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公开(公告)号：CN102299058B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110118975.0
申请日：2011-05-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明于纳米半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种利用电纺丝技术并结合水热合成技术制备具有多级异质结构的纳米半导体材料，并用于构筑高性能稳定微电子器件的方法。是以电纺烧结得到的无机氧化物纳米纤维为主干，通过水热反应后续在纤维表面沉积生长无机氧化物纳米棒，获得准一维树枝状多级异质结构的纳米材料，之后组装成场效应晶体管。本发明制备得到的场效应晶体管具有超高的电子迁移率，并且长寿命及高稳定性远远超过了其它大多数场效应晶体管。如锐钛矿二氧化钛纳米纤维/金红石二氧化钛纳米棒多级结构的场效应晶体管最大电子迁移率可以达到10cm2/Vs以上，随着时间延长和湿度的增大，性能几乎没有出现衰减。
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公开(公告)号：CN101894913B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201010197162.0
申请日：2010-06-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种利用电纺丝方法，结合贵金属纳米粒子掺杂技术制备超高电荷迁移率的高分子场效应晶体管的方法。是将贵金属盐与高分子纤维混纺在一起，然后通过气相聚合或者后处理液相聚合的方法，得到贵金属纳米粒子掺杂的高分子/导电高分子核壳纳米纤维，然后进行场效应晶体管的组装。本发明制备的场效应晶体管具有高的迁移率，几乎超越了绝大多数的高分子基晶体管。如金掺杂聚丙烯腈/聚苯胺和金掺杂的聚丙烯腈/聚噻吩核壳纳米纤维的场效应最大电荷迁移率可以分别达到9.37cm2/Vs与10.35cm2/Vs。该方法工业简单，成本低廉，重复性好，并且能够制备出高迁移率的高分子场效应晶体管，将为有机电子器件的发展与应用开拓新的思路。
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公开(公告)号：CN101956247A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010505164.1
申请日：2010-10-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于静电纺丝制备技术，具体涉及一种在常温下利用静电纺丝技术制备聚丙烯超细纤维的方法。它是选择兼具聚丙烯材料良好的化学稳定性，同时相对较易被有机溶剂溶解的无规聚丙烯(aPP)为原料，采用电纺丝技术，制备聚丙烯超细纤维。由此方法制备的聚丙烯超细纤维形貌良好、直径均一，纤维直径在200-950nm之间。本发明首次在常温下制备出聚丙烯超细纤维，解决了一直以来只能以熔体纺丝及膜裂成纤法来制备聚丙烯纤维的局限。该方法制备工艺及生产设备简单、对生产条件要求较低、便于操作、低能耗；且由于采用无规聚丙烯(aPP)作为原料，来源丰富、生产成本低廉，因此具有良好的市场应用前景，易于推广和应用。
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公开(公告)号：CN102299058A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110118975.0
申请日：2011-05-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明于纳米半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种利用电纺丝技术并结合水热合成技术制备具有多级异质结构的纳米半导体材料，并用于构筑高性能稳定微电子器件的方法。是以电纺烧结得到的无机氧化物纳米纤维为主干，通过水热反应后续在纤维表面沉积生长无机氧化物纳米棒，获得准一维树枝状多级异质结构的纳米材料，之后组装成场效应晶体管。本发明制备得到的场效应晶体管具有超高的电子迁移率，并且长寿命及高稳定性远远超过了其它大多数场效应晶体管。如锐钛矿二氧化钛纳米纤维/金红石二氧化钛纳米棒多级结构的场效应晶体管最大电子迁移率可以达到10cm2/Vs以上，随着时间延长和湿度的增大，性能几乎没有出现衰减。
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公开(公告)号：CN101894913A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010197162.0
申请日：2010-06-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种利用电纺丝方法，结合贵金属纳米粒子掺杂技术制备超高电荷迁移率的高分子场效应晶体管的方法。是将贵金属盐与高分子纤维混纺在一起，然后通过气相聚合或者后处理液相聚合的方法，得到贵金属纳米粒子掺杂的高分子/导电高分子核壳纳米纤维，然后进行场效应晶体管的组装。本发明制备的场效应晶体管具有高的迁移率，几乎超越了绝大多数的高分子基晶体管。如金掺杂聚丙烯腈/聚苯胺和金掺杂的聚丙烯腈/聚噻吩核壳纳米纤维的场效应最大电荷迁移率可以分别达到9.37cm2/Vs与10.35cm2/Vs。该方法工业简单，成本低廉，重复性好，并且能够制备出高迁移率的高分子场效应晶体管，将为有机电子器件的发展与应用开拓新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266225A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810050660.5
申请日：2008-04-28
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明具体是利用电纺丝法制备高性能陶瓷基半导体金属氧化物纳米纤维乙醇气体传感器的方法。本发明是以可溶性金属盐，金属氧化物前驱体，高分子和溶剂为原料，采用电纺丝技术，制备含高分子和金属氧化物前驱体的复合纤维，然后将该纤维烧结除去高分子，从而得到陶瓷基半导体金属氧化物纳米纤维材料。本发明制备的一维超长连续的半导体金属氧化物陶瓷纳米纤维乙醇气体传感器，具备响应恢复迅速、灵敏度高、气体选择性好、稳定性好、使用寿命长等优点。该方法适用于各种以可溶性金属盐为原料的陶瓷氧化物，具有设备简单，低成本，高性能，易于推广等优点。可以满足工业技术的要求，能在交通安全，环境保护，化工生产等领域中广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101178372A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710056363.7
申请日：2007-11-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体是利用电纺丝技术制备快速响应－恢复陶瓷基纳米纤维湿敏传感器的方法。它是以可溶性陶瓷前驱体、高分子、碱金属或碱土金属盐和溶剂为原料，采用电纺丝技术，制备含高分子和陶瓷前驱体的复合纤维，然后将该纤维烧结除去高分子，从而得到陶瓷纳米纤维材料。陶瓷纳米纤维材料具有较高比表面积，对水分的吸附能力强，同时碱金属或碱土金属的引入增强了材料表面导电能力，使材料响应恢复速率提高。由此方法制备的陶瓷纳米纤维材料的响应/恢复时间均在10s以内，远优于国际同类产品，同时其他技术指标也均达到或超过国际标准。该方法适用于各种以可溶性金属盐为原料的陶瓷氧化物，具有设备简单，低成本，高性能，易于推广等优点。
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公开(公告)号：CN101956247B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010505164.1
申请日：2010-10-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于静电纺丝制备技术，具体涉及一种在常温下利用静电纺丝技术制备聚丙烯超细纤维的方法。它是选择兼具聚丙烯材料良好的化学稳定性，同时相对较易被有机溶剂溶解的无规聚丙烯(aPP)为原料，采用电纺丝技术，制备聚丙烯超细纤维。由此方法制备的聚丙烯超细纤维形貌良好、直径均一，纤维直径在200-950nm之间。本发明首次在常温下制备出聚丙烯超细纤维，解决了一直以来只能以熔体纺丝及膜裂成纤法来制备聚丙烯纤维的局限。该方法制备工艺及生产设备简单、对生产条件要求较低、便于操作、低能耗；且由于采用无规聚丙烯(aPP)作为原料，来源丰富、生产成本低廉，因此具有良好的市场应用前景，易于推广和应用。
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公开(公告)号：CN101266225B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810050660.5
申请日：2008-04-28
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明具体是利用电纺丝法制备高性能陶瓷基半导体金属氧化物纳米纤维乙醇气体传感器的方法。本发明是以可溶性金属盐，金属氧化物前驱体，高分子和溶剂为原料，采用电纺丝技术，制备含高分子和金属氧化物前驱体的复合纤维，然后将该纤维烧结除去高分子，从而得到陶瓷基半导体金属氧化物纳米纤维材料。本发明制备的一维超长连续的半导体金属氧化物陶瓷纳米纤维乙醇气体传感器，具备响应恢复迅速、灵敏度高、气体选择性好、稳定性好、使用寿命长等优点。该方法适用于各种以可溶性金属盐为原料的陶瓷氧化物，具有设备简单，低成本，高性能，易于推广等优点。可以满足工业技术的要求，能在交通安全，环境保护，化工生产等领域中广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101178372B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710056363.7
申请日：2007-11-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体是利用电纺丝技术制备快速响应-恢复陶瓷基纳米纤维湿敏传感器的方法。它是以可溶性陶瓷前驱体、高分子、碱金属或碱土金属盐和溶剂为原料，采用电纺丝技术，制备含高分子和陶瓷前驱体的复合纤维，然后将该纤维烧结除去高分子，从而得到陶瓷纳米纤维材料。陶瓷纳米纤维材料具有较高比表面积，对水分的吸附能力强，同时碱金属或碱土金属的引入增强了材料表面导电能力，使材料响应恢复速率提高。由此方法制备的陶瓷纳米纤维材料的响应/恢复时间均在10s以内，远优于国际同类产品，同时其他技术指标也均达到或超过国际标准。该方法适用于各种以可溶性金属盐为原料的陶瓷氧化物，具有设备简单，低成本，高性能，易于推广等优点。
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