公开(公告)号：CN117491447A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311388040.3

申请日：2023-10-24

Applicant: 哈尔滨商业大学

Inventor： 刘蕊 ,  孙源 ,  武天恒 ,  任滨侨

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/48

Abstract: 本发明公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极，包括电极主体，其外表面包覆电催化材料，所述电催化材料为HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料。本发明还公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的制备方法，具有所述HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的电化学传感器和应用。本发明提供的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极在检测环丙沙星方面发挥了HKUST‑1、CoFe2O4和g‑C3N4之间的协同作用，表现出高电导率及优异的催化性能，对环丙沙星的检测具备高度灵敏度。

公开(公告)号：CN117491447B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311388040.3

申请日：2023-10-24

Applicant: 哈尔滨商业大学

Inventor： 刘蕊 ,  孙源 ,  武天恒 ,  任滨侨

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/48

Abstract: 本发明公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极，包括电极主体，其外表面包覆电催化材料，所述电催化材料为HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料。本发明还公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的制备方法，具有所述HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的电化学传感器和应用。本发明提供的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极在检测环丙沙星方面发挥了HKUST‑1、CoFe2O4和g‑C3N4之间的协同作用，表现出高电导率及优异的催化性能，对环丙沙星的检测具备高度灵敏度。

公开(公告)号：CN117443426A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311393068.6

申请日：2023-10-25

Applicant: 哈尔滨商业大学

Inventor： 刘蕊 ,  孙源 ,  张新 ,  任滨侨

IPC: B01J27/24 ,  C02F1/30 ,  B01J37/00 ,  B01J35/39 ,  C02F101/36 ,  C02F101/34

Abstract: 一种分子印迹型BiOI/g‑氮化碳催化剂的制备方法和应用，它涉及光催化剂材料制备领域。本发明提供了一种分子印迹型BiOI/g‑氮化碳催化剂的制备方法和应用以提高复合光催化剂的稳定性和光催化活性，并且赋予催化剂一定的特异性识别能力，解决了目前催化剂不能对某一特定目标物质降解的问题。方法：一、制备g‑C3N4；二、制备BiOI；三、制备BiOI/g‑C3N4；四、引入模板分子，制备印迹聚合物；五、清洗干燥。本发明制备的分子印迹型BiOI/g‑氮化碳催化剂具有良好的光催化活性和低的电子‑空穴复合率，可以在实际应用中实现对低浓度污染物选择性吸附并降解。