利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

13 条记录 (耗时 0.059 秒)

    太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    1.
    发明公开
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件 审中-实审

    公开(公告)号：CN118198165A

    公开(公告)日：2024-06-14

    申请号：CN202211569073.3

    申请日：2022-12-07

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

    发明人： 王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  朱佳佳 ,  朱思敏

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

    摘要： 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底表面具有金属图案区域以及非金属图案区域，非金属图案区域包括相邻接的第一区以及第二区，第二区远离第一区的一侧与金属图案区域相邻接，第一区的基底表面低于金属图案区域的基底表面，第二区的基底表面不低于第一区的基底表面，且不高于金属图案区域的基底表面；第一区以及第二区的基底内具有掺杂层，基底露出掺杂层顶面；第一钝化接触结构，覆盖于金属图案区域的基底表面，包括层叠的至少一层第一隧穿层以及至少一层第一掺杂导电层。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

    一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法
    4.
    发明授权
    一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法 有权

    公开(公告)号：CN108899376B

    公开(公告)日：2020-09-04

    申请号：CN201810716391.5

    申请日：2018-07-03

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

    发明人： 朱佳佳 ,  郑霈霆 ,  张昕宇 ,  金浩 ,  祁文杰

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法，提供经过预处理的硅片；对硅片进行第一次扩散，在硅片正面形成第一掺杂层；对硅片进行第二次扩散，在第一掺杂层上方形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉预设正面电极区域之间的第二掺杂层；在预设正面电极区域的第二掺杂层上方形成正面电极。由于第二掺杂层即重掺杂层和第一掺杂层即轻掺杂层是两次扩散形成的，因此，可以使轻掺杂层的掺杂浓度很低，使重掺杂层的掺杂浓度很高，进而可以增大重掺杂层和轻掺杂层的掺杂浓度差异，提升太阳能电池的转换效率。

    一种光伏电池接触结构以及制造方法
    5.
    发明公开
    一种光伏电池接触结构以及制造方法 无效

    公开(公告)号：CN109713051A

    公开(公告)日：2019-05-03

    申请号：CN201811603014.7

    申请日：2018-12-26

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

    发明人： 朱佳佳 ,  郑沛霆 ,  杨洁 ,  孙海杰 ,  王钊 ,  郭瑶 ,  於玲琳 ,  朱思敏

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种光伏电池接触结构以及制造方法，其中光伏电池接触结构以及制造方法包括：步骤1，在硅片主体的正面钝化层上印刷正面烧穿性浆料层，正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过钝化层与硅片的主体部分连接；步骤2，在正面烧穿性浆料层的表面印刷正面非烧穿性浆料层；步骤3，对硅片主体进行烧结。通过采用正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过钝化层与硅片的主体部分连接，使得将现有的浆料印刷后形成的线接触金属-半导体结构，改变为点接触的金属-半导体结构，接触面积小，实现低损伤金属接触结构，双层浆料结构保证接触电阻的同时，复合低，对于硅片主体的破坏更小，可以充分发挥单晶硅或多晶硅的性能，提高电池的效率。

    一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法
    6.
    发明公开
    一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法 有权

    公开(公告)号：CN108899376A

    公开(公告)日：2018-11-27

    申请号：CN201810716391.5

    申请日：2018-07-03

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

    发明人： 朱佳佳 ,  郑霈霆 ,  张昕宇 ,  金浩 ,  祁文杰

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/1876

    摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法，提供经过预处理的硅片；对硅片进行第一次扩散，在硅片正面形成第一掺杂层；对硅片进行第二次扩散，在第一掺杂层上方形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉预设正面电极区域之间的第二掺杂层；在预设正面电极区域的第二掺杂层上方形成正面电极。由于第二掺杂层即重掺杂层和第一掺杂层即轻掺杂层是两次扩散形成的，因此，可以使轻掺杂层的掺杂浓度很低，使重掺杂层的掺杂浓度很高，进而可以增大重掺杂层和轻掺杂层的掺杂浓度差异，提升太阳能电池的转换效率。

    一种钝化结构的制作方法、钝化结构和光伏电池
    9.
    发明公开
    一种钝化结构的制作方法、钝化结构和光伏电池 无效

    公开(公告)号：CN110634996A

    公开(公告)日：2019-12-31

    申请号：CN201910926600.3

    申请日：2019-09-27

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

    发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  陈石 ,  朱佳佳

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

    摘要： 本申请公开了一种钝化结构的制作方法，包括：提供一N型制绒硅片；在N型制绒硅片的正面形成隧穿氧化层；形成覆盖隧穿氧化层的本征多晶硅层；在本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，并去除本征多晶硅层中除目标部分之外的部分；去除隧穿氧化层的除被掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分；在N型制绒硅片未覆盖部分进行硼扩散，得到硼扩散层，以便得到钝化结构。本申请可以提升光伏电池的转换效率。本申请同时还提供了一种应用于TopCon太阳能电池的钝化结构、光伏电池，均具有上述有益效果。

    一种光伏电池无损伤选择性发射极的制备方法
    10.
    发明公开
    一种光伏电池无损伤选择性发射极的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN109888054A

    公开(公告)日：2019-06-14

    申请号：CN201910038373.0

    申请日：2019-01-16

    申请人： 晶科能源科技(海宁)有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

    发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱佳佳 ,  陈石 ,  冯修 ,  郭瑶 ,  於琳玲 ,  朱思敏

    IPC分类号： H01L31/18

    摘要： 本发明涉及一种选择性发射极的制备方法，特别涉及一种光伏电池无损伤选择性发射极的制备方法，属于晶体硅太阳能电池技术领域。该方法包括以下步骤：（1）进管；（2）升温至第一温度；（3）沉积磷源；（4）升温至第二温度；（5）推结；（6）降温；（7）沉积磷源；（8）降温出管。本发明方法得到的无损伤选择性发射极可应用于现如今可量产的高效PERC电池，PERC电池由于其优异的背面钝化和激光开槽工艺，其量产效率已接近22%。本发明制得的无损伤选择性发射极应用于PERC电池后，通过降低电池磷扩散结内复合，可以提升磷扩散方阻均匀性和减少电池串联电阻损失，进一步提升PERC电池效率。