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公开(公告)号：CN115210861A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202080097972.0
申请日：2020-01-03
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/02
摘要： 一个实施例提供了一种升降销，该升降销包括：主体，插入基座中的通孔中；以及头部，设置在该主体的一端处以与晶片的下侧接触，其中头部的上表面被形成为具有凹凸结构。
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公开(公告)号：CN118676018A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410068188.7
申请日：2024-01-17
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
摘要： 公开了一种晶片制造系统，包括配置成用于生长EPI晶片的外延(EPI)装备和具有配置成用于控制EPI装备的处理器的控制机架设备，其中处理器配置成用于收集至少一个X参数，以基于收集的至少一个X参数来预测在EPI晶片上生长的EPI层的厚度，将EPI层的预测厚度与EPI层的测量厚度进行比较和分析，并重复执行学习直至比较和分析的结果值在预定的目标厚度范围内。
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公开(公告)号：CN115148598A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210272676.0
申请日：2022-03-18
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 实施例提供在晶片上生长外延层的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将至少一个晶片引入处理腔室中，(b)在使用升降杆支撑晶片的同时将晶片装载到与基座邻近的区域，(c)预加热晶片，以及(d)将晶片放入基座的袋中并加热晶片，以在晶片上沉积外延层，其中，步骤(a)和步骤(b)中的基座上方的第一灯的输出和基座下方的第二灯的输出被设置为与步骤(c)和步骤(d)中的第一灯的输出和第二灯的输出不同。
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公开(公告)号：CN107851553A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044210.8
申请日：2016-07-26
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/324 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324
摘要： 实施方式涉及一种用于准备重启外延反应器的方法，以执行晶片的外延生长。该方法包括以下步骤：将氮气引入设置在所述外延反应器内的处理室中并吹扫该气体一定时间；根据时间非线性地升高所述处理室内部的温度；以及在生长外延晶片之后测量外延晶片的MCLT。根据实施方式的准备重启外延反应器的方法与现有方法相比以更快的速率去除滞留在处理室内的湿气和污染物，缩短了达到重启外延反应器的最小MCLT值所需的时间，由此也缩短了准备重启外延反应器的时间。
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公开(公告)号：CN107851553B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201680044210.8
申请日：2016-07-26
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/324 , H01L21/20
摘要： 实施方式涉及一种用于准备重启外延反应器的方法，以执行晶片的外延生长。该方法包括以下步骤：将氮气引入设置在所述外延反应器内的处理室中并吹扫该气体一定时间；根据时间非线性地升高所述处理室内部的温度；以及在生长外延晶片之后测量外延晶片的MCLT。根据实施方式的准备重启外延反应器的方法与现有方法相比以更快的速率去除滞留在处理室内的湿气和污染物，缩短了达到重启外延反应器的最小MCLT值所需的时间，由此也缩短了准备重启外延反应器的时间。
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公开(公告)号：CN107771226B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201580076600.9
申请日：2015-12-23
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
摘要： 实施例包括：作为在用于对在晶片上进行外延生长的外延反应器的重新启动进行准备的过程中在反应室的内部进行烘烤的步骤，随时间阶段性增大反应室的温度的步骤；以及通过反应室侧面设置的主阀和狭缝阀向基座上部和下部引入氢气的步骤。因此，反应室内部的环境随着用于将热传递到反应室中的热源的功率阶段性地增大而变得不稳定，从而使停滞的湿气和污染物流动并且有效地排出该停滞的湿气和污染物。
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