公开(公告)号：CN103650056A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280025421.9

申请日：2012-05-22

申请人： 桑迪士克科技股份有限公司

发明人： 赫里特·扬·海明克 ,  李沈忠 ,  阿努哈弗·汉戴瓦 ,  亨利·钦 ,  梁贵荣 ,  达纳·李

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/3427 ,  G11C16/10

摘要： 在非易失性存储系统中，用于未被选NAND串的一个或多个衬底沟道区在编程期间被升压以禁止程序干扰。施加给与至少第一沟道区关联的一个或多个未被选字线的电压在编程脉冲时间段期间增加，其中，在该编程脉冲时间段中编程脉冲被施加给被选字线。增加可以是以斜坡或步进形式逐渐的。可保持第一沟道区的升压电平。施加给一个或多个未被选字线的电压的增加也可随温度变化。在编程脉冲时间段之前，对于第二相邻沟道区可能以比第一沟道区更快的速率来斜升施加给一个或多个未被选字线的电压，以助于隔离沟道区。