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公开(公告)号：CN103914085A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410148077.3
申请日：2014-04-14
Applicant: 华北电力大学
IPC: G05D3/12
Abstract: 本发明属于太阳能光伏发电技术领域，特别涉及一种利用棒影图像实现太阳光跟踪的装置和方法。本发明通过CMOS摄像头采集锥形棒的阴影图像，经过图像去噪及灰度处理，计算出ABCD四个分区的阴影面积及非阴影区的平均亮度；根据非阴影区的平均亮度对天气的阴晴进行判断：在晴天模式下，根据最大阴影面积所在区域向系统的方位角电机及高度角电动推杆发送信号使跟踪系统发生相应转动，保持太阳直射辐射始终垂直入射跟踪装置。本发明能够自动识别阴晴模式，控制精度高，探测角度大，能够使得光伏阵列连续跟踪太阳直射辐射，提高发电效率。
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公开(公告)号：CN103560172A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310542462.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/182 , C23C14/352
Abstract: 本发明公开了属于多晶硅薄膜太阳电池技术领域的一种制备高导电率多晶硅薄膜的方法。该方法在异质衬底上，利用磁控溅射同时溅射多晶硅和石墨，制备出掺杂有一定碳的多晶硅薄膜。从而可以改善多晶硅薄膜的导电性。本发明的方法操作简单，便于控制，通过控制沉积薄膜的时间、衬底温度、溅射功率、气体流量、溅射气压等来控制多晶硅中碳含量的改变，从而控制改变多晶硅薄膜的导电性。
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公开(公告)号：CN103560172B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310542462.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于多晶硅薄膜太阳电池技术领域的一种制备高导电率多晶硅薄膜的方法。该方法在异质衬底上，利用磁控溅射同时溅射多晶硅和石墨，制备出掺杂有一定碳的多晶硅薄膜。从而可以改善多晶硅薄膜的导电性。本发明的方法操作简单，便于控制，通过控制沉积薄膜的时间、衬底温度、溅射功率、气体流量、溅射气压等来控制多晶硅中碳含量的改变，从而控制改变多晶硅薄膜的导电性。
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公开(公告)号：CN104362976A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546505.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/00
Abstract: 本发明公开了属于太阳能光伏发电系统故障检测领域的一种利用遮蔽法检测光伏发电系统故障点的方法。通过在日光照射条件下用遮光板对光伏发电系统组串中的光伏电池板实施外部遮蔽，测得不同遮挡下该串联支路的总电压的测量数列，进而对测量数列进行坏值判断，被标定为“坏值”的测量所对应的被遮挡光伏电池板即为故障电池板。本发明的优势在于检测方法无需对现有光伏发电系统进行改造，不增加光伏发电系统的硬件配置，检测过程不需要对系统线路进行拆解，是一种简单有效的太阳能光伏系统故障点检测方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104157730A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410352977.X
申请日：2014-07-23
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02381 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/02444 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1804
Abstract: 本发明提供一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)以单晶硅片为衬底；(2)在单晶硅片衬底抛光面上利用磁控溅射方法沉积一层石墨过渡层，石墨过渡层厚度为20-100nm；(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜，厚度为20-100μm。本发明的方法将石墨作为硅和锗之间的过渡层，不仅可以消除硅和锗之间的晶格失配，还可以减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降，降低锗薄膜的缺陷密度。本发明的方法利用磁控溅射方法、化学气相沉积法制备出锗薄膜，用于后续多节叠层电池的制作，大幅度的降低多节太阳能电池的生产成本，提高太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN103715289B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310718065.5
申请日：2013-12-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明属于太阳能高倍聚光镜领域，针对传统Fresnel透镜中存在的聚焦光斑不均匀，在300～1800nm宽光谱范围内的聚光效果不理想的问题，提出了一种宽光谱均匀焦平面Fresnel透镜的设计方法。具体步骤为：根据GaInP/GaInAs/Ge三结聚光电池的光谱响应特性曲线得到各子电池光谱响应的中心波段，再从等齿宽且轴对称的透镜中心锯齿旁的第一个锯齿开始，每三个相邻的锯齿为一组，依次取波长，共计k组，然后由各单齿的设计波长，结合透镜材料的折射率色散数据和平面Fresnel透镜的设计公式，从而得到各单齿的具体结构。本发明有效降低透镜色散影响，有利于实现300～1800nm宽光谱范围内均匀聚光。
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公开(公告)号：CN104362976B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410546505.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了属于太阳能光伏发电系统故障检测领域的一种利用遮蔽法检测光伏发电系统故障点的方法。通过在日光照射条件下用遮光板对光伏发电系统组串中的光伏电池板实施外部遮蔽，测得不同遮挡下该串联支路的总电压的测量数列，进而对测量数列进行坏值判断，被标定为“坏值”的测量所对应的被遮挡光伏电池板即为故障电池板。本发明的优势在于检测方法无需对现有光伏发电系统进行改造，不增加光伏发电系统的硬件配置，检测过程不需要对系统线路进行拆解，是一种简单有效的太阳能光伏系统故障点检测方法。
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公开(公告)号：CN103914085B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410148077.3
申请日：2014-04-14
Applicant: 华北电力大学
IPC: G05D3/12
Abstract: 本发明属于太阳能光伏发电技术领域，特别涉及一种利用棒影图像实现太阳光跟踪的装置和方法。本发明通过CMOS摄像头采集锥形棒的阴影图像，经过图像去噪及灰度处理，计算出ABCD四个分区的阴影面积及非阴影区的平均亮度；根据非阴影区的平均亮度对天气的阴晴进行判断：在晴天模式下，根据最大阴影面积所在区域向系统的方位角电机及高度角电动推杆发送信号使跟踪系统发生相应转动，保持太阳直射辐射始终垂直入射跟踪装置。本发明能够自动识别阴晴模式，控制精度高，探测角度大，能够使得光伏阵列连续跟踪太阳直射辐射，提高发电效率。
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公开(公告)号：CN103715289A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310718065.5
申请日：2013-12-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明属于太阳能高倍聚光镜领域，特别涉及一种宽光谱均匀焦平面Fresnel透镜的设计方法。本发明针对目前应用最为广泛的GaInP/GaInAs/Ge三结聚光电池，综合考虑其每个子电池的光谱响应特性及透镜材料折射率与波长的色散关系，对所有锯齿的波长分别进行优化设计，从而优化锯齿的面型结构，以实现宽光谱均匀焦平面。本发明可有效降低透镜色散影响，有利于实现300～1800nm宽光谱范围内均匀聚光。
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