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    太阳能电池及其制造方法、光伏组件
    1.
    发明公开
    太阳能电池及其制造方法、光伏组件 审中-公开

    公开(公告)号：CN118053931A

    公开(公告)日：2024-05-17

    申请号：CN202311543635.1

    申请日：2023-11-17

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

    发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  张昕宇 ,  陈金金

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

    摘要： 本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面和背面；沿第一方向间隔排布于基底正面的多个第一电极，第一电极沿第二方向延伸；沿第一方向排布的多个掺杂区，掺杂区位于基底正面，掺杂区掺杂类型与基底相同；掺杂区包括第一掺杂区以及位于第一掺杂区沿第一方向上至少一侧的第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区相邻接，第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区，第一掺杂区与相应的第一电极电接触；层叠在背面的隧穿介质层以及掺杂导电层，掺杂导电层的掺杂类型与基底不同；位于基底背面且与掺杂导电层电接触的第二电极。至少可以降低电池复合，提高开路电压。

    太阳能电池的制备方法
    3.
    发明公开
    太阳能电池的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117855344A

    公开(公告)日：2024-04-09

    申请号：CN202211214569.9

    申请日：2022-09-30

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

    发明人： 沈梦超 ,  王钊 ,  张成兰 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

    IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L21/033

    摘要： 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法，包括：提供基底，基底具有第一表面，第一表面包括非金属图案区域；在同一工艺步骤中，在第一表面形成沿背离基底方向堆叠的初始钝化接触结构以及玻璃层；在玻璃层表面形成硅掩膜层；采用激光工艺对硅掩膜层进行图形化处理，以暴露出非金属图案区域对准的所述玻璃层顶面；对玻璃层进行图形化处理，以暴露出非金属图案区域对准的初始钝化接触结构顶面；对露出顶面的初始钝化接触结构进行刻蚀工艺，以去除部分厚度的初始钝化接触结构，剩余初始钝化接触结构形成钝化接触结构。本申请实施例有利于在简化太阳能电池的制备工艺的同时，保持太阳能电池较好的光电转换性能。

    太阳能电池及光伏组件
    4.
    发明公开
    太阳能电池及光伏组件 审中-实审

    公开(公告)号：CN117727812A

    公开(公告)日：2024-03-19

    申请号：CN202311756848.2

    申请日：2023-12-19

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

    发明人： 李慧敏 ,  金浩 ,  徐孟雷 ,  杨洁 ,  张昕宇

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/042

    摘要： 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：多条沿第一方向间隔排布的副栅线；边缘主栅线，所述边缘主栅线包括第一连接线、第二连接线以及第一焊盘，所述第一连接线沿所述第一方向延伸，所述第一连接线与所述副栅线电接触，所述第二连接线与所述第一连接线的一侧电接触，所述第二连接线沿第二方向延伸，所述第一焊盘与所述第二连接线的另一侧电接触，所述第一方向与所述第二方向相交；凸出部，所述凸出部与所述第一焊盘电接触，所述凸出部沿所述第一方向延伸，所述凸出部与所述副栅线电接触。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件可以提升电池效率。

    太阳能电池及光伏组件
    6.
    发明公开
    太阳能电池及光伏组件 审中-实审

    公开(公告)号：CN117673178A

    公开(公告)日：2024-03-08

    申请号：CN202211098149.9

    申请日：2022-09-08

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

    发明人： 毛杰 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/06

    摘要： 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面；位于与金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层，第一掺杂导电层的掺杂元素类型与基底的掺杂元素类型相同；位于基底背面且在沿背离基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层，第二掺杂导电层的掺杂元素类型与第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同，第一掺杂导电层中的激活的掺杂元素浓度大于第二掺杂导电层中的激活的掺杂元素浓度，且第一掺杂导电层的厚度不大于第二掺杂导电层的厚度。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。

    太阳能电池制备方法及太阳能电池
    7.
    发明公开
    太阳能电池制备方法及太阳能电池 审中-实审

    公开(公告)号：CN117352594A

    公开(公告)日：2024-01-05

    申请号：CN202311449290.3

    申请日：2023-10-31

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

    发明人： 张远方 ,  徐孟雷 ,  杨洁 ,  张昕宇

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224

    摘要： 本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，太阳能电池制备方法包括：提供底电池；对所述底电池进行加热处理，将所述底电池的温度升高到预设温度区间内；在所述底电池的表面上形成透明导电层，且在形成所述透明导电层的过程中，对所述底电池进行持续加热，将所述底电池的温度维持在所述预设温度区间内；形成顶电池，所述顶电池位于所述透明导电层远离所述底电池的表面上。至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

    太阳能电池及其制作方法
    9.
    发明授权
    太阳能电池及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN115036388B

    公开(公告)日：2023-10-27

    申请号：CN202110203419.7

    申请日：2021-02-23

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

    发明人： 董永志 ,  李文琪 ,  杨洁 ,  余丁 ,  赵世杰 ,  柴嘉磊

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

    摘要： 本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池的制作方法包括：提供N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；在所述基底前表面形成第一钝化层，所述第一钝化层包括多个氮氧化硅子层，所述氮氧化硅子层内掺杂有氢离子，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子层的厚度不大于20nm，在远离所述基底的方向上，所述多个氮氧化硅子层的折射率递减；在所述第一钝化层表面形成第二钝化层，所述第二钝化层包括多个氮化硅子层，在远离所述基底的方向上，所述多个氮化硅子层的折射率递减；在所述基底后表面形成钝化接触结构。本发明实施例有利于提升太阳能电池的钝化效果。

    半导体衬底及太阳能电池和光伏组件
    10.
    发明授权
    半导体衬底及太阳能电池和光伏组件 有权

    公开(公告)号：CN115224137B

    公开(公告)日：2023-09-15

    申请号：CN202210704732.3

    申请日：2022-06-21

    申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

    发明人： 李慧敏 ,  徐孟雷 ,  杨洁 ,  张昕宇

    IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/05

    摘要： 本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种半导体衬底及太阳能电池和光伏组件。半导体衬底的后表面具有N型导电区域和P型导电区域，N型导电区域设有第一非金字塔状纹理结构，P型导电区域设有第二非金字塔状纹理结构；第一非金字塔状纹理结构的顶部表面和第二非金字塔状纹理结构的顶部表面均为多边形平面，且第一非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸小于第二非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸；第一非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸大于等于5μm，且小于等于12μm；第二非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸大于等于10μm，且小于等于40μm。通过在半导体衬底上设置不同非金字塔纹理结构能提高电池转换效率。