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公开(公告)号：CN101599527B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910145449.6
申请日：2009-06-01
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , C04B35/495
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。
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公开(公告)号：CN102823007A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065779.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L41/1873 , C23C14/088 , C30B23/02 , C30B29/30 , H03H9/02015 , H03H9/02094 , H03H9/02574 , H03H9/171
Abstract: 一种压电薄膜器件，其特征在于，其为在基板上至少配置有下部电极、用通式(NaxKyLiz)NbO3（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z=1）表示的压电薄膜、以及上部电极的压电薄膜层叠体，所述压电薄膜具有准立方晶、正方晶或正交晶的晶体结构，或者为这些所述晶体结构中的至少一种共存的状态，在它们的晶轴中2轴以下的某些特定轴优先取向，并且作为所述取向的晶轴的成分，在（001）成分和（111）成分的比率中，以这两者的总计为100%时，（001)成分的体积分数在60%以上且100%以下的范围内，（111）成分的体积分数在0%以上且40%以下的范围内。
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公开(公告)号：CN101950790A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010224767.4
申请日：2010-07-07
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/00 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。
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公开(公告)号：CN102157678A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110023507.5
申请日：2011-01-17
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H03H9/02031
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜元件以及压电薄膜设备，就所述压电薄膜元件而言，漏电流少且因驱动而导致的压电常数的恶化少。一种压电薄膜元件，其为在基板(1)上具有下部电极(2)、以组成式(K1-xNax)NbO3表示的碱铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)以及上部电极(4)的压电薄膜元件，就所述压电薄膜元件而言，由(K1-xNax)NbO3表示的所述压电薄膜(3)的组成比x为0.4≤x≤0.7的范围，由X射线衍射测定的(001)面的摇摆曲线的半值宽度为0.5°以上2.5°以下的范围。
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公开(公告)号：CN101931046A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010208804.2
申请日：2010-06-21
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3251 , H01L41/187 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219460A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310023655.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/047 , B41J2/14
CPC classification number: H01L41/18 , H01G5/18 , H01L41/0477 , H01L41/0805 , H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。
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公开(公告)号：CN102959751A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180029026.3
申请日：2011-03-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/495 , H01L41/09 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/6588 , C04B2235/761 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/316
Abstract: 在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。
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公开(公告)号：CN101924179A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010205611.1
申请日：2010-06-10
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/24
Abstract: 本发明提供压电特性和生产率优异的压电薄膜元件以及使用了其的压电薄膜设备。所述压电薄膜元件为在基板上设有由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的压电薄膜的压电薄膜元件，其特征在于，所述压电薄膜为，具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的任一种的晶体结构，或具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的至少二种共存的晶体结构，这些晶体结构为取向于(001)方向的(001)取向晶粒和取向于(111)方向的(111)取向晶粒共存的结构，且所述晶粒所具有的晶轴中的至少一个晶轴与所述基板表面的法线形成的角处于0°至10°的范围内。
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公开(公告)号：CN101599527A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910145449.6
申请日：2009-06-01
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , C04B35/495
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1－xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1－xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。
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公开(公告)号：CN101924179B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010205611.1
申请日：2010-06-10
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/18
Abstract: 本发明提供压电特性和生产率优异的压电薄膜元件以及使用了其的压电薄膜设备。所述压电薄膜元件为在基板上设有由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的压电薄膜的压电薄膜元件，其特征在于，所述压电薄膜为，具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的任一种的晶体结构，或具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的至少二种共存的晶体结构，这些晶体结构为取向于(001)方向的(001)取向晶粒和取向于(111)方向的(111)取向晶粒共存的结构，且所述晶粒所具有的晶轴中的至少一个晶轴与所述基板表面的法线形成的角处于0°至10°的范围内。
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