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公开(公告)号：CN107153724B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710259562.1
申请日：2017-04-20
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/23 , G06F30/398 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了基于迭代算法的芯片温度分析方法，涉及集成电路分析技术领域，通过在有限元软件中建立单个器件热学分析模型，能够快速地得到其温度分布曲线，并且结合MATLAB软件拟合了温度分布函数，利用温度叠加原理，把函数表达式编程到温度计算过程中，避免了传统有限元方法的对整个芯片建立实体模型和网格划分过程，能够简单、快速和高效地实现大规模芯片电路的温度分析。在MATLAB编程中利用迭代算法，将耦合温升所带来的影响等效为环境温度的变化，根据等效后的环境温度得到新的自热温升和耦合温升，从而得到新的温度分布，随后不断地进行迭代计算，直到满足收敛条件，相比于非迭代算法，精度明显提高，能够有效地减小误差。
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公开(公告)号：CN107220406A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710277573.2
申请日：2017-04-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5018 , G06F17/504 , G06F2217/80
摘要： 本发明公开了一种预测半导体器件温度分布的方法，涉及集成电路分析技术领域，其主要步骤为：1.获取芯片上有源器件的模型参数；2.在COMSOL中对器件建模，并对作有限元温度分析；3.在MATLAB中对器件的温度分布进行函数拟合；4.将实际有源器件的功耗、发热区面积以及所处的环境温度等参量带入温度函数表达式中，即可得出器件的温度分布。本发明可广泛用于集成电路分析领域，相比于传统有限元分析方法，避免了对整个器件建立实体模型和网格划分过程，节省了大量计算机硬件资源和计算时间，能够简单、快速和高效地实现半导体器件的温度分析。
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公开(公告)号：CN107196637A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710276871.X
申请日：2017-04-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H03K19/0175
摘要： 本发明公开了高采样率宽带跟踪保持电路，涉及电子技术领域，包括输入缓冲单元IB、跟踪/保持开关T/H、保持电容CH以及输出缓冲单元OB。引入全差分的电路结构，实现较好的共模噪声抑制能力。本发明使用带发射极退化电阻的输入、输出缓冲器，提高了跟踪保持电路的线性度。本发明采用了带肖特基二极管的改进开关射极跟随器作为跟踪‑保持开关，提高了电路稳定性。本发明利用了高截止频率、良好基极‑发射极匹配的GaAs HBT器件来设计跟踪保持电路，改善了现有采样保持电路采样率低以及带宽窄的缺点。
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公开(公告)号：CN107153724A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710259562.1
申请日：2017-04-20
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了基于迭代算法的芯片温度分析方法，涉及集成电路分析技术领域，通过在有限元软件中建立单个器件热学分析模型，能够快速地得到其温度分布曲线，并且结合MATLAB软件拟合了温度分布函数，利用温度叠加原理，把函数表达式编程到温度计算过程中，避免了传统有限元方法的对整个芯片建立实体模型和网格划分过程，能够简单、快速和高效地实现大规模芯片电路的温度分析。在MATLAB编程中利用迭代算法，将耦合温升所带来的影响等效为环境温度的变化，根据等效后的环境温度得到新的自热温升和耦合温升，从而得到新的温度分布，随后不断地进行迭代计算，直到满足收敛条件，相比于非迭代算法，精度明显提高，能够有效地减小误差。
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公开(公告)号：CN107195548B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710364157.6
申请日：2017-05-22
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法，主要用来降低器件的导通电阻及栅极漏电的问题。本发明提供的InAs/AlSb HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备肖特基栅接触；5)Pad淀积；6)钝化。本发明提供的InAs/AlSb MOS‑HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备绝缘栅极；5)Pad淀积；6)钝化。本发明省去了栅槽刻蚀步骤，降低了栅极电流泄露，同时降低了器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107196637B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710276871.X
申请日：2017-04-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H03K19/0175
摘要： 本发明公开了高采样率宽带跟踪保持电路，涉及电子技术领域，包括输入缓冲单元IB、跟踪/保持开关T/H、保持电容CH以及输出缓冲单元OB。引入全差分的电路结构，实现较好的共模噪声抑制能力。本发明使用带发射极退化电阻的输入、输出缓冲器，提高了跟踪保持电路的线性度。本发明采用了带肖特基二极管的改进开关射极跟随器作为跟踪‑保持开关，提高了电路稳定性。本发明利用了高截止频率、良好基极‑发射极匹配的GaAs HBT器件来设计跟踪保持电路，改善了现有采样保持电路采样率低以及带宽窄的缺点。
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公开(公告)号：CN107195548A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710364157.6
申请日：2017-05-22
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法，主要用来降低器件的导通电阻及栅极漏电的问题。本发明提供的InAs/AlSb HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备肖特基栅接触；5)Pad淀积；6)钝化。本发明提供的InAs/AlSb MOS‑HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备绝缘栅极；5)Pad淀积；6)钝化。本发明省去了栅槽刻蚀步骤，降低了栅极电流泄露，同时降低了器件的导通电阻。
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