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公开(公告)号：CN116009145B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202310158820.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导的E10/E01模式旋转器及其制备方法，属于光子集成芯片制备技术领域。本发明所述E10/E01模式旋转器，从下至上，由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层和聚合物上包层成，聚合物芯层为包埋在SiO2下包层之中的嵌入直波导结构，聚合物芯层下表面沿光的传输方向带有贯通的方形凹槽。本发明通过两次ICP刻蚀在二氧化硅层中制备凹槽，再用聚合物填充二氧化硅凹槽，得到的聚合物芯层的侧壁陡直，可以降低器件损耗，提高器件性能。本发明器件具有结构紧凑、损耗低、制备工艺简单成熟、成本低等优点，在光网络中起到器件连接、模式转换等作用，具有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115308839A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210954058.4
申请日：2022-08-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导平台的多端口波导交叉器件及其制备方法，属于光子集成芯片制备技术领域。由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层、聚合物上包层组成，聚合物芯层被包埋在SiO2下包层之中，聚合物芯层上表面与SiO2下包层上表面位于同一平面，聚合物上包层位于聚合物芯层和SiO2下包层之上；聚合物芯层为多通道交叉波导结构，由N个在中心点交叉的1×1多模干涉器形成星形结构。将光在多模干涉区内的第一个自映像点作为波导交叉器件的中心点，此处的光汇聚在一个和输入端相同尺寸的光场中，最大程度的限制了光的扩散，可以减小交叉波导之间的串扰；将第二个自映像点作为光输出点，可以得到高的光输出强度。
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公开(公告)号：CN114089474A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111438405.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种有机无机混合集成的可变光衰减器及其制备方法，属于平板光波导器件及其制备技术领域，由硅衬底、二氧化硅下包层、条形结构的掺锗的二氧化硅输入波导和掺锗的二氧化硅输出波导、基于垂直MMI结构的层间转换器、掺硼和磷的二氧化硅上包层、1×1马赫曾德热光开关、聚合物上包层和加热电极组成，输入波导和输出波导的折射率大于二氧化硅上包层的折射率。本发明垂直MMI结构紧凑，以聚合物热光开关型VOA器件取代了传统无机PLC的VOA器件，实现了光从下层无机波导向上层聚合物波导的传输，本发明高效率地调节光传输功率，器件功耗低，实现了有机无机光子器件的单片集成，与现有二氧化硅PLC工艺相兼容，易于大规模生产，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116009145A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310158820.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导的E10/E01模式旋转器及其制备方法，属于光子集成芯片制备技术领域。本发明所述E10/E01模式旋转器，从下至上，由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层和聚合物上包层成，聚合物芯层为包埋在SiO2下包层之中的嵌入直波导结构，聚合物芯层下表面沿光的传输方向带有贯通的方形凹槽。本发明通过两次ICP刻蚀在二氧化硅层中制备凹槽，再用聚合物填充二氧化硅凹槽，得到的聚合物芯层的侧壁陡直，可以降低器件损耗，提高器件性能。本发明器件具有结构紧凑、损耗低、制备工艺简单成熟、成本低等优点，在光网络中起到器件连接、模式转换等作用，具有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114089474B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111438405.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种有机无机混合集成的可变光衰减器及其制备方法，属于平板光波导器件及其制备技术领域，由硅衬底、二氧化硅下包层、条形结构的掺锗的二氧化硅输入波导和掺锗的二氧化硅输出波导、基于垂直MMI结构的层间转换器、掺硼和磷的二氧化硅上包层、1×1马赫曾德热光开关、聚合物上包层和加热电极组成，输入波导和输出波导的折射率大于二氧化硅上包层的折射率。本发明垂直MMI结构紧凑，以聚合物热光开关型VOA器件取代了传统无机PLC的VOA器件，实现了光从下层无机波导向上层聚合物波导的传输，本发明高效率地调节光传输功率，器件功耗低，实现了有机无机光子器件的单片集成，与现有二氧化硅PLC工艺相兼容，易于大规模生产，成本低。
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公开(公告)号：CN115308839B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210954058.4
申请日：2022-08-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导平台的多端口波导交叉器件及其制备方法，属于光子集成芯片制备技术领域。由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层、聚合物上包层组成，聚合物芯层被包埋在SiO2下包层之中，聚合物芯层上表面与SiO2下包层上表面位于同一平面，聚合物上包层位于聚合物芯层和SiO2下包层之上；聚合物芯层为多通道交叉波导结构，由N个在中心点交叉的1×1多模干涉器形成星形结构。将光在多模干涉区内的第一个自映像点作为波导交叉器件的中心点，此处的光汇聚在一个和输入端相同尺寸的光场中，最大程度的限制了光的扩散，可以减小交叉波导之间的串扰；将第二个自映像点作为光输出点，可以得到高的光输出强度。
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公开(公告)号：CN114355507A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210086692.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于倒脊型二氧化硅/聚合物混合波导的微环谐振器及其制备方法，属于倒脊型二氧化硅/聚合物混合波导集成芯片制备技术领域。从下至上由Si衬底、SiO2下包层、条形聚合物芯层和聚合物平板层组成；条形聚合物芯层由微环谐振部分和耦合部分组成；微环谐振部分由第一弯曲波导、第一直波导、第二弯曲波导和第二直波导顺次连接组成，为跑道型微环结构；耦合部分由输入直波导、第三直波导和输出直波导顺次连接组成，第二直波导和第三直波导构成定向耦合器。本发明的微环谐振器具有损耗低、结构紧凑、制备工艺简单、成本低等优点，在光网络中可以用于制备开关、滤波器、调制器，在传感领域实现温度、折射率、生物传感等传感功能。
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公开(公告)号：CN114355507B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210086692.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于倒脊型二氧化硅/聚合物混合波导的微环谐振器及其制备方法，属于倒脊型二氧化硅/聚合物混合波导集成芯片制备技术领域。从下至上由Si衬底、SiO2下包层、条形聚合物芯层和聚合物平板层组成；条形聚合物芯层由微环谐振部分和耦合部分组成；微环谐振部分由第一弯曲波导、第一直波导、第二弯曲波导和第二直波导顺次连接组成，为跑道型微环结构；耦合部分由输入直波导、第三直波导和输出直波导顺次连接组成，第二直波导和第三直波导构成定向耦合器。本发明的微环谐振器具有损耗低、结构紧凑、制备工艺简单、成本低等优点，在光网络中可以用于制备开关、滤波器、调制器，在传感领域实现
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