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公开(公告)号：CN116722057A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210590281.5
申请日：2022-05-26
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/048
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件，太阳能电池的制备方法包括：在基底第一表面形成第一薄膜层，第一薄膜层中含有P型掺杂源，还包括：硼元素、氧元素、硅元素、氯元素、氮元素以及碳元素中的至少一种；将预设区域的第一薄膜层中的P型掺杂源扩散至基底内，形成第一发射极；采用氧化工艺在基底的第一表面形成第二薄膜层，第二薄膜层的厚度大于第一薄膜层的厚度，以在预设区域以外的基底内形成第二发射极，第二发射极顶面的掺杂浓度小于或等于第一发射极顶面的掺杂浓度，第二发射极的结深小于或等于第一发射极的结深。本申请实施例有利于提高形成的太阳能电池的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN115172479B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210923575.5
申请日：2022-08-02
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/06 , H01L31/05 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，制备方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行制绒处理；在所述制绒后的半导体衬底的正面形成预处理膜层，所述预处理膜层中含有掺杂元素；在所述预处理膜层表面进行第一热处理使得对应于金属化区域的半导体衬底内形成重掺杂区以及在所述预处理膜层表面进行第二热处理使得对应于非金属化区域的半导体衬底内形成轻掺杂区，所述第一热处理温度高于第二热处理温度；在半导体衬底的背面形成隧穿层以及掺杂导电层；在半导体衬底的正面以及背面分别形成正面减反射层和背面减反射层，其中，所述正面减反射层位于预处理膜层之上；以及在半导体衬底的正面以及背面分别形成正面电极和背面电极。
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公开(公告)号：CN116722054A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210656583.8
申请日：2022-06-10
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：位于N型基底第一表面的P型发射极，P型发射极包括第一部分和第二部分，第一部分的顶面包括：第一金字塔结构，第一金字塔结构的至少部分棱线处具有过渡面，且过渡面相对于第一金字塔结构的中心凹陷或突出，至少部分第一金字塔结构的顶面包括球体或者类球体；第二部分顶面包括第二金字塔结构，第二金字塔结构的棱线呈直线型；第一部分的方阻为10ohm/sq～500ohm/sq，第一部分的顶面掺杂浓度为1E17atom/cm3～8E19atom/cm3，第二部分的方阻为100ohm/sq～1000ohm/sq，第二部分的顶面掺杂浓度为1E16atom/cm3～5E19atom/cm3；位于N型基底的第二表面的隧穿层和掺杂导电层。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN116722054B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210656583.8
申请日：2022-06-10
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：位于N型基底第一表面的P型发射极，P型发射极包括第一部分和第二部分，第一部分的顶面包括：第一金字塔结构，第一金字塔结构的至少部分棱线处具有过渡面，且过渡面相对于第一金字塔结构的中心凹陷或突出，至少部分第一金字塔结构的顶面包括球体或者类球体；第二部分顶面包括第二金字塔结构，第二金字塔结构的棱线呈直线型；第一部分的方阻为10ohm/sq～500ohm/sq，第一部分的顶面掺杂浓度为1E17atom/cm3～8E19atom/cm3，第二部分的方阻为100ohm/sq～1000ohm/sq，第二部分的顶面掺杂浓度为1E16atom/cm3～5E19atom/cm3；位于N型基底的第二表面的隧穿层和掺杂导电层。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN115172479A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210923575.5
申请日：2022-08-02
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/06 , H01L31/05 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，制备方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行制绒处理；在所述制绒后的半导体衬底的正面形成预处理膜层，所述预处理膜层中含有掺杂元素；在所述预处理膜层表面进行第一热处理使得对应于金属化区域的半导体衬底内形成重掺杂区以及在所述预处理膜层表面进行第二热处理使得对应于非金属化区域的半导体衬底内形成轻掺杂区，所述第一热处理温度高于第二热处理温度；在半导体衬底的背面形成隧穿层以及掺杂导电层；在半导体衬底的正面以及背面分别形成正面减反射层和背面减反射层，其中，所述正面减反射层位于预处理膜层之上；以及在半导体衬底的正面以及背面分别形成正面电极和背面电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119208446A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411346368.3
申请日：2024-09-25
Applicant: 晶科能源股份有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/268
Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池的制作方法。在本申请实施例中，通过在激光辅助烧结处理过程中配置目标照射过程，使得在目标照射过程中的激光在太阳能电池基底上的移动方向和第一电极的纵长延伸方向彼此相交，不仅可以形成更大的覆盖非电极区域的范围，进而能够激发出更多的载流子，使得形成的第一电极与基底的接触性能提高的更为显著，还可以降低控制激光的精度需求，扩大了工艺窗口以及提高了制作效率。因此，通过配置前述所言的目标照射过程，不仅可以更大程度地提高第一电极与基底的接触性能，提高太阳能电池的转换效率，还便于加工制作以及提高制作效率。
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公开(公告)号：CN118053928A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311738973.0
申请日：2023-12-15
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/054 , H01L31/05
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：位于基底相对两侧的第一掺杂多晶硅层的第二掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层内掺杂有N型掺杂元素，第二掺杂多晶硅层内掺杂有P型掺杂元素，第一掺杂多晶硅层的表面具有第一粗糙度，第二掺杂多晶硅层的表面具有第二粗糙度，第一粗糙度大于第一粗糙度；第一电极，第一电极贯穿第一钝化层与第一掺杂多晶硅层电连接，第二电极贯穿第二钝化层与第二掺杂多晶硅层电连接。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件可以提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116722056A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210590274.5
申请日：2022-05-26
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/048
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：N型基底；N型基底的第一表面设置有P型发射极，P型发射极包括第一部分和第二部分，第一部分的顶面包括第一金字塔结构，第一金字塔结构的至少一个斜面中的至少部分表面朝第一金字塔结构的中心凹陷或凸出，第二部分的顶面包括第二金字塔结构，第二金字塔结构的斜面为平面，在垂直于N型基底的第一表面的方向上，第一部分的结深大于第二部分的结深；位于N型基底的第二表面且在远离N型基底的方向上依次设置的隧穿层以及掺杂导电层。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN118053927A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311736451.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/05
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有间隔且交替设置的P区以及N区；位于基底背面以及N区的第一介质层和第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层掺杂有N型掺杂元素；位于基底背面以及P区的第二介质层和第二掺杂多晶硅层，第二掺杂多晶硅层掺杂有P型掺杂元素；其中，第一掺杂多晶硅层远离第一介质层的表面具有第一粗糙度；第二掺杂多晶硅层远离第二介质层的表面具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度；钝化层，钝化层覆盖第一掺杂多晶硅层的表面以及第二掺杂多晶硅层的表面；与第一掺杂多晶硅层电连接的第一电极，与第二掺杂多晶硅层电连接的第二电极。
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公开(公告)号：CN117855344A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211214569.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L21/033
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法，包括：提供基底，基底具有第一表面，第一表面包括非金属图案区域；在同一工艺步骤中，在第一表面形成沿背离基底方向堆叠的初始钝化接触结构以及玻璃层；在玻璃层表面形成硅掩膜层；采用激光工艺对硅掩膜层进行图形化处理，以暴露出非金属图案区域对准的所述玻璃层顶面；对玻璃层进行图形化处理，以暴露出非金属图案区域对准的初始钝化接触结构顶面；对露出顶面的初始钝化接触结构进行刻蚀工艺，以去除部分厚度的初始钝化接触结构，剩余初始钝化接触结构形成钝化接触结构。本申请实施例有利于在简化太阳能电池的制备工艺的同时，保持太阳能电池较好的光电转换性能。
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