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公开(公告)号:CN107868981A
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201610862879.X
申请日:2016-09-28
申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要: 本发明涉及一种金属铂的半金属化合物,其中,所述半金属化合物为PtSe2单晶材料。本发明还涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法,该方法包括:提供多晶二硒化铂材料;将该多晶二硒化铂材料放入反应容器中作为反应原料,并加入化学输运介质;将装好反应原料和化学输运介质的反应容器抽真空至10帕以下;将反应容器放置于一温度梯度内,所述反应容器中装反应原料的一端为热端,相对的另一端为冷端,其中,所述热端的温度为1000摄氏度~1200摄氏度,所述冷端的温度为900摄氏度~1000摄氏度;以及将具有上述温度梯度的反应容器保温10天~30天。
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公开(公告)号:CN107620122B
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN201610552213.4
申请日:2016-07-13
申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要: 本发明涉及一种金属铂的半金属化合物,其中,所述半金属化合物为PtTe2单晶材料。本发明还涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法,该方法包括:提供多晶二碲化铂材料;将该多晶二碲化铂材料放入反应容器中作为反应原料,并加入化学输运介质;将装好反应原料和化学输运介质的反应容器抽真空至10帕以下;将反应容器放置于一温度梯度内,所述反应容器中装反应原料的一端为热端,相对的另一端为冷端,其中,所述热端的温度为1000摄氏度~1200摄氏度,所述冷端的温度为900摄氏度~1000摄氏度;以及将具有上述温度梯度的反应容器保温10天~30天。
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公开(公告)号:CN107868982A
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201610862880.2
申请日:2016-09-28
申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号: C30B9/06 , C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/01 , C01P2004/60 , C30B25/00 , C30B29/46 , C30B9/08
摘要: 本发明涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法,该方法包括:将铂单质和硒单质放入反应容器作为反应原料;将装有反应原料的反应容器抽真空至气强
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公开(公告)号:CN107868981B
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201610862879.X
申请日:2016-09-28
申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要: 本发明涉及一种金属铂的半金属化合物,其中,所述半金属化合物为PtSe2单晶材料。本发明还涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法,该方法包括:提供多晶二硒化铂材料;将该多晶二硒化铂材料放入反应容器中作为反应原料,并加入化学输运介质;将装好反应原料和化学输运介质的反应容器抽真空至10帕以下;将反应容器放置于一温度梯度内,所述反应容器中装反应原料的一端为热端,相对的另一端为冷端,其中,所述热端的温度为1000摄氏度~1200摄氏度,所述冷端的温度为900摄氏度~1000摄氏度;以及将具有上述温度梯度的反应容器保温10天~30天。
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公开(公告)号:CN107620122A
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201610552213.4
申请日:2016-07-13
申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号: C30B29/46 , C01B19/007 , C01P2006/42 , C30B9/06 , C30B25/00
摘要: 本发明涉及一种金属铂的半金属化合物,其中,所述半金属化合物为PtTe2单晶材料。本发明还涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法,该方法包括:提供多晶二碲化铂材料;将该多晶二碲化铂材料放入反应容器中作为反应原料,并加入化学输运介质;将装好反应原料和化学输运介质的反应容器抽真空至10帕以下;将反应容器放置于一温度梯度内,所述反应容器中装反应原料的一端为热端,相对的另一端为冷端,其中,所述热端的温度为1000摄氏度~1200摄氏度,所述冷端的温度为900摄氏度~1000摄氏度;以及将具有上述温度梯度的反应容器保温10天~30天。
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公开(公告)号:CN109904059A
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201910040118.X
申请日:2019-01-16
申请人: 清华大学
IPC分类号: H01L21/02 , H01L29/22 , H01L31/0296 , B01J27/057
摘要: 本申请涉及材料科学领域,尤其涉及一种贵金属化合物的制备方法及其应用。所述贵金属化合物的制备方法包括提供衬底,在所述衬底的表面沉积贵金属薄膜,以形成具有平整表面的第一中间产物。在所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应,以形成贵金属化合物。所述贵金属化合物的结构式为AB或者AB2。其中A为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种,B为硒元素或者碲元素。所述方法制备的所述贵金属化合物可以脱离现有技术中制备贵金属化合物时对于衬底材料的限制。即,所述方法可以在任意的衬底材料上制备所述贵金属化合物。另外,所述方法可以制备大尺寸的所述贵金属化合物,所述贵金属化合物的尺寸能够满足工业应用的需求。
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