公开(公告)号：CN103003664B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201180034055.9

申请日：2011-07-11

申请人： K-空间协会公司

发明人： 达里尔·巴利特 ,  查尔斯·A·泰勒二世 ,  巴里·D·维斯曼

IPC分类号： G01B11/30 ,  G01N21/958

CPC分类号： G01B11/0625 ,  G01B11/0616 ,  G01B11/303 ,  G01N21/47 ,  G01N21/8422

摘要： 本发明提供一种用于与沉积在大体透明基底（28）例如光伏电池上的薄膜半导体材料（26）的生产相关的方法和装置（20），用于检测薄膜（26）的特性，例如它的温度、表面粗糙度、厚度和/或光学吸收特性。由膜（26）发射的漫散射光（34，34’）得到的光谱曲线（44）揭示了特征光学吸收（Urbach）边。此外，吸收边可用于评价离散的材料样本（22）之间或同一材料样品（22）的不同位置之间的相对表面粗糙状况。通过比较两个或多个光谱曲线的吸收边特性，可以进行定性评价以确定膜（26）的表面粗糙度是优质还是劣质。

公开(公告)号：CN102484085B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201080036979.8

申请日：2010-06-21

申请人： K-空间协会公司

发明人： 达里尔·巴利特 ,  查尔斯·A·泰勒二世 ,  巴里·D·维斯曼

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01L22/12

摘要： 本发明提供了一种确定样品温度的方法，样品包括沉积在透明基底(22)上的半导体薄膜(20)，所述半导体薄膜具有可测量光学吸收边，所述透明基底材料没有可测量光学吸收边，例如沉积在Al2O3基底(22)上用作蓝白发光二极管的GaN薄膜(20)。随着薄膜(20)的生长和增厚，可以实时测量温度。基于每个厚度增量的薄膜(20)发出的漫散射光产生光谱。对每个光谱使用参考光谱相除以校准设备产品。根据光谱确定薄膜(20)的厚度和光学吸收边的波长值。利用光谱、厚度校准表、温度校准表，根据光学吸收边波长和薄膜(20)的厚度来确定薄膜(20)的温度。

公开(公告)号：CN102484085A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080036979.8

申请日：2010-06-21

申请人： K-空间协会公司

发明人： 达里尔·巴利特 ,  查尔斯·A·泰勒二世 ,  巴里·D·维斯曼

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01L22/12

摘要： 本发明提供了一种确定样品温度的方法，样品包括沉积在透明基底(22)上的半导体薄膜(20)，所述半导体薄膜具有可测量光学吸收边，所述透明基底材料没有可测量光学吸收边，例如沉积在Al2O3基底(22)上用作蓝白发光二极管的GaN薄膜(20)。随着薄膜(20)的生长和增厚，可以实时测量温度。基于每个厚度增量的薄膜(20)发出的漫散射光产生光谱。对每个光谱使用参考光谱相除以校准设备产品。根据光谱确定薄膜(20)的厚度和光学吸收边的波长值。利用光谱、厚度校准表、温度校准表，根据光学吸收边波长和薄膜(20)的厚度来确定薄膜(20)的温度。

公开(公告)号：CN103003664A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180034055.9

申请日：2011-07-11

申请人： K-空间协会公司

发明人： 达里尔·巴利特 ,  查尔斯·A·泰勒二世 ,  巴里·D·维斯曼

IPC分类号： G01B11/30 ,  G01N21/958

CPC分类号： G01B11/0625 ,  G01B11/0616 ,  G01B11/303 ,  G01N21/47 ,  G01N21/8422

摘要： 本发明提供一种用于与沉积在大体透明基底（28）例如光伏电池上的薄膜半导体材料（26）的生产相关的方法和装置（20），用于检测薄膜（26）的特性，例如它的温度、表面粗糙度、厚度和/或光学吸收特性。由膜（26）发射的漫散射光（34，34’）得到的光谱曲线（44）揭示了特征光学吸收（Urbach）边。此外，吸收边可用于评价离散的材料样本（22）之间或同一材料样品（22）的不同位置之间的相对表面粗糙状况。通过比较两个或多个光谱曲线的吸收边特性，可以进行定性评价以确定膜（26）的表面粗糙度是优质还是劣质。