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公开(公告)号：CN113167928B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201980082853.5
申请日：2019-11-27
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供具有低的光反射率、亲水性和光催化性，耐盐水性或耐伤性等特性也优异的电介质多层膜、其制造方法和使用其的光学构件。本发明的电介质多层膜是在基板上由多个层构成的电介质多层膜，其特征在于，所述多个层具有至少1层低折射率层和至少1层高折射率层，最远离所述基板的最上层为所述低折射率层，在所述最上层的基板侧配置的所述高折射率层为含有具有光催化功能的金属氧化物的功能层，所述最上层为含有具有亲水功能的金属氧化物的亲水性层，并且具有使所述功能层的表面部分地露出的细孔，所述细孔的宽度的平均值为5nm以上。
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公开(公告)号：CN118183613A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311679992.0
申请日：2023-12-08
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 多田一成
Abstract: 本发明提供能以少量的掩模形成次数形成耐摩擦性强、高耐久且超疏水性的微细凹凸结构、并能谋求削减成本的功能性膜的制造方法和功能性膜。另外，提供即使在基材的折射率高的情况下也能以低反射兼顾耐摩擦性和超疏水性的功能性膜的制造方法等。本发明的功能性膜的制造方法是含有无机物且表面具有微细凹凸结构的功能性膜的制造方法，具备一次掩模形成工序和蚀刻工序，在膜厚方向的垂直截面形状中，将构成微细凹凸结构的多个凸部形成为一级或多级台阶状，并且将无机物的莫氏硬度设为X并将上述凸部的台阶数设为整数Y时，满足下述式(I)，并且使从最下级的上述凸部的最底面到最上级的上述凸部的最表面为止的平均高度为1μm以下。式(I)：10≤X×Y。
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公开(公告)号：CN112225171B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010580125.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜的制造方法，在薄膜上形成图案时，能够防止应用的掩模部件在干蚀刻时的掩模的磨损或缺损，并且能够以高精度形成具有微细结构的细孔的薄膜。本发明的薄膜的制造方法是具有细孔的薄膜的制造方法，其特征在于，在基板上形成薄膜之后，在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有耐性的第二掩模，通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。
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公开(公告)号：CN108701754B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201780012091.2
申请日：2017-02-15
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: H01L41/332 , H01L41/09 , H01L41/23 , H01L41/338 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供能够形成宽度小且宽高比大的柱状微细结构体的压电元件的制造方法。所述制造方法是具备立体结构群(20)的压电元件(102)的制造方法，所述立体结构群(20)具有多个立体结构(21，321)而成，所述立体结构(21，321)形成为宽度30μm以下且高度80μm以上的板状或柱状。该制造方法具备：第1工序，将板状或柱状的多个前体形状(82a)加工于由Pb系压电材料形成的块状材料(81)；以及第2工序，使用蚀刻液使前体形状(82a)的宽度减少至规定量。
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公开(公告)号：CN116657086A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310165334.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 多田一成
IPC: C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/22 , C23C14/32 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/26 , C23C14/14 , C23C14/10
Abstract: 本发明的问题在于：提供一种即使在基材中不包含亲水性成分的情况下，其特性也不会发生劣化的功能性膜和功能性膜的制造方法。本发明的功能性膜为设置在基材上并且具有亲水性或防雾性的功能性膜，其中，所述功能性膜具备含有氟元素的含氟层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112239843A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010685323.4
申请日：2020-07-16
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种蚀刻速率优异，并能够提高生产率的精细结构体的制造方法以及精细结构体的制造装置。本发明的精细结构体的制造方法是通过进行蚀刻的精细结构体的制造方法，其特征在于，使用IAD(离子辅助沉积)装置(1)，将反应性气体导入该IAD装置(1)的腔室(2)内的等离子体源(7)并进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN112225171A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010580125.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜的制造方法，在薄膜上形成图案时，能够防止应用的掩模部件在干蚀刻时的掩模的磨损或缺损，并且能够以高精度形成具有微细结构的细孔的薄膜。本发明的薄膜的制造方法是具有细孔的薄膜的制造方法，其特征在于，在基板上形成薄膜之后，在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有耐性的第二掩模，通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。
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公开(公告)号：CN108701754A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012091.2
申请日：2017-02-15
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: H01L41/332 , H01L41/09 , H01L41/23 , H01L41/338 , H04R31/00
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/23 , H01L41/332 , H01L41/338 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供能够形成宽度小且宽高比大的柱状微细结构体的压电元件的制造方法。所述制造方法是具备立体结构群(20)的压电元件(102)的制造方法，所述立体结构群(20)具有多个立体结构(21，321)而成，所述立体结构(21，321)形成为宽度30μm以下且高度80μm以上的板状或柱状。该制造方法具备：第1工序，将板状或柱状的多个前体形状(82a)加工于由Pb系压电材料形成的块状材料(81)；以及第2工序，使用蚀刻液使前体形状(82a)的宽度减少至规定量。
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公开(公告)号：CN116981964A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280015989.6
申请日：2022-02-03
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 多田一成
IPC: G02B1/18
Abstract: 本发明涉及功能性膜、功能性膜的制造方法、具备上述功能性膜的、光学器件、喷墨头及模具。本发明的功能性膜(100)是含有无机物作为主成分、在表面具有微细凹凸结构(20B)的功能性膜(100)，在膜厚方向上的垂直截面形状中，构成上述微细凹凸结构(20B)的多个凸部(21)、(22)形成为一段或多段的阶梯状，且在将上述无机物的莫氏硬度设为X、将上述凸部(21)、(22)的阶梯的数设为整数Y时，满足下述式(I)，且从最下段的上述凸部(21)的最底面(21b)到最上段的上述凸部(22)的最表面(22a)的平均高度为1μm以下。式(I)：10≤X×Y。
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公开(公告)号：CN113196111A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083534.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供表面的耐盐水性和耐伤性优异并且在高温高湿环境下能够长期地维持低的水接触角的电介质膜、其制造方法和使用其的光学构件。本发明的电介质膜是在透明基板上具备的电介质膜，其特征在于，所述电介质膜具有至少1层低折射率层，所述电介质膜的最上层是含有SiO2、膜密度为92％以上的层，并且该最上层含有电负性比Si小的元素。
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