公开(公告)号：CN102386265A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110082362.6

申请日：2011-04-01

申请人： LG电子株式会社

发明人： 李贤镐 ,  安俊勇 ,  金钟大 ,  郑智元

IPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/048 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 讨论了一种太阳能电池组件。该太阳能电池组件包含多个各自包含基板和位于所述基板上的抗反射层的太阳能电池、围绕所述多个太阳能电池的保护构件和位于所述保护构件上的透明构件。所述保护构件由硅树脂形成。所述抗反射层包含位于所述基板上的第一抗反射层和位于所述第一抗反射层上的第二抗反射层。所述第一抗反射层和第二抗反射层由不同的材料形成。

公开(公告)号：CN102163636A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010625042.6

申请日：2010-12-15

申请人： LG电子株式会社

发明人： 朴铉定 ,  郑智元

IPC分类号： H01L31/055 ,  H01L31/048

CPC分类号： H01L31/055 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/542

摘要： 本发明涉及使用半导体纳米晶体的太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括其中散布有纳米晶体的层，所述纳米晶体的材料具有对入射光能量的向下转换功能，该太阳能电池模块包括：多个包括至少一个光电转化层的太阳能电池；设置在所述多个太阳能电池的上表面上的至少一个透明部件；以及用于密封所述多个太阳能电池的填允层，其中，从所述至少一个透明部件和所述填充层中选择的至少一层包含所述半导体纳米晶体。

公开(公告)号：CN102386265B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201110082362.6

申请日：2011-04-01

申请人： LG电子株式会社

发明人： 李贤镐 ,  安俊勇 ,  金钟大 ,  郑智元

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/048 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 讨论了一种太阳能电池组件。该太阳能电池组件包含多个各自包含基板和位于所述基板上的抗反射层的太阳能电池、围绕所述多个太阳能电池的保护构件和位于所述保护构件上的透明构件。所述保护构件由硅树脂形成。所述抗反射层包含位于所述基板上的第一抗反射层和位于所述第一抗反射层上的第二抗反射层。所述第一抗反射层和第二抗反射层由不同的材料形成。

公开(公告)号：CN104882505A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510302973.5

申请日：2010-12-15

申请人： LG电子株式会社

发明人： 朴铉定 ,  郑智元

IPC分类号： H01L31/055

摘要： 使用半导体纳米晶体的太阳能电池模块。本发明涉及使用半导体纳米晶体的太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括其中散布有纳米晶体的层，所述纳米晶体的材料具有对入射光能量的向下转换功能。该太阳能电池模块包括：多个包括至少一个光电转化层的太阳能电池；设置在所述多个太阳能电池的上表面上的至少一个透明部件；以及用于密封所述多个太阳能电池的填充层，其中，从所述至少一个透明部件和所述填充层中选择的至少一层包含所述半导体纳米晶体。

公开(公告)号：CN102113131B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200980129536.0

申请日：2009-06-19

申请人： LG电子株式会社

发明人： 郑柱和 ,  安俊勇 ,  郑智元 ,  朴铉定 ,  李圣恩

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。

公开(公告)号：CN102113131A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129536.0

申请日：2009-06-19

申请人： LG电子株式会社

发明人： 郑柱和 ,  安俊勇 ,  郑智元 ,  朴铉定 ,  李圣恩

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。

公开(公告)号：CN101884116A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200980101219.8

申请日：2009-04-17

申请人： LG电子株式会社

发明人： 李大龙 ,  郑智元 ,  李贤镐

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 提供一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括半导体单元、电极、以及位于所述半导体单元和所述电极之间的钝化层。所述钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层、含有氮化硅(SiNx)的第二层、以及含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三层。