公开(公告)号：CN108264338A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201710003892.4

申请日：2017-01-04

申请人： 齐鲁工业大学

发明人： 朱志文

IPC分类号： C04B35/185 ,  C04B35/81 ,  C04B38/00 ,  C04B38/06

CPC分类号： C04B35/185 ,  C04B35/803 ,  C04B38/067 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/96 ,  C04B38/0025 ,  C04B38/0058 ,  C04B38/0074

摘要： 本发明公开了一种由均匀莫来石晶须互锁形成的高孔隙率多孔陶瓷管及其制备方法。将铝源、硅源和晶须生长催化剂三种粉体均匀混合后，分散到有机溶液(PESF、PVP溶于NMP溶剂获得有机溶液)中，混合球磨均匀后置于模具中，进行挤出相转化成型，获得陶瓷管生坯。在1300-1500℃烧结生坯，晶须原位生长并形成互锁结构，从而获得高孔隙率莫来石晶须多孔陶瓷管，孔隙率>70％，断裂强度约>3MPa。本发明的莫来石晶须多孔陶瓷管可应用于绝热保温、消音降噪、催化剂载体以及气固分离等领域。

公开(公告)号：CN105801107A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610231857.3

申请日：2016-04-14

申请人： 江苏大学

发明人： 黄新友 ,  王琪琳 ,  黄豪 ,  李军 ,  高春华

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/77

摘要： 本发明涉及导电氧化物，特指一种高性能导电陶瓷材料及其制备方法。其配方为：其配方为：SnO291～98wt.％，Sb2O30.1～6.0wt.％，Bi2WO30.01～2wt.％,Bi(Fe1/2Mn1/2)O30.1～4wt.％，(Li1/2La1/2)TiO30.1～2.8wt.％。所制备的导电陶瓷材料导电性能好，电阻率小于5mΩ·cm；体积密度较高，为5.9g/cm3以上；烧结温度较低，烧结温度不大于1350℃；该导电陶瓷适合于制备玻璃电熔窑炉用高性能电极材料和利用磁控溅射制备导电薄膜的陶瓷靶材。

公开(公告)号：CN105777107A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610158348.2

申请日：2016-03-17

申请人： 江苏新浦电子科技有限公司

发明人： 谢逊 ,  孙景峰

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/77

摘要： 一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材，本发明属于电容式触摸屏用导电玻璃领域,尤其涉及一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用SnO2陶瓷靶材的配方组成，所述陶瓷靶材的配方组成为：SnO291～98wt.％，Sb2O30.1～6.0wt.％，Bi2WO30.01～2wt.％,LaMnO30.1～4wt.％，ZnO 0.01～1.8wt.％；其中:Bi2WO3、LaMnO3分别是采用常规的化学原料以固相法合成。所制备的陶瓷靶材导电性能好，电阻率小于等于20mΩ·cm；体积密度较高，为5.858g/cm3以上；烧结温度较低，烧结温度低于1380℃；可以降低陶瓷靶材的成本，具有价格低廉、性能稳定、无毒等特点，该陶瓷靶材适合于利用磁控溅射方法制备高性能导电玻璃用靶材。

公开(公告)号：CN102471090A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030550.8

申请日：2010-06-30

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： M·A·马马克 ,  U·里曼 ,  U·L·施塔德勒 ,  R·S·克尼施卡

IPC分类号： C01G41/00 ,  C08K3/22 ,  C09D11/00 ,  C09J11/04 ,  C03C4/08

CPC分类号： C01G41/006 ,  B82Y30/00 ,  C01G41/02 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/62 ,  C01P2006/65 ,  C01P2006/66 ,  C03C17/007 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6268 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/767 ,  C08K3/10 ,  C08K3/22 ,  C08K2003/2258 ,  C09C1/00 ,  C09D5/32 ,  C09D11/037 ,  C09J11/04

摘要： 公开了具有式KxCsyWOz的钾铯钨青铜固溶体颗粒，其中x+y≤1和2≤z≤3。该颗粒例如为微米或纳米尺度的颗粒。还公开了包含有机或无机基材和掺入其中的本发明钾铯钨青铜固溶体颗粒的有机或无机组合物。该基材例如为塑料、涂料、油墨、粘合剂、陶瓷或玻璃。还公开了一种制备本发明钾铯钨青铜固溶体颗粒的方法，该方法包括使合适的钨源与钾盐和铯盐混合并形成粉末混合物并使该粉末混合物在还原氛围下暴露于等离子体炬。本发明钨青铜颗粒为合适的NIR吸收剂和热屏蔽添加剂。

公开(公告)号：CN101341558B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200780000848.2

申请日：2007-05-31

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 谷晋辅 ,  川本光俊

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/46 ,  H01C7/10

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01C7/115 ,  H01C7/18 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435

摘要： 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1754858A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510105159.0

申请日：2005-09-28

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 七泷努 ,  山口浩文 ,  柏屋俊克

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  H01L41/16 ,  H03H9/17 ,  B41J2/045

CPC分类号： C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3294 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1873

摘要： 提供能够制造虽然不含铅(Pb)，但显示优良的压电/电致伸缩特性的压电/电致伸缩体和压电/电致伸缩部的压电/电致伸缩陶瓷组合物。该压电/电致伸缩陶瓷组合物是以通式(1)((1－n)(Ag1－a－b－cLiaNabKc)(Nb1－x－y－zTaxSbyVz)O3+nM1M2O3(式中，0≤a≤0.2，0≤b≤0.95，0≤c≤0.95，0＜(1－a－b－c)≤1，0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0≤z≤0.2，0≤(y+z)≤0.3，0≤n≤0.2))表示的二元系固溶体作为主成分，在该通式(1)中，M1和M2是满足规定条件的金属元素的组合。

公开(公告)号：CN1468658A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03137170.1

申请日：2003-06-06

申请人： 株式会社电装

发明人： 长谷川顺 ,  长谷智实 ,  小池和彦 ,  伊藤三甫

IPC分类号： B01J32/00 ,  B01D53/94

CPC分类号： C04B35/195 ,  B01D53/94 ,  B01J23/6527 ,  B01J35/006 ,  B01J35/04 ,  B01J35/06 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/327 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/5418 ,  F01N3/2825 ,  F01N2330/06 ,  F01N2370/02 ,  F01N2570/16 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/249956 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/257 ,  Y10T428/258 ,  Y10T428/259 ,  Y10T428/26

摘要： 本发明的目的是提供可以负载需要量的催化剂成分的陶瓷体，而并不降低诸如强度之类的特征，并且在制备过程中没有形成涂层，从而提供了实用性和耐用性良好的高性能陶瓷催化剂。根据本发明，将贵金属催化剂直接负载到陶瓷体的表面上，并且将第二种成分(它由电子轨道内具有d或f轨道的元素，诸如W、Co、Ti、Fe、Ga和Nb的化合物和复合化合物组成)分散在由堇青石等(陶瓷基质)构成的第一种成分内。通过共享第二种成分的d或f轨道而产生的键合强度，或者通过与在第一种成分和第二种成分之间的界面内产生的悬空键之间的相互作用，可以直接负载贵金属催化剂。

公开(公告)号：CN103347836B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280007485.6

申请日：2012-01-19

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 中山德行

IPC分类号： C23C14/24

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/032 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/308

摘要： 本发明提供一种离子镀用片体、以及用于获得该离子镀用片体的氧化物烧结体，该离子镀用片体可对适于太阳能电池的透明导电膜进行高速成膜，且可以在不引起裂纹、破裂或者喷溅的状态下继续成膜。本发明提供一种氧化物烧结体等，其含有氧化铟作为主要成分，并含有钨作为添加元素，钨的含量以W/(In＋W)的原子数比计为0.001～0.15，其特征在于，该氧化物烧结体主要由下述晶粒构成：由没有固溶钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(A)、以及由固溶有钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(B)，且该氧化物烧结体的密度为3.4～5.5g/cm3。

公开(公告)号：CN103347836A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007485.6

申请日：2012-01-19

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 中山德行

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/24

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/032 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/308

摘要： 本发明提供一种离子镀用片体、以及用于获得该离子镀用片体的氧化物烧结体，该离子镀用片体可对适于太阳能电池的透明导电膜进行高速成膜，且可以在不引起裂纹、破裂或者喷溅的状态下继续成膜。本发明提供一种氧化物烧结体等，其含有氧化铟作为主要成分，并含有钨作为添加元素，钨的含量以W/(In＋W)的原子数比计为0.001～0.15，其特征在于，该氧化物烧结体主要由下述晶粒构成：由没有固溶钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(A)、以及由固溶有钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(B)，且该氧化物烧结体的密度为3.4～5.5g/cm3。

公开(公告)号：CN101189198A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019090.2

申请日：2006-05-10

申请人： 里弗雷克特里知识产权两合公司

发明人： R·特雷默

IPC分类号： C04B35/043 ,  C04B35/047 ,  C04B35/12 ,  C04B35/482

CPC分类号： C04B35/03 ,  C04B35/043 ,  C04B35/047 ,  C04B35/05 ,  C04B35/12 ,  C04B35/443 ,  C04B35/482 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/9669

摘要： 本发明涉及一种耐火陶瓷制品，其包括a)≥93质量％的至少一种耐火基础组分，和b)≤7质量％的选自下列的至少一种腐蚀抑制组分：b1)过渡金属，b2)过渡金属彼此的化合物，b3)过渡金属的非氧化化合物，b4)过渡金属的氧化化合物，b5)过渡金属与Ca、Ba、Sr的化合物。