公开(公告)号：CN118073965A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410188617.4

申请日：2024-02-20

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 高标 ,  谢冬

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/02

Abstract: 本申请实施例公开了一种异质集成结构及其制备方法、半导体器件。所述制备方法包括：形成第一芯片，第一芯片包括第一半导体基材及位于第一半导体基材上的第一功能层和第一互连层，第一互连层包括第一介质层和位于第一介质层中的多个第一导电柱。形成第一晶圆，第一晶圆包括第二半导体基材及位于第二半导体基材上的第二功能层和第二互连层，第二互连层包括第二介质层和位于第二介质层中的多个第二导电柱。第一半导体基材与第二半导体基材不同。将第一芯片的第一互连层与第一晶圆的第二互连层键合，得到键合结构；第一芯片和第一晶圆通过第一导电柱和第二导电柱电连接。切割键合结构，形成异质集成结构。

公开(公告)号：CN117457528A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311287601.0

申请日：2023-10-07

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 ,  谢冬 ,  高标 ,  刘俊哲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开实施例提供了一种晶边处理设备及晶圆的处理方法，其中，晶边处理设备包括：基台，基台包括用于放置待处理晶圆的第一表面；喷液装置，喷液装置位于待处理晶圆的上方，且喷液装置用于向待处理晶圆的边缘区域提供处理液；吸液装置，吸液装置至少包括吸液组件，吸液组件位于喷液装置和待处理晶圆的一侧，且与待处理晶圆之间具有预设距离，吸液装置用于吸收多余的处理液。

公开(公告)号：CN117210801A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311002994.6

申请日：2023-08-08

Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司

Inventor： 江仲开 ,  陈珍 ,  高标

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：提供第一晶圆；通过调节等离子体增强化学气相沉积过程中的工艺参数，在所述第一晶圆上形成具有第一固定厚度以及第一弯曲度调节能力的第一材料层，使得所述第一晶圆的第一弯曲度的绝对值小于等于第一预设值得到具有第一弯曲度的第一晶圆。

公开(公告)号：CN119446944A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411531369.5

申请日：2024-10-30

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 高标 ,  何思 ,  程甜甜

IPC: H01L21/603

Abstract: 本公开实施例提供一种键合装置及键合方法，所述键合装置包括键合组件，所述键合组件包括控制部和形变部；所述控制部围绕所述形变部，所述控制部用于向所述形变部施加电压以使所述形变部发生形变并带动第一键合结构发生形变。

公开(公告)号：CN119050081A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411112462.2

申请日：2024-08-14

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 高标 ,  谢冬

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L21/304 ,  G01N3/08

Abstract: 本公开实施例提供了一种裸芯片及其制造方法、半导体结构以及测试系统。所述裸芯片包括：裸芯片主体和缺口结构，裸芯片主体具有相对设置的第一键合面和第一非键合面、以及位于所述第一键合面与所述第一非键合面之间的多个侧壁，所述第一键合面所在平面与每个所述侧壁所在平面相交；缺口结构包括：位于相对设置的两个所述侧壁的至少两个缺口，所述至少两个缺口均显露于所述第一键合面；所述裸芯片主体在所述缺口处形成有支撑面，所述支撑面与所述第一非键合面相对设置，所述支撑面用于在键合强度测试中与测试装置接触。