HKUST-1/CoFe2O4/g-C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和应用

    公开(公告)号:CN117491447A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311388040.3

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本发明公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极,包括电极主体,其外表面包覆电催化材料,所述电催化材料为HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料。本发明还公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的制备方法,具有所述HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的电化学传感器和应用。本发明提供的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极在检测环丙沙星方面发挥了HKUST‑1、CoFe2O4和g‑C3N4之间的协同作用,表现出高电导率及优异的催化性能,对环丙沙星的检测具备高度灵敏度。

    基于金纳米粒子/氮化碳印迹氨苄西林的电化学传感器的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116429849A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310455231.0

    申请日:2023-04-25

    Abstract: 基于金纳米粒子/氮化碳印迹氨苄西林的电化学传感器的制备方法及应用,涉及高灵敏度检测氨苄西林技术领域。本发明的目的是为了解决现有的分子印迹电化学传感器的导电性和灵敏度差的问题。方法:将基于金纳米粒子/氮化碳印迹氨苄西林的电化学传感器作为工作电极,铂电极作为辅助电极,Ag/AgCl作为参比电极;将三电极体系置于浓度为1×10‑9~8.5×10‑7mol/L的多种氨苄西林标准溶液中,重新结合,检测电化学传感器重新结合模板分子氨苄西林后的电信号变化与氨苄西林浓度的关系,绘制工作曲线,检测待测样品溶液中的氨苄西林。本发明可获得基于金纳米粒子/氮化碳印迹氨苄西林的电化学传感器的制备方法及应用。

    一种铒修饰的氮化碳基催化剂及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN113813983A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111211179.1

    申请日:2021-10-18

    Inventor: 刘蕊 刘日嘉 韩雪

    Abstract: 本发明公开了一种铒修饰的氮化碳基催化剂及制备方法和用途,通过将g‑C3N4前驱体尿素或三聚氰胺与无定形的TiO2纳米管阵列一同热处理,并在电化学沉积稀土的过程中形成复合材料,合成的一种Er/g‑C3N4/TiO2三元复合光催化材料维持着良好的纳米管形貌;本发明制备工艺简单,可大量生产,能直接利用太阳光对印染废水进行高效降解脱色,对甲基橙的降解效率可达88%以上;相比只负载了g‑C3N4的纳米管,引入稀土后的三元异质结光催化剂表现出更强的光催化活性。

    HKUST-1/CoFe2O4/g-C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和应用

    公开(公告)号:CN117491447B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202311388040.3

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本发明公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极,包括电极主体,其外表面包覆电催化材料,所述电催化材料为HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料。本发明还公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的制备方法,具有所述HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的电化学传感器和应用。本发明提供的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极在检测环丙沙星方面发挥了HKUST‑1、CoFe2O4和g‑C3N4之间的协同作用,表现出高电导率及优异的催化性能,对环丙沙星的检测具备高度灵敏度。

    一种分子印迹型BiOI/g-氮化碳催化剂的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117443426A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311393068.6

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 一种分子印迹型BiOI/g‑氮化碳催化剂的制备方法和应用,它涉及光催化剂材料制备领域。本发明提供了一种分子印迹型BiOI/g‑氮化碳催化剂的制备方法和应用以提高复合光催化剂的稳定性和光催化活性,并且赋予催化剂一定的特异性识别能力,解决了目前催化剂不能对某一特定目标物质降解的问题。方法:一、制备g‑C3N4;二、制备BiOI;三、制备BiOI/g‑C3N4;四、引入模板分子,制备印迹聚合物;五、清洗干燥。本发明制备的分子印迹型BiOI/g‑氮化碳催化剂具有良好的光催化活性和低的电子‑空穴复合率,可以在实际应用中实现对低浓度污染物选择性吸附并降解。

    一种铒修饰的氮化碳基催化剂及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN113813983B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202111211179.1

    申请日:2021-10-18

    Inventor: 刘蕊 刘日嘉 韩雪

    Abstract: 本发明公开了一种铒修饰的氮化碳基催化剂及制备方法和用途,通过将g‑C3N4前驱体尿素或三聚氰胺与无定形的TiO2纳米管阵列一同热处理,并在电化学沉积稀土的过程中形成复合材料,合成的一种Er/g‑C3N4/TiO2三元复合光催化材料维持着良好的纳米管形貌;本发明制备工艺简单,可大量生产,能直接利用太阳光对印染废水进行高效降解脱色,对甲基橙的降解效率可达88%以上;相比只负载了g‑C3N4的纳米管,引入稀土后的三元异质结光催化剂表现出更强的光催化活性。

    一种MnMoO4/g-C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和用途

    公开(公告)号:CN116698937A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310762945.6

    申请日:2023-06-27

    Inventor: 刘蕊 孙源 武天恒

    Abstract: 本公开涉及一种MnMoO4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和用途,包括以下步骤:S1使锰源、g‑C3N4和钼酸盐接触进行水热反应,得到MnMoO4/g‑C3N4纳米复合材料;S2使含有所述MnMoO4/g‑C3N4纳米复合材料的修饰液与玻碳电极接触,得到MnMoO4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极。本发明的方法通过制备壳核式MnMoO4/g‑C3N4复合纳米材料制备修饰电极,制备得到的修饰电极表现出优异的催化性能。

    一种磁性印迹光催化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115779948A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211499008.8

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种磁性印迹光催化材料及其制备方法和应用,通过水热法和高温煅烧法合成了磁性印迹型g‑C3N4/Fe3O4光催化剂,合成的复合光催化材料形貌完好,具有纳米级的尺寸,较大的比表面积能够提供更多的活性位点,具有更强的催化活性;同时引入分子印迹技术,印迹空腔分布均匀,使磁性印迹型g‑C3N4/Fe3O4光催化剂具有特异性识别作用;本发明通过将g‑C3N4和Fe3O4复合,使磁性印迹型g‑C3N4/Fe3O4光催化剂具有磁性,方便后续回收;用于光催化降解抗生素时与现有技术相比在光照时间缩短的同时光催化性能得到了提升,而且本发明的g‑C3N4/Fe3O4磁性印迹光催化剂对低浓度的抗生素污染物也具有良好的降解效果。

    一种C/ZnO/BiOI三元复合光催化材料

    公开(公告)号:CN112844425A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110131209.1

    申请日:2021-01-30

    Abstract: 本发明公开了一种C/ZnO/BiOI三元复合光催化材料。该材料制备采用如下步骤:1)称取一定量的乙酸锌于30mL蒸馏水中,加入一定量的葡萄糖,搅拌10min,加入一定量的聚乙二醇,用特定浓度的NaOH调节pH,搅拌30min后进行水热反应。冷却后,用去离子水和乙醇洗涤,经离心、烘干后,在一定温度的马弗炉里煅烧一定时间,得到ZnO/C光催化材料。2)取一定量Bi(NO3)3·5H2O和KI于20ml乙醇中,剧烈搅拌下缓慢加入20ml蒸馏水,持续搅拌一定时间后减压过滤,使用蒸馏水洗涤沉淀并在特定温度下烘干,得到BiOI光催化材料。3)取一定量的C/ZnO、BiOI分别溶于20ml去离子水中,剧烈搅拌一定时间,将C/ZnO溶液滴加到BiOI中,超声一定时间,离心后在一定温度烘干,得到C/ZnO/BiOI光催化材料。本发明采用的合成方法流程简单,操作简便,无二次污染。合成的光催化材料具有形貌均一、性能优异等特点。本发明工作属于光催化材料领域。

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