-
公开(公告)号：CN1697790A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000336.2
申请日：2004-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C04B35/495 , C01G39/02 , C01G41/02
CPC classification number: C04B35/495 , C01G39/006 , C01G41/006 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2006/32 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明涉及一种可适用于各种用途的低热膨胀材料，它基本上由组成式RM(QO4)3所示晶体构成，其中，R表示Zr和Hf中的至少一种，M表示Mg、Ca、Sr、Ba及Ra中的至少一种，Q表示W及Mo中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN102047351A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120379.7
申请日：2009-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01B13/00 , H01B1/06 , H01M8/02 , G01N27/406
CPC classification number: H01M8/04701 , G01N27/4074 , H01B1/122 , H01M8/04089 , H01M8/1016 , H01M8/12 , H01M2300/0068 , H01M2300/0094 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种在100℃以上的温度区域显示良好的质子传导性的质子传导结构体及其制造方法。通过将含有Sn、Zr、Ti或Si的焦磷酸盐和磷酸混合后，在80℃以上150℃以下的温度保持后，接着在200℃以上400℃以下的温度保持，制造质子传导结构体。本发明的质子传导结构体包括由焦磷酸锡构成的核和形成在该的核表面的被覆层，该被覆层含有Sn和O，且O相对于Sn的配位数大于6。
-
公开(公告)号：CN102047351B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200980120379.7
申请日：2009-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01B13/00 , H01B1/06 , H01M8/02 , G01N27/406
CPC classification number: H01M8/04701 , G01N27/4074 , H01B1/122 , H01M8/04089 , H01M8/1016 , H01M8/12 , H01M2300/0068 , H01M2300/0094 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种在100℃以上的温度区域显示良好的质子传导性的质子传导结构体及其制造方法。通过将含有Sn、Zr、Ti或Si的焦磷酸盐和磷酸混合后，在80℃以上150℃以下的温度保持后，接着在200℃以上400℃以下的温度保持，制造质子传导结构体。本发明的质子传导结构体包括由焦磷酸锡构成的核和形成在该的核表面的被覆层，该被覆层含有Sn和O，且O相对于Sn的配位数大于6。
-
公开(公告)号：CN1300052C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200480000336.2
申请日：2004-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C04B35/495 , C01G39/02 , C01G41/02
Abstract: 本发明涉及一种可适用于各种用途的低热膨胀材料，它基本上由组成式RM(QO4)3所示晶体构成，其中，R表示Zr和Hf中的至少一种，M表示Mg、Ca、Sr、Ba及Ra中的至少一种，Q表示W及Mo中的至少一种。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.022 seconds)
