公开(公告)号：CN110970365B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201910921779.3

申请日：2019-09-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 徐行徽 ,  陈柏年 ,  钟怡萱 ,  谢博璇 ,  林志勇

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 提供了一种半导体器件结构和形成方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成第一半导体鳍和第二半导体鳍。第二半导体鳍比第一半导体鳍宽。该方法还包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠，栅极堆叠延伸跨越第一半导体鳍和第二半导体鳍。该方法还包括：在第一半导体鳍上方形成第一源极/漏极结构，第一源极/漏极结构是p型掺杂的。另外，该方法包括：在第二半导体鳍上形成第二源极/漏极结构，第二源极/漏极结构是n型掺杂的。

公开(公告)号：CN110970365A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910921779.3

申请日：2019-09-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 徐行徽 ,  陈柏年 ,  钟怡萱 ,  谢博璇 ,  林志勇

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 提供了一种半导体器件结构和形成方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成第一半导体鳍和第二半导体鳍。第二半导体鳍比第一半导体鳍宽。该方法还包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠，栅极堆叠延伸跨越第一半导体鳍和第二半导体鳍。该方法还包括：在第一半导体鳍上方形成第一源极/漏极结构，第一源极/漏极结构是p型掺杂的。另外，该方法包括：在第二半导体鳍上形成第二源极/漏极结构，第二源极/漏极结构是n型掺杂的。