公开(公告)号：CN104157730A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410352977.X

申请日：2014-07-23

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  牟潇野 ,  杨博 ,  辛雅焜 ,  吴强 ,  弭辙 ,  付蕊 ,  刘虎 ,  仲琳 ,  白一鸣 ,  高征 ,  刘海

IPC: H01L31/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明提供一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)以单晶硅片为衬底；(2)在单晶硅片衬底抛光面上利用磁控溅射方法沉积一层石墨过渡层，石墨过渡层厚度为20-100nm；(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜，厚度为20-100μm。本发明的方法将石墨作为硅和锗之间的过渡层，不仅可以消除硅和锗之间的晶格失配，还可以减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降，降低锗薄膜的缺陷密度。本发明的方法利用磁控溅射方法、化学气相沉积法制备出锗薄膜，用于后续多节叠层电池的制作，大幅度的降低多节太阳能电池的生产成本，提高太阳能电池的效率。