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公开(公告)号：CN119846863A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510139201.8
申请日：2025-02-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种硅基和铁电材料异质集成的电光调制器，属于光学调制器技术领域。从下至上依次由硅基衬底、下包层、光波导芯层、上包层组成，光波导芯层为基于贝塞尔形多模干涉耦合器的MZI型结构，由上光波导芯层和下光波导芯层构成；上光波导芯层和下光波导芯层均被包覆在上包层之中，上光波导芯层和下光波导芯层之间由上包层分隔开；本发明使用锆钛酸铅、镧修饰锆钛酸铅、钛酸钡等铁电材料作为上光波导芯层，使用较高折射率的氮化硅、硅作为下光波导芯层，不但有益于降低驱动电压和实现多功能、低功耗、大规模集成的光子器件，而且器件制备工艺简单，结构紧凑，可以在较大的带宽下获得较小的器件尺寸和较低的额外损耗。
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公开(公告)号：CN116009145B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202310158820.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导的E10/E01模式旋转器及其制备方法，属于光子集成芯片制备技术领域。本发明所述E10/E01模式旋转器，从下至上，由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层和聚合物上包层成，聚合物芯层为包埋在SiO2下包层之中的嵌入直波导结构，聚合物芯层下表面沿光的传输方向带有贯通的方形凹槽。本发明通过两次ICP刻蚀在二氧化硅层中制备凹槽，再用聚合物填充二氧化硅凹槽，得到的聚合物芯层的侧壁陡直，可以降低器件损耗，提高器件性能。本发明器件具有结构紧凑、损耗低、制备工艺简单成熟、成本低等优点，在光网络中起到器件连接、模式转换等作用，具有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119828361A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510173314.X
申请日：2025-02-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有相移器的双臂可调2×2热光开关，属于光通信技术领域。由硅衬底、二氧化硅下包层、聚合物波导芯层和聚合物上包层组成，聚合物波导芯层为MZI型结构，由两个输入波导、输入2×2多模干涉耦合器、两个输入S弯曲波导、相移器、直波导、第一调制臂波导和第二调制臂皮导、两个输出S弯曲波导、输出2×2多模干涉耦合器、两个输出波导组成，两个调制臂波导相互平行，在两个调制臂波导所处位置的聚合物上包层之上设置有相互平行的两个金属电极。相移器为第一调制臂波导预先引入了π/2相移，每个调制臂波导仅需要引入π/2的相移即可实现开关的状态改变，从而实现双臂可调2×2热光开关功能，起到降低单次调制所需功耗的作用。
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公开(公告)号：CN116009145A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310158820.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导的E10/E01模式旋转器及其制备方法，属于光子集成芯片制备技术领域。本发明所述E10/E01模式旋转器，从下至上，由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层和聚合物上包层成，聚合物芯层为包埋在SiO2下包层之中的嵌入直波导结构，聚合物芯层下表面沿光的传输方向带有贯通的方形凹槽。本发明通过两次ICP刻蚀在二氧化硅层中制备凹槽，再用聚合物填充二氧化硅凹槽，得到的聚合物芯层的侧壁陡直，可以降低器件损耗，提高器件性能。本发明器件具有结构紧凑、损耗低、制备工艺简单成熟、成本低等优点，在光网络中起到器件连接、模式转换等作用，具有着广阔的应用前景。
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