一种二氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料的合成方法及薄膜制品

    公开(公告)号:CN112680221B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202011440153.X

    申请日:2020-12-11

    摘要: 本发明提供一种二氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料的合成方法及薄膜制品,包括如下步骤:(1)将1,3‑二溴化丙二铵与溴化铜在溴化氢水溶液中加热反应,反应完成后冷却至室温;(2)抽滤并洗涤沉淀、干燥,得到二氨基丙胺溴化铜产物即铜基钙钛矿材料;其中,1,3‑二溴化丙二铵与溴化铜的摩尔比为1:1‑1:3。将步骤(2)合成的产物铜基钙钛矿材料溶解于二甲亚砜得到浓度为0.1‑1.2mmol/mL的溶液,通过旋涂和退火得到铜基钙钛矿薄膜。本发明可实现环保无铅的钙钛矿材料的制备,得到的产物光吸收边位置达到700nm左右,具有合适的带隙,该产物易溶于二甲亚砜中且可以旋涂制备均一、平整的钙钛矿薄膜,是一种极具应用潜力的钙钛矿太阳能电池光吸收层材料。

    一种二氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料的合成方法及薄膜制品

    公开(公告)号:CN112680221A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011440153.X

    申请日:2020-12-11

    摘要: 本发明提供一种二氨基丙胺溴化铜钙钛矿材料的合成方法及薄膜制品,包括如下步骤:(1)将1,3‑二溴化丙二铵与溴化铜在溴化氢水溶液中加热反应,反应完成后冷却至室温;(2)抽滤并洗涤沉淀、干燥,得到二氨基丙胺溴化铜产物即铜基钙钛矿材料;其中,1,3‑二溴化丙二铵与溴化铜的摩尔比为1:1‑1:3。将步骤(2)合成的产物铜基钙钛矿材料溶解于二甲亚砜得到浓度为0.1‑1.2mmol/mL的溶液,通过旋涂和退火得到铜基钙钛矿薄膜。本发明可实现环保无铅的钙钛矿材料的制备,得到的产物光吸收边位置达到700nm左右,具有合适的带隙,该产物易溶于二甲亚砜中且可以旋涂制备均一、平整的钙钛矿薄膜,是一种极具应用潜力的钙钛矿太阳能电池光吸收层材料。

    一种强电场水热生长系统及其使用方法

    公开(公告)号:CN108114678A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201711389673.0

    申请日:2017-12-21

    IPC分类号: B01J19/08 B01J19/00

    摘要: 本发明属于无机非金属材料领域,涉及一种强电场水热生长系统及其使用方法,可在高温高压条件下同时获得强电场环境。该系统包括直流可调高压电源模块,加热装置和水热釜装置;所述直流可调高压电源模块通过将其正极和接地极上连接的导线引入加热装置,与加热装置内的水热釜装置连接使电路连通。通过控制温度和电压,研究强电场条件对水热纳米或单晶非极性材料生长的影响,从而获得新的纳米材料形貌和性能。本发明所述直流可调高压电源模块能够提供高达5万伏的大小可调的电压,加热装置可提供热环境,并支持将直流高压电导入加热腔内,而水热釜装置则可以保证材料的制备处于高压的水热环境同时又处于强电场环境当中。

    一种荧光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106186673A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610545136.X

    申请日:2016-07-12

    IPC分类号: C03C3/095 C03C4/12 G01K11/00

    CPC分类号: C03C3/095 C03C4/12 G01K11/00

    摘要: 本发明公开了一种荧光材料,其化学组成通式为:aNa2O-bCaO-cAl2O3-dSiO2-eIn2O3-fEu2O3,其中a、b、c、d、e和f为各组分的摩尔分数,其取值范围分别为:13≤a≤20、5≤b≤15、7≤c≤15、40≤d≤70、1≤e≤10、0.01≤f≤5,a+b+c+d+e+f=100。以该材料中的氧化铟半导体量子点荧光发射峰强度为温度探测信号,铕离子荧光发射峰强度为参比信号,二者的荧光强度比与温度呈指数关系,计算出的温度灵敏度比当前报道的同类材料具有明显的提升,所以,该荧光材料可以用于制备荧光温度探针。

    一种一步研磨法制备稳定型钙钛矿纳米晶的方法及其产品

    公开(公告)号:CN114940903A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210363588.1

    申请日:2022-04-08

    IPC分类号: C09K11/66 B82Y20/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明提供一种一步研磨法制备稳定型钙钛矿纳米晶的方法及其产品,所述方法包括如下步骤:(1)将卤化铅、卤化铯、卤化铵和油胺放入研磨罐中混合均匀后通过球磨机充分研磨,得到Csx(NH4)1‑xPbCl3‑yBry钙钛矿粉末,其中0≤x≤1,0≤y≤1;(2)将步骤(1)中得到的Csx(NH4)1‑xPbCl3‑yBry钙钛矿粉末分散在不良溶剂中,高速离心后得到Csx(NH4)1‑xPbCl3‑yBry钙钛矿纳米晶溶液。本发明方法避免了不同成分之间的溶解度差异问题,降低了缺陷的产生,提高了产品光致发光量子产率和稳定性;且在空气环境中制备,无需控制温度和湿度,操作过程安全、易控制。

    一种光电半导体薄膜的超声波振荡制备装置

    公开(公告)号:CN113521791A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110699850.5

    申请日:2021-06-23

    IPC分类号: B01D9/00

    摘要: 本发明公开了光电半导体薄膜制备技术领域的一种光电半导体薄膜的超声波振荡制备装置,包括底座,水平的稳定架设在工作台上;超声波震板,水平的架设在底座顶部;超声波换能器,安装在底座内部的超声波震板底部,所述超声波换能器与外接电源和控制器电连接,能够优化的,便捷快速,更加效率,本装置生产成本及能耗更低,并且让光电半导体薄膜特别是钙钛矿湿膜可以在室温下发生结晶,生产设备简单,操作简便,可中试放大,批量生产。

    一种研磨制备NH4PbIxCl3-x钙钛矿光电材料的方法

    公开(公告)号:CN112520784A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN202011449684.5

    申请日:2020-12-11

    IPC分类号: C01G21/00

    摘要: 本发明提供一种研磨制备NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料的方法,所述方法包括如下步骤:(1)将氯化铵和碘化铅混合后放入球磨机充分研磨;其中,氯化铵和碘化铅的摩尔比为1:1‑3:1,球磨机研磨时间为1‑2小时,球磨机研磨转速为200‑400转/分钟,球磨机中的物料与研磨球的质量比为1:20‑1:10;(2)将步骤(1)中充分研磨后的混合物放入真空干燥箱中加热,冷却至室温获得NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料。本发明制备过程简单易控制、制备成本低,而且该方法得到的NH4PbIxCl3‑x钙钛矿光电材料具有合适的带隙,有望应用于光伏电池。

    一种二氨基丙胺碘化铜钙钛矿光电材料的合成方法

    公开(公告)号:CN108101792B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201711389566.8

    申请日:2017-12-21

    摘要: 本发明涉及一种铜钙钛矿光电材料的合成,尤其涉及一种二氨基丙胺碘化铜钙钛矿光电材料的合成方法。包括如下步骤:(1)将1,3‑二氨基丙烷与碘化氢在冰水浴中反应,蒸干溶剂,洗涤、干燥得到前驱物固体;(2)将步骤(1)合成的前驱物与碘化亚铜在γ‑丁内酯中继续搅拌过夜,蒸干溶剂,再用无水乙醚抽滤洗涤沉淀,得到二氨基丙胺碘化铜产物。本发明的合成方法具有环保特性,所合成的二氨基丙胺碘化铜是以铜取代的无铅钙钛矿材料,具有超宽的光吸收范围,且具有很好的空气稳定性,可在空气中长期稳定存在,而不影响其光吸收范围,是一种具有潜在应用前景的太阳电池光吸收层材料。

    一种钙钛矿/n型晶体硅叠层太阳电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN108123046A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201711389578.0

    申请日:2017-12-21

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/44 H01L51/48

    摘要: 本发明属于太阳电池技术领域,具体涉及一种钙钛矿/n型晶体硅叠层太阳电池及其制造方法。采用双结叠层电池结构,底电池为n型晶体硅太阳电池,顶电池为钙钛矿太阳电池;所述n型晶体硅太阳电池为背结结构,包括从下到上依次层叠的背电极、p+发射极,n型晶体硅基底,n+前表面场以及前表面钝化层;所述钙钛矿太阳电池制备在n型晶体硅太阳电池的前表面上。这种电池结构还保留了硅片背面的减反射结构,可以增加电池的内反射,减小光学损失。该方法制备工艺简单,可以有效控制太阳电池的制作成本,适用于大规模工业化生产。