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公开(公告)号：CN114371758B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
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公开(公告)号：CN117251393B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311539242.3
申请日：2023-11-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本申请公开一种处理器的中断响应方法、中断响应装置、芯片、计算机设备和非易失性计算机可读存储介质。处理器的中断响应方法包括根据当前中断的中断号获取当前中断的入口地址，并取出入口地址的第一条指令，执行第一条指令时流经多级流水；从响应当前中断到执行第一条指令时流经的目标级流水之前，保持全局中断使能开启，以响应目标中断，目标级流水为多级流水中的任一级，目标中断的中断优先级高于当前中断的中断优先级。根据当前中断的中断号获取入口地址，执行入口地址中的第一条指令，在响应当前中断到第一指令执行时对应的流水线最后一个阶段之前，通过将全局中断使能打开，将等待的高优先级中断进行响应，能够及时对高优先级中断进行响应。
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公开(公告)号：CN115642148B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211654973.8
申请日：2022-12-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H10B61/00
摘要： 本发明涉及封装技术领域，公开了一种磁屏蔽装置、磁屏蔽装置的制备方法以及MRAM芯片，所述磁屏蔽装置包括：磁屏蔽片；以及多个微阵列结构，该多个微阵列结构位于所述磁屏蔽片上的边缘区域内，所述多个微阵列结构围成的内部区域与MRAM芯片的尺寸相匹配，用于对所述MRAM芯片进行磁屏蔽，由此，本发明通过一种具有微阵列结构的新型抗磁封装结构来更有效地降低MRAM芯片周围的外部环境磁场。
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公开(公告)号：CN115617115B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211344115.3
申请日：2022-10-31
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备，所述基准电压产生电路包括：参考电压产生电路，所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压；稳压电路，所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路，其中：所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压，并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时，将所述基准电压转换为第一控制电压，在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时，将所述基准电压转换为第二控制电压；所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压，所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压，以对所述基准电压进行稳压，从而提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN115373906B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202211304625.8
申请日：2022-10-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本公开涉及嵌入式技术领域，具体涉及公开了一种嵌入式系统架构的备份启动方法、装置、设备及芯片，该方法包括：若所述第一系统分区和所述第二系统分区均无法启动，则根据所述镜像区的系统镜像文件恢复所述第一系统分区和所述第二系统分区的系统文件；基于所述第一系统分区恢复的系统文件，从所述第一系统分区进行系统启动。该技术方案可以解决两个系统分区无法启动导致的系统变砖现象，提高系统的稳定性，主要用于嵌入式系统的启动。
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公开(公告)号：CN115642148A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211654973.8
申请日：2022-12-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H10B61/00
摘要： 本发明涉及封装技术领域，公开了一种磁屏蔽装置、磁屏蔽装置的制备方法以及MRAM芯片，所述磁屏蔽装置包括：磁屏蔽片；以及多个微阵列结构，该多个微阵列结构位于所述磁屏蔽片上的边缘区域内，所述多个微阵列结构围成的内部区域与MRAM芯片的尺寸相匹配，用于对所述MRAM芯片进行磁屏蔽，由此，本发明通过一种具有微阵列结构的新型抗磁封装结构来更有效地降低MRAM芯片周围的外部环境磁场。
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公开(公告)号：CN115361345B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211302058.2
申请日：2022-10-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种基于单总线信息传输的数据流控方法、装置及通信系统，属于通信技术领域。所述数据流控方法基于数据接收端，包括：检测数据接收端的数据缓冲区的状态，所述状态包括数据缓冲区空闲和数据缓冲区饱和；当所述数据缓冲区的状态发生改变时，向数据发送端发送初始化信号；当超过预设时间未接收到所述数据发送端的初始化应答信号时，重复发送所述初始化信号；响应于所述数据发送端的所述初始化应答信号，依次向所述数据发送端发送写数据准备信号和所述数据缓冲区的状态；其中，所述初始化信号、写数据准备信号和数据缓冲区的状态通过单根流控总线发送。通过本发明实施例，可以实现总线设备间的通信状态传输，可以有效防止通信数据丢失。
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公开(公告)号：CN115549907A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211481225.4
申请日：2022-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本说明书实施方式涉及一种根密钥管理系统、备份方法、恢复方法、装置及电子设备，通过保管终端采集并存储持有保管终端的保管账户的第一生物特征信息以及第一位置信息，还采集并存储授权终端的的授权账户的第二生物特征信息以及第二位置信息，通过密钥管理服务器对根密钥进行分割得到根密钥分片，对根密钥分片进行加密得到加密后的根密钥分片，并向保管终端发送加密后的根密钥分片，保管终端接收并存储加密后的根密钥分片，向授权终端发送在恢复所述根密钥以及加密根密钥分片的保护密钥；通过对根密钥备份的安全加固，即使在根密钥被非法者窃取后，提升非法者获取根密钥分片的难度，提升了根密钥的安全性。
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公开(公告)号：CN115361345A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211302058.2
申请日：2022-10-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种基于单总线信息传输的数据流控方法、装置及通信系统，属于通信技术领域。所述数据流控方法基于数据接收端，包括：检测数据接收端的数据缓冲区的状态，所述状态包括数据缓冲区空闲和数据缓冲区饱和；当所述数据缓冲区的状态发生改变时，向数据发送端发送初始化信号；当超过预设时间未接收到所述数据发送端的初始化应答信号时，重复发送所述初始化信号；响应于所述数据发送端的所述初始化应答信号，依次向所述数据发送端发送写数据准备信号和所述数据缓冲区的状态；其中，所述初始化信号、写数据准备信号和数据缓冲区的状态通过单根流控总线发送。通过本发明实施例，可以实现总线设备间的通信状态传输，可以有效防止通信数据丢失。
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公开(公告)号：CN115308558A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211039166.5
申请日：2022-08-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。
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