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公开(公告)号：CN112225171B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010580125.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜的制造方法，在薄膜上形成图案时，能够防止应用的掩模部件在干蚀刻时的掩模的磨损或缺损，并且能够以高精度形成具有微细结构的细孔的薄膜。本发明的薄膜的制造方法是具有细孔的薄膜的制造方法，其特征在于，在基板上形成薄膜之后，在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有耐性的第二掩模，通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113167928B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201980082853.5
申请日：2019-11-27
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供具有低的光反射率、亲水性和光催化性，耐盐水性或耐伤性等特性也优异的电介质多层膜、其制造方法和使用其的光学构件。本发明的电介质多层膜是在基板上由多个层构成的电介质多层膜，其特征在于，所述多个层具有至少1层低折射率层和至少1层高折射率层，最远离所述基板的最上层为所述低折射率层，在所述最上层的基板侧配置的所述高折射率层为含有具有光催化功能的金属氧化物的功能层，所述最上层为含有具有亲水功能的金属氧化物的亲水性层，并且具有使所述功能层的表面部分地露出的细孔，所述细孔的宽度的平均值为5nm以上。
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公开(公告)号：CN113167928A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980082853.5
申请日：2019-11-27
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供具有低的光反射率、亲水性和光催化性，耐盐水性或耐伤性等特性也优异的电介质多层膜、其制造方法和使用其的光学构件。本发明的电介质多层膜是在基板上由多个层构成的电介质多层膜，其特征在于，所述多个层具有至少1层低折射率层和至少1层高折射率层，最远离所述基板的最上层为所述低折射率层，在所述最上层的基板侧配置的所述高折射率层为含有具有光催化功能的金属氧化物的功能层，所述最上层为含有具有亲水功能的金属氧化物的亲水性层，并且具有使所述功能层的表面部分地露出的细孔，所述细孔的宽度的平均值为5nm以上。
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公开(公告)号：CN113196111A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083534.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供表面的耐盐水性和耐伤性优异并且在高温高湿环境下能够长期地维持低的水接触角的电介质膜、其制造方法和使用其的光学构件。本发明的电介质膜是在透明基板上具备的电介质膜，其特征在于，所述电介质膜具有至少1层低折射率层，所述电介质膜的最上层是含有SiO2、膜密度为92％以上的层，并且该最上层含有电负性比Si小的元素。
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公开(公告)号：CN112239843A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010685323.4
申请日：2020-07-16
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种蚀刻速率优异，并能够提高生产率的精细结构体的制造方法以及精细结构体的制造装置。本发明的精细结构体的制造方法是通过进行蚀刻的精细结构体的制造方法，其特征在于，使用IAD(离子辅助沉积)装置(1)，将反应性气体导入该IAD装置(1)的腔室(2)内的等离子体源(7)并进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN112225171A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010580125.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜的制造方法，在薄膜上形成图案时，能够防止应用的掩模部件在干蚀刻时的掩模的磨损或缺损，并且能够以高精度形成具有微细结构的细孔的薄膜。本发明的薄膜的制造方法是具有细孔的薄膜的制造方法，其特征在于，在基板上形成薄膜之后，在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有耐性的第二掩模，通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。
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