公开(公告)号：CN106663465B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580046308.2

申请日：2015-07-01

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 野口纮希 ,  高谷聪 ,  藤田忍

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C13/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC分类号： G11C11/1673 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/1695 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  H01L28/00

摘要： 实施方式的非易失性半导体存储器具备：基板区域(Sub(m‑1))；基板区域(Sub(m‑1))内的单元部件(CU‑L)，包括存储器单元(MC)以及存取晶体管(AT)，该存取晶体管(AT)将控制端子与字线(WL(i‑1))连接，并将基板区域(Sub(m‑1))作为沟道而对存储器单元(MC)供给读出电流或者写入电流；以及基板电位设定电路，在对存储器单元(MC)供给读出电流时，将基板区域(Sub(m‑1))设定为第1基板电位，在对存储器单元(MC)供给写入电流时，将基板区域(Sub(m‑1))设定为与第1基板电位不同的第2基板电位。

公开(公告)号：CN106256003B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201480076983.5

申请日：2014-09-11

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 境新太郎 ,  中山昌彦 ,  藤田胜之 ,  野吕宽洋

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 根据一个实施例，可变变化存储器包括：位线、字线、存储器单元阵列、谐振线、时钟发生器以及写入驱动器。位线在第一方向中延伸。字线在第二方向中延伸。存储器单元阵列包括块。每一个块包括存储器单元，该存储器单元包括晶体管和可变电阻元件。谐振线连接到位线。时钟发生器被布置在存储器单元阵列中，并且向谐振线施加电压。写入驱动器向位线供应写入电流。电压以预定周期振荡并且写入电流被供应给位线。

公开(公告)号：CN105280219B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201510215810.3

申请日：2015-04-30

申请人： 英特尔公司

发明人： S.古里亚尼 ,  K.潘加尔 ,  B.斯里尼瓦桑 ,  C.胡

IPC分类号： G11C11/4063

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C7/00 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/419 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/003

摘要： 多阶读取可根据正读取的存储器单元的阈值电压的函数动态改变字线电容。多阶读取可减少电流尖脉冲,并减少读取期间存储器单元的变热。存储器装置包含全局字线驱动器以将选择的存储器单元的字线连接到读出电路并将局部字线驱动器局部连接到存储器单元。在字线被充电到读取电压之后,控制逻辑可有选择地启用和禁用部分或全部全局字线驱动器和局部字线驱动器,以及向位线施加不同的离散电压电平以执行多阶读取。

公开(公告)号：CN107958678A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710889425.6

申请日：2017-09-27

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 迈克尔·A·塞德 ,  乔恩·斯科特·乔伊 ,  迈克尔·加勒特·尼夫斯

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/08

CPC分类号： G11C11/1673 ,  G11C7/06 ,  G11C7/062 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0057 ,  G11C7/08

摘要： 在一个实施例中，感测放大器电路包括两个电流路径。每个路径包括在存储器读取操作期间被配置为电流源的晶体管和第二晶体管。在存储器读取操作的第一阶段中，第一电流路径耦接到一个单元，并且第二电流路径耦接到第二单元。感测放大器电路包括电容器，所述电容器在存储器读取操作的第一阶段中耦接在两个路径的两个对应的节点之间以存储两个节点之间的电压差。在第二阶段中，单元/电流路径耦接交换并且电容器耦接到第二晶体管中的一个晶体管的控制端以控制晶体管的导电性，用于调整输出节点的电压以指示待所读取数据的值。

公开(公告)号：CN107430881A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580077285.1

申请日：2015-09-10

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 长田佳晃 ,  初田幸辅

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C7/06 ,  G11C7/04

CPC分类号： G11C11/1673 ,  G11C7/04 ,  G11C7/065 ,  G11C7/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1697 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： 根据一个实施例，一种半导体存储装置包含存储器单元、连接到所述存储器单元的位线及连接到所述位线的感测电路，其中所述感测电路包含：第一晶体管，其具有连接到所述位线的第一端；第二晶体管，其具有连接到所述第一晶体管的第二端的第一端；第三晶体管，其具有连接到所述位线的第一端；第四晶体管，其具有连接到所述第三晶体管的第二端的第一端；及放大器，其连接到所述第二晶体管的第二端及所述第四晶体管的第二端。

公开(公告)号：CN107393586A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710015158.X

申请日：2017-01-10

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李宰渊 ,  徐弘周 ,  金世东

IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C7/10

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G06F12/084 ,  G06F2212/2024 ,  G06F2212/60 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  Y02D10/13 ,  G11C7/1006 ,  G11C2013/0045

摘要： 一种电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：全局线对，所述全局线对包括全局位线和全局源极线；多个单元矩阵，所述多个单元矩阵耦接在所述全局位线和所述全局源极线之间，每个单元矩阵包括多个局部线对和耦接到所述多个局部线对的多个储存单元，其中每个储存单元可操作以储存数据并耦接在对应的局部线对的局部线之间；以及多个隔离开关对，所述多个隔离开关对将所述多个单元矩阵耦接到所述全局线对的全局位线和全局源极线，每个单元矩阵一个隔离开关对。

公开(公告)号：CN104170074B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380015011.0

申请日：2013-03-25

申请人： 国立大学法人东北大学

发明人： 佐藤英夫 ,  深见俊辅 ,  山内路彦 ,  池田正二 ,  松仓文礼 ,  大野英男

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： 本发明提供在膜面内进行垂直磁化记录的记录层的热稳定性高的磁阻效应元件及使用了该磁阻效应元件的磁存储器。所述磁阻效应元件具备包含磁化方向不变的第一强磁性层(106)、磁化方向可变的第二强磁性层(109)、设置在第一强磁性层(106)和第二强磁性层(109)之间的第一非磁性层(110)、与第一强磁性层及第二强磁性层连接的电流供给端子(201、202)、设置在第二强磁性层(109)的与第一非磁性层(110)相反侧的面上的非磁耦合层(203)、设置在非磁耦合层(203)的与第二强磁性层(109)的相反侧的面上的磁化方向可变的第三强磁性层(204)、设置在第三强磁性层(204)的与所述非磁耦合层(203)相反侧面上的第二非磁性层(205)；所述第二强磁性层(109)与所述第三强磁性层(204)磁化方向相同，通过电流进行自旋注入磁化反转。

公开(公告)号：CN103201796B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180054198.6

申请日：2011-08-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·C·沃莱吉

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： 一种示例性实施例是一种控制磁自由层的磁方向的装置。该装置包括具有第一磁性写入层和第二磁性写入层的写入器。跨过第一和第二磁性写入层施加写入电压使得磁性写入层中的一个的磁各向异性从平行于磁性写入层的平面切换为与磁性写入层的平面正交。具有平行于磁性写入层的平面的磁各向异性的磁性写入层在磁自由层中诱导磁方向。

公开(公告)号：CN105304116A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510590023.7

申请日：2015-09-16

申请人： 宁波时代全芯科技有限公司 ,  英属维京群岛商时代全芯科技有限公司

发明人： 简汎宇 ,  张家璜 ,  黄圣财 ,  吴瑞仁

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C5/147 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0078

摘要： 一种记忆体驱动电路于此揭露。记忆体驱动电路包含可编程电流源、参考电压产生单元及电压比较单元。可编程电流源根据第一电流输出相应的第二电流输入记忆单元，在其电流输入端产生元件电压。参考电压产生单元产生晶体电压，电压比较单元比较元件电压与晶体电压的大小后，送出控制信号以控制可编程电流源，以改变第一电流与第二电流的大小，以此控制对记忆单元设置写入电流脉冲的型态。

公开(公告)号：CN102822897B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180014512.8

申请日：2011-03-22

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 哈里·M·拉奥 ,  金正丕 ,  西亚马克·海格西河

IPC分类号： G11C8/08 ,  G11C8/16 ,  G11C11/16 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C8/08 ,  G11C8/16 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79

摘要： 一种系统包含：处理器，其处理两个线程；存储器装置，其与所述处理器通信，所述存储器装置接收输入地址信号且包含多个存储器单元群组，每一存储器单元群组包括具有相同输入地址的两个非易失性存储器单元，每一存储器单元包括电阻性存储器元件且与对应的线程相关联。