用于光活性层的溶剂共混物
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109314187A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780039138.4

    申请日:2017-06-23

    IPC分类号: H01L51/46

    摘要: 本发明涉及用于制备半导体配制物的溶剂共混物,该半导体配制物对于喷墨应用具有改进的稳定性,该溶剂共混物包含:苯甲酸烷基酯、苯甲酸芳基酯、烷基苯并噻唑或二烷氧基苯;第一种芳族烃,其为二烷基取代的芳族烃或三烷基取代的芳族烃;和不同于第一芳族烃的第二芳族烃。此外,公开了通过使用所述配制物制造具有高效率和高品质光活性层和膜的有机电子器件的方法。

    一种高效率平面异质结钙钛矿薄膜太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN108321298A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810143862.8

    申请日:2018-02-12

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48

    摘要: 本发明涉及一种高效率平面异质结钙钛矿薄膜太阳能电池及制备方法,在空穴传输层的溶液中添加DMSO溶液(溶解钙钛矿前驱体物质的溶剂),后经旋涂法制得空穴传输层。由于DMSO中的氧原子含有孤对电子,可通过静电相互作用有效地结合钙钛矿晶界处裸露的未成键的CH3NH3+,改善钙钛矿晶体的结晶质量,进而提高钙钛矿薄膜的光吸收能力;另由于DMSO可以溶解钙钛矿薄膜,则部分空穴传输材料就会渗透在钙钛矿层的表面形成一层钙钛矿和空穴传输材料相互渗透的混合层,使得这两层之间接触更加紧密,避免了层层之间存在空洞、针眼等不良接触现象的出现。综上所述,DMSO添加到HTM中同时完成了对钙钛矿成膜质量和层层之间接触情况的改善,有效地提高了PSCs的光电性能。

    制作电子设备的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107851732A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680043604.1

    申请日:2016-06-10

    发明人: C·贝克

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/50 H01L51/56

    摘要: 一种制造有机发光设备的方法包括对第一电极层形成图案以形成包括导电金属轨迹的网格的格栅,从溶剂中包括按重量小于10%的固体的溶液中沉积空穴注入材料层,在溶剂蒸发以干燥膜之前溶液的湿润层的厚度大于轨迹间距,蒸发溶剂以提供干燥的膜,干燥的膜具有小于溶液的湿润层的湿润厚度的10%的轨迹之间的间距中的平均厚度以及大于轨迹厚度的25%的轨迹之间的间距中的平均厚度,从而在沉积空穴注入材料层之前提供比金属轨迹的表面更加平坦的顶表面,从溶液中沉积一个或多个另外的层以提供发光层以及一个或多个可选的电荷传输层,以及沉积第二电极层。格栅可以包括具有不同宽度和间距的轨迹的集合。