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发明公开
一种晶边处理设备及晶圆的处理方法审中-实审

公开(公告)号：CN117457528A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311287601.0

申请日：2023-10-07

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 , 谢冬 , 高标 , 刘俊哲

IPC: H01L21/67 , H01L21/02

Abstract: 本公开实施例提供了一种晶边处理设备及晶圆的处理方法，其中，晶边处理设备包括：基台，基台包括用于放置待处理晶圆的第一表面；喷液装置，喷液装置位于待处理晶圆的上方，且喷液装置用于向待处理晶圆的边缘区域提供处理液；吸液装置，吸液装置至少包括吸液组件，吸液组件位于喷液装置和待处理晶圆的一侧，且与待处理晶圆之间具有预设距离，吸液装置用于吸收多余的处理液。

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