公开(公告)号：CN101076888A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580023444.6

申请日：2005-07-08

申请人： 英特尔公司

发明人： M·多克兹 ,  M·泰勒 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  S·达塔 ,  M·梅茨 ,  R·乔 ,  J·黄

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： 通过在先前由被图案化的栅极结构占据的沟槽中沉积金属层来形成互补金属氧化物半导体金属栅极晶体管。在一个实施例中，被图案化的栅极结构可由多晶硅形成。金属层可以具有最适用于形成一种类型的晶体管的功函数，但用于形成n和p型这两种晶体管。金属层的功函数可以被转化，例如通过离子注入以使其最适用于形成相反类型的晶体管。

公开(公告)号：CN101076888B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200580023444.6

申请日：2005-07-08

申请人： 英特尔公司

发明人： M·多克兹 ,  M·泰勒 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  S·达塔 ,  M·梅茨 ,  R·乔 ,  J·黄

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： 通过在先前由被图案化的栅极结构占据的沟槽中沉积金属层来形成互补金属氧化物半导体金属栅极晶体管。在一个实施例中，被图案化的栅极结构可由多晶硅形成。金属层可以具有最适用于形成一种类型的晶体管的功函数，但用于形成n和p型这两种晶体管。金属层的功函数可以被转化，例如通过离子注入以使其最适用于形成相反类型的晶体管。