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公开(公告)号:CN117491447B
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202311388040.3
申请日:2023-10-24
Applicant: 哈尔滨商业大学
Abstract: 本发明公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极,包括电极主体,其外表面包覆电催化材料,所述电催化材料为HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料。本发明还公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的制备方法,具有所述HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的电化学传感器和应用。本发明提供的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极在检测环丙沙星方面发挥了HKUST‑1、CoFe2O4和g‑C3N4之间的协同作用,表现出高电导率及优异的催化性能,对环丙沙星的检测具备高度灵敏度。
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公开(公告)号:CN117491447A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202311388040.3
申请日:2023-10-24
Applicant: 哈尔滨商业大学
Abstract: 本发明公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极,包括电极主体,其外表面包覆电催化材料,所述电催化材料为HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料。本发明还公开了HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的制备方法,具有所述HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极的电化学传感器和应用。本发明提供的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4修饰电极在检测环丙沙星方面发挥了HKUST‑1、CoFe2O4和g‑C3N4之间的协同作用,表现出高电导率及优异的催化性能,对环丙沙星的检测具备高度灵敏度。
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公开(公告)号:CN116429849A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202310455231.0
申请日:2023-04-25
Applicant: 哈尔滨商业大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/416 , G01N27/327
Abstract: 基于金纳米粒子/氮化碳印迹氨苄西林的电化学传感器的制备方法及应用,涉及高灵敏度检测氨苄西林技术领域。本发明的目的是为了解决现有的分子印迹电化学传感器的导电性和灵敏度差的问题。方法:将基于金纳米粒子/氮化碳印迹氨苄西林的电化学传感器作为工作电极,铂电极作为辅助电极,Ag/AgCl作为参比电极;将三电极体系置于浓度为1×10‑9~8.5×10‑7mol/L的多种氨苄西林标准溶液中,重新结合,检测电化学传感器重新结合模板分子氨苄西林后的电信号变化与氨苄西林浓度的关系,绘制工作曲线,检测待测样品溶液中的氨苄西林。本发明可获得基于金纳米粒子/氮化碳印迹氨苄西林的电化学传感器的制备方法及应用。
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公开(公告)号:CN116698937A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310762945.6
申请日:2023-06-27
Applicant: 哈尔滨商业大学
Abstract: 本公开涉及一种MnMoO4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和用途,包括以下步骤:S1使锰源、g‑C3N4和钼酸盐接触进行水热反应,得到MnMoO4/g‑C3N4纳米复合材料;S2使含有所述MnMoO4/g‑C3N4纳米复合材料的修饰液与玻碳电极接触,得到MnMoO4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极。本发明的方法通过制备壳核式MnMoO4/g‑C3N4复合纳米材料制备修饰电极,制备得到的修饰电极表现出优异的催化性能。
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公开(公告)号:CN115779948A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211499008.8
申请日:2022-11-28
Applicant: 哈尔滨商业大学
IPC: B01J27/24 , B01J23/745 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38 , C02F103/34
Abstract: 本发明公开了一种磁性印迹光催化材料及其制备方法和应用,通过水热法和高温煅烧法合成了磁性印迹型g‑C3N4/Fe3O4光催化剂,合成的复合光催化材料形貌完好,具有纳米级的尺寸,较大的比表面积能够提供更多的活性位点,具有更强的催化活性;同时引入分子印迹技术,印迹空腔分布均匀,使磁性印迹型g‑C3N4/Fe3O4光催化剂具有特异性识别作用;本发明通过将g‑C3N4和Fe3O4复合,使磁性印迹型g‑C3N4/Fe3O4光催化剂具有磁性,方便后续回收;用于光催化降解抗生素时与现有技术相比在光照时间缩短的同时光催化性能得到了提升,而且本发明的g‑C3N4/Fe3O4磁性印迹光催化剂对低浓度的抗生素污染物也具有良好的降解效果。
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