公开(公告)号：CN107342357A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201610281538.3

申请日：2016-04-28

申请人： 新科实业有限公司

发明人： 熊伟 ,  饭岛淳 ,  野口隆男

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/22

CPC分类号： H01L41/1876 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/083 ,  H01L41/27 ,  H01L41/297 ,  H01L41/316 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22

摘要： 本发明公开了一种外延生长薄膜压电元件的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上通过外延生长形成下电极层；在所述下电极层上通过外延生长形成c轴取向的第一压电层；在所述第一压电层上通过外延生长形成c轴取向且成分相结构不同于所述第一压电层的第二压电层；以及在所述第二压电层形成上电极层。其能获得出色的热稳定性，较低的温度系数以及较大的压电常数。

公开(公告)号：CN104810469B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201510035975.2

申请日：2015-01-23

申请人： TDK株式会社

发明人： 佐久间仁志 ,  前岛和彦

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18

CPC分类号： H01L41/0475 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14491 ,  B41J2202/11 ,  B41J2202/20 ,  G11B5/4873 ,  G11B21/24 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/332

摘要： 本发明的目的在于，通过使薄膜压电元件的平面形状、层构造为一定的状态下，在构成薄膜压电元件的压电薄膜的接地面具有凹凸的形状，进一步增大移位量。薄膜压电元件具备一对电极层和由上述一对电极层夹着的压电薄膜，压电薄膜和一对电极层的至少一者的界面的表面粗糙度P‑V为220nm以上500nm以下。

公开(公告)号：CN103873009B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201310692927.1

申请日：2013-12-17

申请人： 太阳诱电株式会社

发明人： 恩田阳介

IPC分类号： H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H01L41/18

CPC分类号： H03H9/173 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/174 ,  H03H9/175

摘要： 本发明涉及一种压电薄膜谐振器，所述压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，所述压电膜设置在所述基板上，并且包括第一膜和第二膜，所述第一膜由含有添加元素的氮化铝膜制成，所述第二膜设置在所述第一膜的上表面和下表面上，并由以低于第一膜的浓度含有所述添加元素的氮化铝膜制成；和下电极和上电极，所述上电极和下电极设置成夹持所述压电膜。

公开(公告)号：CN106062239A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011289.X

申请日：2015-03-03

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小林宏树 ,  逸见充则 ,  广瀬光隆 ,  塚越和也 ,  木村勋 ,  邹弘纲

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  H01L21/316 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

CPC分类号： H01L41/319 ,  C23C14/083 ,  C23C14/088 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

摘要： 本发明的多层膜的制造方法是在基板(2、31)形成导电层(3)，以覆盖所述导电层(3)的方式通过溅射法形成含有氧化物的种子层(4)，所述氧化物具有钙钛矿结构，以覆盖所述种子层(4)的方式形成介质层(5)。

公开(公告)号：CN106062238A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011354.9

申请日：2015-03-02

申请人： 株式会社村田制作所 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 梅田圭一 ,  秋山守人 ,  长濑智美 ,  西久保桂子 ,  本多淳史

IPC分类号： C23C14/06 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27 ,  H01L41/316 ,  H01L41/39 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

CPC分类号： H01L41/18 ,  C04B35/581 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/40 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/3464 ,  G10K9/125 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/081 ,  H01L41/0831 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/588 ,  H03H2003/023

摘要： 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。

公开(公告)号：CN103890987B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201380003348.X

申请日：2013-04-10

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 田中良明 ,  张替贵圣 ,  足立秀明 ,  藤井映志

IPC分类号： H01L41/187 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  C23C14/34 ,  C30B29/32 ,  G01C19/5628 ,  H01L41/047 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H02N2/18

CPC分类号： H01L41/1878 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/03 ,  C30B23/02 ,  C30B29/32 ,  G01C19/56 ,  G01C19/5621 ,  G01C19/5628 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1136 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H02N2/18 ,  Y10T428/12493

摘要： 本发明的目的在于提供具有高结晶取向性和高强介电特性的NBT‑BT非铅压电体膜。本发明的压电体膜具备仅具有（001）取向的(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层。(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层形成在NaxM1‑x层之上，M表示Pt、Ir或PtIr，Q表示Fe、Co、Zn0.5Ti0.5或Mg0.5Ti0.5，x表示0.002以上0.02以下的值，而且，α表示0.20以上0.50以下的值。

公开(公告)号：CN102420285B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201110231587.3

申请日：2011-08-11

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 直野崇幸

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/03 ,  C23C14/08 ,  C23C14/345 ,  C23C14/54 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

摘要： 本发明提供一种由钙钛矿氧化物构成的压电膜，该钙钛矿氧化物表示为：Pb1+δ(ZrxTiy)1-a(MgbN1-b)aOz，其中δ和z是在获得钙钛矿结构的范围之内值，并且δ＝0和z＝3是标准的，可以利用量为获得钙钛矿结构的范围中的另一A位置元素对Pb进行置换，b是处在0.090≤b≤0.25的范围内的值，并且在B位置处的Nb比满足0.13≤a×(1-b)。

公开(公告)号：CN105591023A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510770200.X

申请日：2015-11-12

申请人： TDK株式会社

发明人： 大石昌弘 ,  松谷淳生 ,  太田龙

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09

CPC分类号： C01G33/006 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/82 ,  C01P2006/40 ,  G01L9/08 ,  G01N21/65 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316 ,  H01L41/187 ,  H01L41/0986

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够进一步提高压电常数的铌酸钾钠压电体层。一种压电体层，其特征在于：在由通式ABO3所表示的钙钛矿型化合物的铌酸钾钠构成的压电体层上，一边在面内方向旋转上述压电体层一边进行的偏振拉曼测定(yx)所得到的拉曼光谱中上述钙钛矿型化合物的晶格振动区域的测定强度具有大致每90°的周期性，其中，该偏振拉曼测定(yx)是一边在面内方向旋转上述压电体层一边进行的，并且在上述压电体层的拉曼测定中，使拉曼散射光在与入射光垂直的方向上偏振来进行测定。

公开(公告)号：CN102299253B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110175725.0

申请日：2011-06-24

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 新川高见 ,  直野崇幸 ,  藤井隆满

IPC分类号： H01L41/18 ,  B41J2/045

CPC分类号： H01L41/1876 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/316

摘要： 本发明公开了压电膜、压电装置和液体喷出设备。该压电膜具有由多个圆柱晶体构成的圆柱晶体结构，并且包含由下列表达式(P)所表示的钙钛矿氧化物作为主要成分：PbaAb[(ZrcTi1-c)1-dBd]Oe (P)其中，Pb和A是A位置元素，并且A是从由以下元素所构成的组中选择的至少一种元素：Bi、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ca、Sr和Ba；Zr、Ti和B是B位置元素，并且B是从由以下元素所构成的组中选择的至少一种元素：Nb、Ta和Sb；a是铅的量，b是元素A的量，c是Zr/Ti比，d是元素B的量，e是氧的量；a、b和d的值满足a＜1、a+b≥1、以及0＜d＜b；并且e的值在获得钙钛矿结构的范围之内并且e＝3是标准的。

公开(公告)号：CN104641481A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048271.8

申请日：2013-08-30

申请人： TDK株式会社

发明人： 前岛和彦 ,  仓知克行 ,  佐久间仁志 ,  会田康弘 ,  田中美知

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316

CPC分类号： H01L41/04 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

摘要： 本发明所涉及的薄膜压电元件包括具有60nm以上且90nm以下的平均晶粒直径的铌酸钾钠基压电薄膜、以及配置成将该压电薄膜保持于其间的一对电极膜。