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公开(公告)号：CN101208805B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200680023301.X
申请日：2006-06-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L2029/7858
摘要： 一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。
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公开(公告)号：CN101292346B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200680035521.4
申请日：2006-09-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L29/10
CPC分类号： H01L21/823828 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/1037 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要： 一种能够将平面型(10)和非平面型(20、30)晶体管集成在块状半导体衬底上的工艺，其中，所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围加以限定。
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公开(公告)号：CN101142688B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200680008711.7
申请日：2006-01-04
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/78687
摘要： 实施方案是包括应变沟道区的非平面MOS晶体管结构。非平面MOS晶体管结构，尤其是NMOS三栅晶体管，和应变沟道优点的结合，使得与具有非应变沟道的非平面MOS结构或者包含应变沟道的平面MOS结构相比，就给定栅长度宽度而言，改善了晶体管驱动电流、开关速度，并减少了漏电流。
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公开(公告)号：CN101341583B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200680044431.1
申请日：2006-11-17
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/314 , H01L29/51 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/314 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/28008 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L29/2003 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7784
摘要： 本发明描述了III-V族半导体器件及制造方法。通过硫族化物区域将高k电介质与限制区域对接。
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公开(公告)号：CN100565811C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200680031961.2
申请日：2006-08-03
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/51
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28088 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66583
摘要： 一种形成具有退火的栅介电层的晶体管栅堆叠的方法，其通过提供包括由沟槽而被分离的第一和第二间隔物的衬底而开始。在所述衬底上以及所述沟槽之内沉积共形的高-k栅介电层，并且其中所述高-k栅介电层的厚度大于或等于3埃并且小于或等于60埃。接着，在所述高-k栅介电层上沉积盖层，其中所述盖层基本上填充所述沟槽并且基本上覆盖所述高-k栅介电层。然后在大于或等于600℃的温度下退火所述高-k栅介电层。除去所述盖层以暴露所述退火的高-k栅介电层。然后在所述退火的高-k栅介电层上沉积金属层。可以使用CMP工艺除去多余的材料并完成所述晶体管栅堆叠的形成。
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公开(公告)号：CN100550350C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200480039412.0
申请日：2004-12-22
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/28097 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L27/1203 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 描述了一种半导体器件以及形成它的方法。该半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。
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公开(公告)号：CN101484978A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780025053.7
申请日：2007-06-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： G01N27/4145 , G01N27/4146 , Y10T436/143333
摘要： 本发明的实施方案涉及一种器件，其具有：包含晶体管的第一基片；第二基片；绝缘层，位于第一基片和第二基片之间并且与第一基片和第二基片邻接；和位于第二基片内的开口，所述开口对准晶体管；其中晶体管配置用于检测开口内的电荷变化。其它实施方案涉及一种方法，其包括：提供基片，其包括第一部分、第二部分和位于第一部分和第二部分之间并邻接这两部分的绝缘层；和制造位于第二部分中的开口，所述开口对准晶体管；其中晶体管配置用于检测开口内的电荷变化。
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公开(公告)号：CN101203947A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680022184.5
申请日：2006-06-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/28079 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/7834
摘要： 本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体集成电路，其可以形成有PMOS器件，而该PMOS器件可利用替代金属栅极及抬高的源极漏极形成。抬高的源极漏极可以由掺杂了P型的外延沉积锗硅材料形成。替代金属栅极过程产生了金属栅电极，并且可能会涉及到氮化物蚀刻阻止层的去除。
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公开(公告)号：CN101076888A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580023444.6
申请日：2005-07-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823842
摘要： 通过在先前由被图案化的栅极结构占据的沟槽中沉积金属层来形成互补金属氧化物半导体金属栅极晶体管。在一个实施例中，被图案化的栅极结构可由多晶硅形成。金属层可以具有最适用于形成一种类型的晶体管的功函数，但用于形成n和p型这两种晶体管。金属层的功函数可以被转化，例如通过离子注入以使其最适用于形成相反类型的晶体管。
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