公开(公告)号：CN101689628B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880015758.5

申请日：2008-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 武泽秀治 ,  今宿昇一 ,  长田薰 ,  大塚隆

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/70 ,  H01G9/016 ,  H01G9/058

CPC classification number: H01G9/058 ,  H01G9/016 ,  H01G11/26 ,  H01G11/28 ,  H01G11/50 ,  H01G11/70 ,  H01G11/86 ,  H01M4/134 ,  H01M4/48 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明涉及一种可逆地嵌入和脱嵌锂离子的电化学元件用电极，其所具有的构成是：具有至少在单面形成有高度高的第1凸部和低的第2凸部的集电体、以及含有在集电体的第1凸部和第2凸部上斜立而形成的活性物质的柱状体。

公开(公告)号：CN100553016C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200580019012.8

申请日：2005-08-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田澄人 ,  芳泽浩司 ,  古结康隆 ,  松田博明 ,  浅利琢磨 ,  大塚隆

IPC: H01M4/58 ,  H01M10/40 ,  C01B31/02 ,  H01G9/00 ,  B01J23/74

CPC classification number: D01F9/127 ,  B01J21/08 ,  B01J21/185 ,  B01J23/38 ,  B01J23/70 ,  B01J23/74 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J23/78 ,  B01J23/8892 ,  B01J35/0013 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  D01F9/1271 ,  D01F9/1272 ,  D01F9/1273 ,  H01G9/058 ,  H01G9/155 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01M4/131 ,  H01M4/139 ,  H01M4/366 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明涉及一种电极用复合粒子，其包括活性物质粒子、键合在活性物质粒子表面的碳纳米纤维、以及促进碳纳米纤维生长的催化剂元素，其中活性物质粒子包含电化学活性相。催化剂元素例如可以使用Au、Ag、Pt、Ru、Ir、Cu、Fe、Co、Ni、Mo以及Mn等。电极用复合粒子例如可以采用下述方法制造，该方法包括：调配活性物质粒子的工序，该活性物质粒子至少在表层部，具有促进碳纳米纤维生长的催化剂元素；以及在含有原料气体的气氛中，使碳纳米纤维在活性物质粒子的表面生长的工序。

公开(公告)号：CN101101789A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710139132.2

申请日：2003-07-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  大塚隆

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 铁电元件，具有：铁电电容器、与所述铁电电容器串联连接的开关元件、输入端子和接地端子，开关元件由N型场效应型晶体管、和P型场效应晶体管构成，N型和P型场效应晶体管的源极均与输入端子连接，N型和P型场效应晶体管的漏极均与铁电电容器的一端连接，N型和P型场效应晶体管的栅极、以及铁电电容器的另一端与接地端子连接，在输入端子上施加电压时，如果在铁电电容器上施加铁电电容器具有的铁电体的矫顽电压以上的电压时，则开关元件作为电阻工作，在输入端子上施加电压时，如果在铁电电容器上施加比矫顽电压小的电压时，开关元件作为电容器工作。

公开(公告)号：CN1742431A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200380107784.8

申请日：2003-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  大塚隆 ,  森本廉

IPC: H03K3/356

CPC classification number: G11C11/22 ,  H03K17/693

Abstract: 本发明的非易失性闩锁电路(10)具有：具有第一电极(1a)、第二电极(1b)、和介于这些电极间的强电介质膜(1c)的强电介质电容器(1)；与第一电极(1a)连接的复位端子(Tre)；与强电介质电容器(1)的第二电极(1b)连接的CMOS反相器元件(2)；将电压施加在第二电极(1b)的电压切换用端子(Tpl)；连接于第二电极(1b)和第二输入端子(Tpl)间，切换施加在第二电极(1b)的电压的开关元件(5)、和将切换接通和断开用的电压施加在开关元件(5)的设定端子(Tse)。强电介质膜(1c)上残留的极化在第二电极(1b)产生的电压比CMOS反相器元件(2)的NMISFET(4)的门限值电压(Vtn)高。

公开(公告)号：CN102047351A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120379.7

申请日：2009-11-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钱谷勇磁 ,  大塚隆 ,  铃木友子 ,  小森知行

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/06 ,  H01M8/02 ,  G01N27/406

CPC classification number: H01M8/04701 ,  G01N27/4074 ,  H01B1/122 ,  H01M8/04089 ,  H01M8/1016 ,  H01M8/12 ,  H01M2300/0068 ,  H01M2300/0094 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提供一种在100℃以上的温度区域显示良好的质子传导性的质子传导结构体及其制造方法。通过将含有Sn、Zr、Ti或Si的焦磷酸盐和磷酸混合后，在80℃以上150℃以下的温度保持后，接着在200℃以上400℃以下的温度保持，制造质子传导结构体。本发明的质子传导结构体包括由焦磷酸锡构成的核和形成在该的核表面的被覆层，该被覆层含有Sn和O，且O相对于Sn的配位数大于6。

公开(公告)号：CN100365815C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200480000648.3

申请日：2004-05-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田清之 ,  山田升 ,  宫本明人 ,  大塚隆 ,  田中英行

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C14/009 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/24 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145

Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。

公开(公告)号：CN1322672C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200380107784.8

申请日：2003-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  大塚隆 ,  森本廉

IPC: H03K3/356

CPC classification number: G11C11/22 ,  H03K17/693

Abstract: 本发明的非易失性闩锁电路(10)具有：具有第一电极(1a)、第二电极(1b)、和介于这些电极间的强电介质膜(1c)的强电介质电容器(1)；与第一电极(1a)连接的复位端子(Tre)；与强电介质电容器(1)的第二电极(1b)连接的CMOS反相器元件(2)；将电压施加在第二电极(1b)的电压切换用端子(Tp1)；连接于第二电极(1b)和第二输入端子(Tp1)间，切换施加在第二电极(1b)的电压的开关元件(5)、和将切换接通和断开用的电压施加在开关元件(5)的设定端子(Tse)。强电介质膜(1c)上残留的极化在第二电极(1b)产生的电压比CMOS反相器元件(2)的NMISFET(4)的门限值电压(Vtn)高。

公开(公告)号：CN1148786C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN00100676.2

申请日：2000-01-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田清之 ,  大塚隆 ,  上田路人

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L29/513 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4485 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 将硅衬底11置入容器17内。向容器17内供入金属有机络合物和超临界状态的二氧化碳，在白金薄膜13上形成BST薄膜14，与此同时，除去形成BST薄膜14时所生成的含碳化合物。利用含碳化合物在超临界状态的二氧化碳中的熔解度很高，超临界状态的二氧化碳的粘度很低这一特性，可有效地除去BST薄膜14中的含碳化合物。利用超临界状态或亚临界状态的水等进行低温下的氧化、氮化等处理，还可以形成氧化膜、氮化膜等。

公开(公告)号：CN1389922A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02121828.5

申请日：2002-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田路人 ,  丰田健治 ,  森田清之 ,  大塚隆

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/772 ,  G06F15/18 ,  H03K19/08 ,  H03K19/185

CPC classification number: G11C27/005 ,  G11C11/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供作为神经元元件、电位发生装置、逻辑变换电路而发挥作用的半导体装置。在电位发生装置中,N型MIS晶体管(54)的源极和P型MIS晶体管(56)的源极彼此相连,并且,与输出端子(55)连接。N型MIS晶体管(54)的漏极和提供电源电压VDD的电源电压提供部(53)相连,P型MIS晶体管(56)的漏极和提供接地电压VSS的接地(57)相连。并且,N型MIS晶体管(54)的衬底电位是接地电压VSS,P型MIS晶体管(56)的衬底电位是电源电压VDD。这样,构成了从源极取出输出的源极跟随器电路。利用该电位发生装置,能得到稳定地进行NOR动作和NAND动作的切换的逻辑变换电路。

公开(公告)号：CN101689630A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880019979.X

申请日：2008-05-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长田薰 ,  大塚隆

IPC: H01M4/04

CPC classification number: C23C16/40 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/139 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/052

Abstract: 一种非水电解质二次电池用电极的制造方法，包含：产生热等离子体的工序a；向热等离子体中供给活性物质原料的工序b；将热等离子体中生成的粒子堆积在集流体表面、得到活性物质层的工序c。