公开(公告)号：CN107706272A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710931326.X

申请日：2017-10-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈鹏 ,  蒋府龙 ,  刘亚莹 ,  张荣 ,  刘斌 ,  谢自立 ,  陈敦军

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明公开了一种在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其步骤包括：在化合物半导体表面上制备金属薄膜，然后对基片进行高温退火处理，利用金属薄膜在高温时由于表面张力引起的自组织现象，在基片上制作金属薄膜的纳米图形，然后把金属纳米图形转移到化合物半导体表面，去除样品表面的残余金属层，在化合物半导体表面得到洁净的纳米结构。本发明公开的方法可以方便快捷的在化合物半导体表面制作纳米多孔模板，而且成本低，相较于纳米压印、铺设微球、电子束曝光等方式，有不可替代的优点；而且高温退火形成的纳米多孔图形，边界清晰，且有特征角度(60°和120°)，通过调节金属薄膜厚度和退火的温度、时间，可获得不同占空比的纳米多孔模板。