电气设备用负极活性物质和使用了其的电气设备

    公开(公告)号:CN108352513A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201580084375.3

    申请日:2015-11-10

    Abstract: 本发明提供一种能够提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的手段。将由含硅合金形成的负极活性物质用于电气设备,所述含硅合金具有Si-Sn-M(M为1种或2种以上的过渡金属元素)所示的三元体系的合金组成,且具有如下结构:微细组织具有以过渡金属的硅化物(silicide)作为主成分的第一相、以及一部分包含Sn且以非晶质或低结晶性的Si作为主成分的第二相,进而,一部分为多个独立的第一相且一部分为第一相与第二相形成的共晶组织。

    电气设备用负极活性物质、和使用其的电气设备

    公开(公告)号:CN109314233A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201680086832.7

    申请日:2016-06-16

    Abstract: 【课题】提供提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的方法。【解决方法】将如下的负极活性物质用于电气设备,即,所述负极活性物质包含具有化学式(1):SixSnyMzAlwAa(上述化学式(1)中,M为1种或2种以上的过渡金属元素,A为不可避免的杂质,x、y、z、w和a表示质量%的值,此时,y、z、w分别为2≤y≤10、25≤z≤35、0.3≤w≤3,x和a为余量。)所示的组成的含Si合金。

    电气设备用负极活性物质及使用其的电气设备

    公开(公告)号:CN108352517B

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201680065767.X

    申请日:2016-11-10

    Abstract: 本发明提供一种可提高锂离子二次电池等的电气设备的循环耐久性的方法。将由含硅合金构成的负极活性物质用于电气设备,该含硅合金具有以Si-Sn-M(M为1或2以上的过渡金属元素)表示的三元系或以Si-Sn-M-Al(M为1或2以上的过渡金属元素)表示的四元系的合金组成,且具有在硅的晶体结构的内部固溶锡而成的含有非晶质或低结晶性的硅的a-Si相分散在以过渡金属的硅化物为主要成分的硅化物相中而成的结构。

    电气设备用负极活性物质和使用了其的电气设备

    公开(公告)号:CN108352513B

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201580084375.3

    申请日:2015-11-10

    Abstract: [课题]本发明提供一种能够提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的手段。[解决手段]将由含硅合金形成的负极活性物质用于电气设备,所述含硅合金具有Si‑Sn‑M(M为1种或2种以上的过渡金属元素)所示的三元体系的合金组成,且具有如下结构:微细组织具有以过渡金属的硅化物(silicide)作为主成分的第一相、以及一部分包含Sn且以非晶质或低结晶性的Si作为主成分的第二相,进而,一部分为多个独立的第一相且一部分为第一相与第二相形成的共晶组织。

    电气设备用负极活性物质和使用其的电气设备

    公开(公告)号:CN109314232A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201680086815.3

    申请日:2016-06-16

    Abstract: 提供能够同时实现锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性和充放电效率的手段。将负极活性物质用于电气设备,所述负极活性物质的特征在于,其由含硅合金形成,所述含硅合金具有Si-Sn-Ti所示的三元体系的合金组成,且具有如下结构:锡固溶于硅的晶体结构的内部而成的包含非晶质或低结晶性硅的a-Si相被分散在包含TiSi2的硅化物相的母相中,将通过XAFS确认到的动态径向波函数中的原子间距为0.13nm的位置处确认到的Si-O键峰的峰强度设为S(1),将原子间距0.2nm的位置处确认到的Si-Si键峰的峰强度设为S(2)时,满足S(2)>S(1)的关系。

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