液晶材料的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104557360A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410683062.7

    申请日:2010-11-17

    Abstract: 本发明涉及液晶材料的制造方法。具体涉及通式(1)表示的化合物的制造方法,将通式(1)表示的化合物的电阻率值定义为,在以1:1的质量比含有式(A-1)和(A-2)表示的化合物且电阻率值为1.0×1013Ω·m以上的液晶组合物(M-1)80质量%中添加有20质量%的通式(1)表示的化合物而得到的液晶组合物的电阻率值时,通过(I)~(V)的任一种方法,使电阻率值显示为小于8.0×1011Ω·m的通式(1)表示的化合物析出,对于得到的结晶,从含有(VI)~(XI)的任一种溶剂的溶液中滤取晶态的通式(1)表示的化合物,将滤取的结晶中所含的重结晶所用的溶剂蒸馏除去,得到上述定义的电阻率值为8.0×1011Ω·m以上的晶态的通式(1)表示的化合物。

    液晶材料的制造方法

    公开(公告)号:CN104788275A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510106439.7

    申请日:2010-11-17

    Abstract: 本发明涉及液晶材料的制造方法。具体涉及通式(1)表示的化合物的制造方法,将通式(1)表示的化合物的电阻率值定义为,在以1:1的质量比含有式(A-1)和(A-2)表示的化合物且电阻率值为1.0×1013Ω·m以上的液晶组合物(M-1)80质量%中添加有20质量%的通式(1)表示的化合物而得到的液晶组合物的电阻率值时,通过(I)~(V)的任一种方法,使电阻率值显示为小于8.0×1011Ω·m的通式(1)表示的化合物析出,对于得到的结晶,从含有(VI)~(XI)的任一种溶剂的溶液中滤取晶态的通式(1)表示的化合物,将滤取的结晶中所含的重结晶所用的溶剂蒸馏除去,得到上述定义的电阻率值为8.0×1011Ω·m以上的晶态的通式(1)表示的化合物。

    液晶材料的制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104557360B

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201410683062.7

    申请日:2010-11-17

    Abstract: 本发明涉及液晶材料的制造方法。具体涉及通式(1)表示的化合物的制造方法,将通式(1)表示的化合物的电阻率值定义为,在以1:1的质量比含有式(A‑1)和(A‑2)表示的化合物且电阻率值为1.0×1013Ω·m以上的液晶组合物(M‑1)80质量%中添加有20质量%的通式(1)表示的化合物而得到的液晶组合物的电阻率值时,通过(I)~(V)的任一种方法,使电阻率值显示为小于8.0×1011Ω·m的通式(1)表示的化合物析出,对于得到的结晶,从含有(VI)~(XI)的任一种溶剂的溶液中滤取晶态的通式(1)表示的化合物,将滤取的结晶中所含的重结晶所用的溶剂蒸馏除去,得到上述定义的电阻率值为8.0×1011Ω·m以上的晶态的通式(1)表示的化合物。

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