制造光电器件的方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101512790B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN200780033641.5

    申请日:2007-08-01

    IPC分类号: H01L51/54 H01L51/52

    摘要: 一种制造光电器件的方法,该方法包括步骤:在基底上沉积一种组合物,该基底包含用于注入第一极性电荷载流子的第一电极,该组合物包含导电或者半导电有机材料、溶剂和第一添加剂;和沉积用于注入与第一极性相反的第二极性电荷载流子的第二电极,其中第一添加剂是碱性添加剂。

    制造光电器件的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101512790A

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200780033641.5

    申请日:2007-08-01

    IPC分类号: H01L51/54 H01L51/52

    摘要: 一种制造光电器件的方法,该方法包括步骤:在基底上沉积一种组合物,该基底包含用于注入第一极性电荷载流子的第一电极,该组合物包含导电或者半导电有机材料、溶剂和第一添加剂;和沉积用于注入与第一极性相反的第二极性电荷载流子的第二电极,其中第一添加剂是碱性添加剂。