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公开(公告)号：CN109690675B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201780049564.6
申请日：2017-06-28
申请人： 赢世通股份有限公司
发明人： 李豪哲
摘要： 本发明提出一种可用于磁电隧道结，利用字线脉冲写入技术的新型数据写入系统和方法。一种实施例是，一种可应用于磁电随机存储器(MeRAM)的电路设计方法，包括多个由电压控制的磁电隧道结(MEJ)，其中每个磁电隧道结连接到晶体管的漏极组成一个MeRAM单元，每一个单元包括三个端口，分别连接到位线(BL)，源极(SL)和至少一个字线(WL)。在一个MeRAM阵列中，其驱动电路包括位线驱动器，源极线驱动器和字线驱动器。驱动电路产生电压脉冲，施加于磁电隧道结上。驱动电路的输出和字线相连，字线又连接到每个MeRAM单元中存取晶体管的栅极，从而在磁电隧道结上产生方波电压脉冲。
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公开(公告)号：CN109584923B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201810789785.3
申请日：2018-07-18
申请人： 赢世通股份有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明提出一感应电路，其包括第一感应端、第二感应端、第二接地端，以及第二接地端。第一感应端通过一位线连接至内存宏码的晶体管的源极。第二感应端其通过一电阻存储装置至源线，电性连接至该内存宏码的晶体管的漏极，且不连续地连接至该接地电压。该第一接地端是当作第一感应端的电压的参考电压。该第二接地端是当作第二感应端的电压的参考电压。感应电路依据第一感应端以及第二感应端之间的电压差异输出一感应信号。
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公开(公告)号：CN109690675A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780049564.6
申请日：2017-06-28
申请人： 赢世通股份有限公司
发明人： 李豪哲
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 本发明提出一种可用于磁电隧道结，利用字线脉冲写入技术的新型数据写入系统和方法。一种实施例是，一种可应用于磁电随机存储器(MeRAM)的电路设计方法，包括多个由电压控制的磁电隧道结(MEJ)，其中每个磁电隧道结连接到晶体管的漏极组成一个MeRAM单元，每一个单元包括三个端口，分别连接到位线(BL)，源极(SL)和至少一个字线(WL)。在一个MeRAM阵列中，其驱动电路包括位线驱动器，源极线驱动器和字线驱动器。驱动电路产生电压脉冲，施加于磁电隧道结上。驱动电路的输出和字线相连，字线又连接到每个MeRAM单元中存取晶体管的栅极，从而在磁电隧道结上产生方波电压脉冲。
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公开(公告)号：CN109584923A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810789785.3
申请日：2018-07-18
申请人： 赢世通股份有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明提出一感应电路，其包括第一感应端、第二感应端、第二接地端，以及第二接地端。第一感应端通过一位线连接至内存宏码的晶体管的源极。第二感应端其通过一电阻存储装置至源线，电性连接至该内存宏码的晶体管的漏极，且不连续地连接至该接地电压。该第一接地端是当作第一感应端的电压的参考电压。该第二接地端是当作第二感应端的电压的参考电压。感应电路依据第一感应端以及第二感应端之间的电压差异输出一感应信号。
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