公开(公告)号：CN118062853A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410177421.5

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 加茂博道 ,  近藤雅史 ,  片山肇

IPC分类号： C01B33/193 ,  C01B33/18

摘要： 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒及其制造方法。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内部具有空间部，所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下，1GHz下的相对介电常数为1.3～5.0，并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001～0.05。

公开(公告)号：CN118317921A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280079036.6

申请日：2022-11-17

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 加茂博道 ,  片山肇

IPC分类号： C01B33/18 ,  C08L101/00 ,  C08K3/36

摘要： 本发明提供一种新的中空二氧化硅颗粒，其相对介电常数和介电损耗均足够小，并且在树脂中的分散性也优异。本发明的中空二氧化硅颗粒具备含有二氧化硅的壳层，且在壳层的内部具有空间部，其中，若将由通过使用了氩气的干式比重瓶进行的密度测定求出的颗粒的密度设为A(g/cm3)，将BET比表面积设为B(m2/g)，则密度与BET比表面积的积(A×B)为1～120m2/cm3。

公开(公告)号：CN118145659A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410266841.0

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 松原俊哉 ,  金贤枝 ,  片山肇 ,  荒井雄介

IPC分类号： C01B33/193

摘要： 本发明提供壳层致密化的新型的中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内侧具有空间部，前述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00g/cm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00g/cm3。

公开(公告)号：CN115210179B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202180017150.1

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 松原俊哉 ,  金贤枝 ,  片山肇 ,  荒井雄介

IPC分类号： C01B33/12 ,  C01B33/193

摘要： 本发明提供壳层致密化的新型的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内侧具有空间部，前述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00g/cm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00g/cm3。

公开(公告)号：CN115210179A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180017150.1

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 松原俊哉 ,  金贤枝 ,  片山肇 ,  荒井雄介

IPC分类号： C01B33/12 ,  C01B33/193

摘要： 本发明提供壳层致密化的新型的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内侧具有空间部，前述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00g/cm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00g/cm3。

公开(公告)号：CN117730054A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280052479.6

申请日：2022-07-20

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 加茂博道 ,  片山肇 ,  福本浩大

IPC分类号： C01B33/12

摘要： 本发明提供介电损耗角正切充分小、与树脂组合物的混合性优异的新的球状二氧化硅粉末。本发明的球状二氧化硅粉末的中值粒径d50为0.5～20μm，比表面积A(m2/g)与中值粒径d50(μm)的积A×d50为2.7～5.0μm·m2/g。

公开(公告)号：CN115190867B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202180017437.4

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 加茂博道 ,  近藤雅史 ,  片山肇

IPC分类号： C01B33/12 ,  C01B33/193

摘要： 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内部具有空间部，所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下，1GHz下的相对介电常数为1.3～5.0，并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001～0.05。

公开(公告)号：CN117615994A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280047950.2

申请日：2022-06-29

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 片山肇 ,  近藤雅史 ,  福本浩大 ,  高野裕里子 ,  有光慎之介 ,  村上武司 ,  东贤志 ,  山隅大辅

IPC分类号： C01B33/193 ,  A61K8/25 ,  A61Q17/04

摘要： 本发明提供对于可见光线和紫外线均具有高散射性且还具有顺滑触感的安全性高的颗粒。本发明的光散射性二氧化硅颗粒为具有光散射性的光散射性二氧化硅颗粒，在颗粒内部具有呈闭孔结构的多个中空部，前述光散射性二氧化硅颗粒的50％粒径为1～500μm，且平均圆形度为0.8以上，使用前述光散射性二氧化硅颗粒时的、单位测定截面积中的二氧化硅量为20mg/cm2的水滤饼在紫外线波长310nm处的反射率A为30％以上。

公开(公告)号：CN116419795A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202180076555.2

申请日：2021-11-10

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 室谷英介 ,  小口亮平 ,  山田拓 ,  中原胜正 ,  片山肇 ,  井上真树

IPC分类号： B01J20/22

摘要： 本发明提供：可以有效地回收酸性气体、可以增加酸性气体的回收量的固体的吸附材料。本发明的吸附材料含有无机多孔体和胺化合物，无机多孔体的基于氮气吸附法求出的孔径的峰值直径为20nm以上且100nm以下、且吸油量为230ml/100g以上或孔容为1.2cm3/g以上且3.5cm3/g以下。

公开(公告)号：CN115190867A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202180017437.4

申请日：2021-02-22

申请人： AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

发明人： 加茂博道 ,  近藤雅史 ,  片山肇

IPC分类号： C01B33/12 ,  C01B33/193

摘要： 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内部具有空间部，所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下，1GHz下的相对介电常数为1.3～5.0，并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001～0.05。