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公开(公告)号：CN107354510A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710319173.3
申请日：2017-05-09
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , C30B11/00
摘要： 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供一种抑制4H以外的多晶型物的产生，使4H-SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种基板为4H-SiC，该制造方法包括：将所述晶种基板的(000-1)面作为生长面，将所述Si-C溶液的表面中所述晶种基板的生长面接触的区域的中央部的温度设为1900℃以上，和将所述中央部和在铅直方向下方距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTc、与所述中央部和在水平方向距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTa之比ΔTc/ΔTa设为1.7以上。
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公开(公告)号：CN106868344A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710114562.2
申请日：2017-02-28
申请人： 郑州师范学院
摘要： 本发明公开一种高性能立方织构Ni‑12at.％W合金基带的制备方法。首先采用定向凝固技术制备具有柱状晶组织的Ni‑12at.％W合金方形铸坯，柱状晶的长轴平行于铸坯的厚度方向；将上述得到的方形铸坯去掉氧化皮，然后直接冷轧，得到Ni‑12at.％W合金冷轧板；将上述得到的合金冷轧板进行回复热处理，热处理工艺为：600℃～680℃保温，保温后快速冷却至室温；将上述回复热处理后的Ni‑12at.％W合金板进行二次冷轧；将上述二次冷轧后的Ni‑12at.％W合金进行最终的再结晶退火，获得强立方织构的Ni‑12at.％W合金基带。该合金基带整体无铁磁性，具有强立方织构，室温下的屈服强度较高，适合工业化生产并满足制备高性能涂层超导带材的要求。
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公开(公告)号：CN104066874B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280067542.X
申请日：2012-12-27
CPC分类号： C30B19/062 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024
摘要： 本发明的目的是提供一种与以往相比能够使SiC单晶更快生长的采用溶液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴、和采用溶液法的单晶制造方法。一种籽晶保持轴，是采用溶液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴，籽晶保持轴的侧面的至少一部分由具有比籽晶保持轴的反射率大的反射率的反射部件覆盖着，反射部件被配置成在反射部件和保持在籽晶保持轴的端面的籽晶之间空开间隔。
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公开(公告)号：CN105821479A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610039181.8
申请日：2016-01-21
申请人： 丰田自动车株式会社
摘要： 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供一种能够使石墨坩埚内的Si-C溶液充分地对流而不使单晶制造装置大型化的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其包括：使第一频率的高频电流流经配置于石墨坩埚周围的感应加热线圈，将原料Si加热至规定温度，使上述原料Si熔化，同时使C从上述石墨坩埚溶解从而形成Si-C溶液，在加热至上述规定温度之后，使频率从第一频率降至第二频率，对上述Si-C溶液进行保温保持。
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公开(公告)号：CN101914809B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010250911.1
申请日：2010-08-11
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
CPC分类号： C30B9/06 , C30B9/12 , C30B29/12 , C30B29/22 , G02F1/3551
摘要： 本发明涉及一种化合物氯硼酸钾非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为K3B6O10Cl，分子量377.61，该晶体不具有对称中心，属三方晶系，空间群R3m，晶胞参数为a＝10.0624(14)，b＝10.0624(14)，c＝8.8361(18)，Z＝3，V＝774.8(2)。其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的3倍左右，莫氏硬度为4-5，透光波段165nm至3460nm。采用固相反应法合成化合物及助溶剂法生长晶体，该晶体具有操作简单，成本低，所制晶体尺寸大，生长周期短，包裹体少，机械硬度较大，易于切割、抛光加工和保存，该晶体用于对波长为1064nm激光光束产生2倍频或3倍频或4倍频或5倍频的谐波光输出。
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公开(公告)号：CN101503825A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910007530.8
申请日：2005-07-13
申请人： 住友电气工业株式会社
发明人： 中畑成二
摘要： 提供一种制造III族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)之间形成200μm以下厚度的液体层(3)，以及在衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)上生长III族氮化物单晶体(4)。在此，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)可以由III族氮化物单晶体形成，而III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物多晶体形成。而且，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物单晶体形成，而衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料衬底(2)的液体层侧面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。
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公开(公告)号：CN106029959B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201580008068.7
申请日：2015-02-12
申请人： 丰田自动车株式会社
CPC分类号： C30B19/04 , C30B9/06 , C30B9/12 , C30B19/062 , C30B29/36
摘要： 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。
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