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公开(公告)号：CN102484052A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080033519.X
申请日：2010-07-21
申请人： 桑迪士克科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/76224 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11536 , H01L27/11546 , H01L27/11573 , H01L29/788 , Y10S438/962 , Y10S977/774 , Y10S977/936
摘要： 将基于纳米结构的电荷存储区域(CSR1-CSR5)包括在非易失性存储器设备中，并且与选择栅极(SG1)和外围电路(PG1、PG2)的制作集成在一起。在存储器阵列区和外围电路区的衬底上，应用一个或多个纳米结构涂层。提供用于从衬底的非期望区(例如用于选择栅极和外围晶体管的目标区)除去纳米结构涂层的各种方法。在一个示例中，使用基于自组装的过程形成一个或多个纳米结构涂层，以在衬底的有源区上有选择地形成纳米结构。自组装允许形成彼此电绝缘的离散的纳米结构线，而不需要对纳米结构涂层进行图案化或蚀刻。
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公开(公告)号：CN102484052B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080033519.X
申请日：2010-07-21
申请人： 桑迪士克科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/76224 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11536 , H01L27/11546 , H01L27/11573 , H01L29/788 , Y10S438/962 , Y10S977/774 , Y10S977/936
摘要： 将基于纳米结构的电荷存储区域(CSR1-CSR5)包括在非易失性存储器设备中，并且与选择栅极(SG1)和外围电路(PG1、PG2)的制作集成在一起。在存储器阵列区和外围电路区的衬底上，应用一个或多个纳米结构涂层。提供用于从衬底的非期望区(例如用于选择栅极和外围晶体管的目标区)除去纳米结构涂层的各种方法。在一个示例中，使用基于自组装的过程形成一个或多个纳米结构涂层，以在衬底的有源区上有选择地形成纳米结构。自组装允许形成彼此电绝缘的离散的纳米结构线，而不需要对纳米结构涂层进行图案化或蚀刻。
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公开(公告)号：CN103650056A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280025421.9
申请日：2012-05-22
申请人： 桑迪士克科技股份有限公司
CPC分类号： G11C16/3427 , G11C16/10
摘要： 在非易失性存储系统中，用于未被选NAND串的一个或多个衬底沟道区在编程期间被升压以禁止程序干扰。施加给与至少第一沟道区关联的一个或多个未被选字线的电压在编程脉冲时间段期间增加，其中，在该编程脉冲时间段中编程脉冲被施加给被选字线。增加可以是以斜坡或步进形式逐渐的。可保持第一沟道区的升压电平。施加给一个或多个未被选字线的电压的增加也可随温度变化。在编程脉冲时间段之前，对于第二相邻沟道区可能以比第一沟道区更快的速率来斜升施加给一个或多个未被选字线的电压，以助于隔离沟道区。
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公开(公告)号：CN102084463B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980126320.9
申请日：2009-07-02
申请人： 桑迪士克科技股份有限公司
发明人： 达纳·李 , 亨利·钦 , 詹姆斯·卡伊 , 塔卡西·W·奥里莫托 , 维诺德·R·普拉亚思 , 乔治·马塔米斯
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/265
CPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324
摘要： 本发明公开了一种包括一组非易失性存储元件的存储器系统。特定的存储器单元在浮置栅极之上设置有电介质盖。在一个实施例中，该电介质盖位于浮置栅极和共形IPD层之间。该电介质盖降低了浮置栅极和控制栅极之间的漏电流。该电介质盖通过减弱浮置栅极顶部的电场强度将漏电流降低，且对于具备细干的浮置栅极，在不设置电介质盖的情况下，浮置栅极顶部的电场强度最强。
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