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公开(公告)号：CN117653441B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202311808221.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 太极计算机股份有限公司 , 重庆大学 , 重庆太极信息系统技术有限公司
Abstract: 本发明提出一种足外翻受力调节方法、调节系统、鞋垫、设备和介质，所述方法包括：获取用户足底多个位点的压力；其中，多个位点包括第一跖骨、第四跖骨、第五跖骨、足中内侧、足中外侧、足跟内侧和足跟外侧；根据多个位点的压力，计算足外翻角度；在足外翻角度大于设定角度阈值的情况下，根据足外翻角度，计算目标充气时长；根据目标充气时长，对设置在鞋垫中的至少一个气囊进行充气，以实现对用户足底多个位点压力的调节。由此，该方法通过压力检测评估足底异常受力状况，进一步通过控制气囊充放气矫正足底异常受力状态，从而实现足外翻个性化、智能化矫形，进而促进足外翻患者的康复。
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公开(公告)号：CN119745328A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411882190.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 太极计算机股份有限公司 , 重庆大学 , 重庆太极信息系统技术有限公司
Abstract: 本公开提出一种踝足矫形器对足底异常受力的矫正效果评估方法，该方法包括：获取目标用户多个足底位点的目标压力检测数据，其中，目标用户存在足底异常受力症状且已佩戴踝足矫形器；根据目标压力检测数据，生成与足底位点对应的目标压力变化曲线；根据目标压力变化曲线，提取足底压力曲线特征参数；根据足底压力曲线特征参数进行矫正效果评估，以得到评估结果。通过实施本公开的方法，能够基于用户佩戴踝足矫形器后足底的压力检测数据客观、准确地对踝足矫形器的矫正效果进行评估，从而为矫形器的优化提供可靠的参考信息。
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公开(公告)号：CN117653441A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311808221.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 太极计算机股份有限公司 , 重庆大学 , 重庆太极信息系统技术有限公司
Abstract: 本发明提出一种足内翻受力调节方法、调节系统、鞋垫、设备和介质，所述方法包括：获取用户足底多个位点的压力；其中，多个位点包括第一跖骨、第四跖骨、第五跖骨、足中内侧、足中外侧、足跟内侧和足跟外侧；根据多个位点的压力，计算足内翻角度；在足内翻角度大于设定角度阈值的情况下，根据足内翻角度，计算目标充气时长；根据目标充气时长，对设置在鞋垫中的至少一个气囊进行充气，以实现对用户足底多个位点压力的调节。由此，该方法通过压力检测评估足底异常受力状况，进一步通过控制气囊充放气矫正足底异常受力状态，从而实现足内翻个性化、智能化矫形，进而促进足内翻患者的康复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110966167B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201911351963.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明保护一种压电微泵，包括压电振子、磁性复合微阀和泵体，磁性复合微阀包括磁性复合膜片和支撑梁，所述磁性复合膜片由表层的高分子材料层、底层的柔性材料层以及中间层的磁性材料层复合而成，所述磁性复合微阀由支撑梁分别支承位于泵体的泵进口和泵出口上方；在所述泵进口和泵出口上设置磁性吸环，利用磁性吸环与磁性复合微阀的吸合力关闭进口和出口。本发明采用多层磁性复合微阀，能提高微泵气密性，防止反向泄漏，增大微泵的输出压力。
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公开(公告)号：CN110745772B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201911000389.9
申请日：2019-10-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种MEMS应力隔离封装结构及制造方法，包括MEMS芯片、应力隔离结构、封装管壳及引线。所述应力隔离结构包括MEMS芯片基座、平面波纹结构、连接结构和支撑框架结构；MEMS芯片基座位于应力隔离结构中心位置；平面波纹结构上下表面均具有连续的V形槽，分布在MEMS芯片基座边缘到连接结构之间，其正面的V形槽和背面的V形槽呈嵌套式分布，构成平面波纹形状。所述连接结构与支撑框架连接；所述支撑框架与管壳之间通过粘胶粘接；所述MEMS芯片粘接在MEMS芯片基座上，MEMS芯片焊盘通过引线实现与管针的电气连接。本发明的应力隔离结构通用性好，可以适合多种MEMS芯片的应力隔离封装，其平面波纹结构，对热应力的吸收效果好，并且加工工艺简单，易于实现批量制造。
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公开(公告)号：CN110542498A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910839863.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 重庆大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明保护一种MEMS应变式差分式压力传感器及制作方法，包括金属应变电阻、绝缘层、应变硅片、硅岛结构和支撑框架结构，在硅片背面中间位置形成硅岛结构，在四周形成支撑框架结构，硅岛结构和支撑框架结构之间形成应变硅膜。所述硅岛结构沿Y轴方向的长度是沿X轴方向长度的2倍以上。所述金属应变电阻布置在应变硅片正面，并沿Y轴对称布置在应变硅膜与支撑框架连接应力集中区域、应变硅膜与硅岛结构的连接应力集中区域。本发明采用岛-膜结构,形成对称的拉应力和压应力集中区域,解决现有应变式压力传感器难以形成对称差分测量布局的难题,抑制非线性误差和温度漂移，提高传感器的灵敏度和稳定性。
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公开(公告)号：CN110966167A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911351963.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明保护一种压电微泵，包括压电振子、磁性复合微阀和泵体，磁性复合微阀包括磁性复合膜片和支撑梁，所述磁性复合膜片由表层的高分子材料层、底层的柔性材料层以及中间层的磁性材料层复合而成，所述磁性复合微阀由支撑梁分别支承位于泵体的泵进口和泵出口上方；在所述泵进口和泵出口上设置磁性吸环，利用磁性吸环与磁性复合微阀的吸合力关闭进口和出口。本发明采用多层磁性复合微阀，能提高微泵气密性，防止反向泄漏，增大微泵的输出压力。
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公开(公告)号：CN110745772A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911000389.9
申请日：2019-10-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种MEMS应力隔离封装结构及制造方法，包括MEMS芯片、应力隔离结构、封装管壳及引线。所述应力隔离结构包括MEMS芯片基座、平面波纹结构、连接结构和支撑框架结构；MEMS芯片基座位于应力隔离结构中心位置；平面波纹结构上下表面均具有连续的V形槽，分布在MEMS芯片基座边缘到连接结构之间，其正面的V形槽和背面的V形槽呈嵌套式分布，构成平面波纹形状。所述连接结构与支撑框架连接；所述支撑框架与管壳之间通过粘胶粘接；所述MEMS芯片粘接在MEMS芯片基座上，MEMS芯片焊盘通过引线实现与管针的电气连接。本发明的应力隔离结构通用性好，可以适合多种MEMS芯片的应力隔离封装，其平面波纹结构，对热应力的吸收效果好，并且加工工艺简单，易于实现批量制造。
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