,  H01L2224/852

摘要： 本公开涉及在半导体芯片制造过程期间防止ESD。根据如本文所解释的本公开的原理，选定的引线通过金属带被电连接到引线框架，直到制造过程结束。引线框架通过制造过程接地，以防止任何ESD事件对受保护的引线造成损坏。在最后的分割步骤中，引线彼此电隔离并与引线框架电隔离，从而维持保护免受潜在的ESD事件直到最后封装分割步骤。

公开(公告)号：CN109037193A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811030375.7

申请日：2018-09-05

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 林祐贤

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L22/12

摘要： 本发明公开了一种硅通孔检测电路及方法、集成电路芯片，涉及集成电路技术领域。该硅通孔检测电路包括第一硅通孔、第二硅通孔和鉴相器；第一硅通孔的第一端与预定信号输出端连接，第一硅通孔的第二端与第二硅通孔的第一端连接；第二硅通孔的第二端与鉴相器的第一输入端连接；鉴相器的第二输入端与预定信号输出端连接；其中，鉴相器用于确定鉴相器的第一输入端的信号与第二输入端的信号之间的相位差。本公开可以检测出失效硅通孔，以便基于硅通孔冗余的方式屏蔽失效硅通孔，进而有助于集成电路芯片内各信号的有效传输。

公开(公告)号：CN108962758A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810826079.1

申请日：2018-07-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 喻春霖 ,  胡岩 ,  袁洪光 ,  袁志龙 ,  杨晓东 ,  周成 ,  张春鹏 ,  张党龙 ,  蔡少波 ,  陈振东

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L21/26506 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，在形成多晶硅薄膜之后，确定多晶硅薄膜的晶界比率；然后确定晶界比率是否在预先获得的标准范围内；如果晶界比率在标准范围内，则根据预设的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入；如果晶界比率不在标准范围内，则对预设的离子注入量进行调整，根据调整后的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入。通过对晶界比率进行监控，从而达到监控LTPS特性的目的，而对于拦截到的特性异常的情况，通过调整离子注入浓度，可在前端修复特性不良，降低特性不良损失，提升良率。

公开(公告)号：CN108885977A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022431.X

申请日：2017-02-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 安热利克·雷利 ,  阿基特若·高

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/0273 ,  C23C16/34 ,  H01L21/31144 ,  H01L22/12

摘要： 提供一种用于对衬底中的结构图案进行关键尺寸(CD)修整的方法，该方法包括：在图案化系统的处理室中提供衬底，该衬底包括第一结构图案和下层，下层包括硅抗反射涂层(SiARC)或硅氮氧化物(SiON)层、光学平坦化层和目标图案化层；执行可选的第一结构图案的CD修整处理；执行使SiARC或SiON层开口的一系列处理并且如果需要则执行附加CD修整；以及执行使光学平坦化层开口的一系列处理，该系列处理生成最终结构图案，并且如果需要则执行附加CD修整；其中，平坦化层是预先图案化膜(APL)、有机电介质层(ODL)或旋涂硬掩模(SOH)层中的一种。