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公开(公告)号：CN105580284B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201480052436.3
申请日：2014-09-24
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04B5/0031 , G09G3/2096 , G09G2370/16 , H01L27/22 , H01L43/08 , H04B5/0087 , H04W4/80
摘要： 本申请中描述的实施例是关于非接触式数据通信的。本申请中公开了非接触式数据通信的相关系统和方法。例如，公开了基于磁场的非接触式发射机(32)，包括基板(44)、布置在该基板上的一对偶极线圈(36A,36B)，和电耦合到该偶极线圈对的驱动电路(38)。为了向布置在第二基板(64)上的磁性隧道结(MTJ)接收机(34)发送数据，该驱动电路被配置为驱动该偶极线圈对以生成相对于MTJ接收机处于面内的磁场(HIX)。可以使用这一磁场将数据从基于磁场的非接触式发射机发送到MTJ接收机。
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公开(公告)号：CN105580284A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052436.3
申请日：2014-09-24
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04B5/0031 , G09G3/2096 , G09G2370/16 , H01L27/22 , H01L43/08 , H04B5/0087 , H04W4/80
摘要： 本申请中描述的实施例是关于非接触式数据通信的。本申请中公开了非接触式数据通信的相关系统和方法。例如，公开了基于磁场的非接触式发射机(32)，包括基板(44)、布置在该基板上的一对偶极线圈(36A,36B)，和电耦合到该偶极线圈对的驱动电路(38)。为了向布置在第二基板(64)上的磁性隧道结(MTJ)接收机(34)发送数据，该驱动电路被配置为驱动该偶极线圈对以生成相对于MTJ接收机处于面内的磁场(HIX)。可以使用这一磁场将数据从基于磁场的非接触式发射机发送到MTJ接收机。
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公开(公告)号：CN105900177A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201580003618.6
申请日：2015-01-05
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/065 , G11C7/08 , G11C7/222 , G11C11/1673 , G11C2013/0042 , G11C2013/0057 , G11C2207/002 , G11C7/062
摘要： 公开了采用控制电路来在状态读出期间解耦电阻式存储器读出输入以防止电流反注的读出放大器以及相关的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种读出放大器。所述读出放大器包括耦合到比特线的差分读出输入。所述读出放大器还包括耦合到参考线的差分参考输入。第一反相器将第一反相器输入反转为耦合到第二反相器的第二反相器输入的第一反相器输出，第一反相器输出被配置为提供比特单元的状态。第二反相器将第二反相器输入反转为耦合到所述第一反相器输入的第二反相器输出。控制电路在锁存模式下将差分参考输入耦合到第一反相器并且将差分读出输入耦合到第二反相器，并且在读出模式下将差分参考输入从第一反相器解耦并且将差分读出输入从第二反相器解耦，以在第一反相器输出上提供比特单元的读出状态。
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公开(公告)号：CN105900177B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580003618.6
申请日：2015-01-05
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/065 , G11C7/08 , G11C7/222 , G11C11/1673 , G11C2013/0042 , G11C2013/0057 , G11C2207/002
摘要： 公开了采用控制电路来在状态读出期间解耦电阻式存储器读出输入以防止电流反注的读出放大器以及相关的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种读出放大器。所述读出放大器包括耦合到比特线的差分读出输入。所述读出放大器还包括耦合到参考线的差分参考输入。第一反相器将第一反相器输入反转为耦合到第二反相器的第二反相器输入的第一反相器输出，第一反相器输出被配置为提供比特单元的状态。第二反相器将第二反相器输入反转为耦合到所述第一反相器输入的第二反相器输出。控制电路在锁存模式下将差分参考输入耦合到第一反相器并且将差分读出输入耦合到第二反相器，并且在读出模式下将差分参考输入从第一反相器解耦并且将差分读出输入从第二反相器解耦，以在第一反相器输出上提供比特单元的读出状态。
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