公开(公告)号：CN105474364B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480042330.5

申请日：2014-07-24

申请人： 新南创新私人有限公司

发明人： 布雷特·杰森·哈拉姆 ,  马修·布鲁斯·爱德华兹 ,  斯图尔特·罗斯·文哈姆 ,  菲利普·乔治·哈默 ,  凯瑟琳·艾米丽·尚 ,  张子文 ,  吕珮玄 ,  林·迈 ,  宋立辉 ,  阿德莱恩·苏吉安托 ,  艾利森·马里·文哈姆 ,  徐光琦

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/24 ,  H01L21/30 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种具有多个晶体硅区域的硅器件。一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内，由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂‑氢键，而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化，由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子。

公开(公告)号：CN108315819A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810084907.9

申请日：2018-01-29

申请人： 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司

发明人： 李华 ,  靳玉鹏

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B28/06 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  C30B29/06 ,  C30B28/06 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种多晶掺镓硅片及其制备方法和太阳电池，此多晶硅片中含有镓元素；其中镓元素的浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米；使用此多晶硅片制备成电池具有较好的效率，以及相对较低的光衰比例。

公开(公告)号：CN107849731A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043772.0

申请日：2016-07-06

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 鸟越和尚 ,  小野敏昭

IPC分类号： C30B29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L31/0288 ,  C30B15/203 ,  C30B15/305 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  C30B33/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3225 ,  H01L27/14687

摘要： 本发明提供一种外延硅晶片，其即使在通过器件工序中的任意的热处理而使氧析出物生长的情况下，也能够抑制硅基板中的硼的加速扩散。解决手段在于：外延硅晶片(10)具备掺杂有硼的硅基板(11)与形成于硅基板(11)的表面的外延层(13)，硅基板中的硼浓度为2.7×1017个原子/cm3以上且1.3×1019个原子/cm3以下，硅基板中的初始氧浓度为11×1017个原子/cm3以下。该外延硅晶片(10)在实施了依次进行例如在700℃下的3小时的热处理与在1000℃下的16小时的热处理的氧析出物评价热处理的情况下，硅基板(11)中的氧析出物密度为1×1010个/cm3以下。

公开(公告)号：CN107793570A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201610787302.7

申请日：2016-08-31

申请人： 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司

发明人： 徐芳荣 ,  李平 ,  池田武史 ,  金光男 ,  宋韡

IPC分类号： C08G77/16 ,  H01L31/0288

CPC分类号： C08G77/16 ,  H01L31/0288

摘要： 一种聚硅氧烷，其特征在于含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，式1中，Q为含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基；T为羟基、烷基、含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基。使用本发明聚硅氧烷制备的掺杂浆料以及掩膜材料在具有优良扩散性的基础上，同时还具有优良的阻隔性和极小的气中扩散。

公开(公告)号：CN107302037A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710436742.2

申请日：2017-06-12

申请人： 北京工业大学

发明人： 谢红云 ,  吴佳辉 ,  刘芮 ,  孙丹 ,  马佩 ,  高杰 ,  张万荣

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0288

CPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0288

摘要： 基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾可见光和近红外光波段的探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si次集电区、Si集电区、Ge组份分段分布的SiGe基区/吸收层和多晶Si发射区；多晶Si发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。光窗口设计在基区台面，避免了光窗口在发射区台面时对入射光的损耗。因为不同Ge组份的SiGe材料对可见光波段和近红外光波段入射光的吸收系数和吸收长度不同，采用了Ge组份分段分布的基区/吸收层可以分别对应吸收波长短的可见光和波长长的近红外光，均衡可见光和近红外光波段内的吸收效率。

公开(公告)号：CN106206775A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610546763.5

申请日：2016-07-08

申请人： 林业城

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0288 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/02363 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/042 ,  H01L31/1804

摘要： 本申请涉及包括基于吸附剂的气体储存和输送系统的气柜装置，包括气柜装置本体，所述气柜装置本体内部设置有多个气瓶，每个所述气瓶通过配气管相连接，所述气柜装置本体的内部设置有第一传感器和第二传感器，所述第一传感器和所述第二传感器通过电线连接，由位于电线中部位置的蓄电器供给所述第一传感器和第二传感器所需用电，所述蓄电器内部设置有黑硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN105762206A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610221223.X

申请日：2016-04-11

申请人： 西安隆基硅材料股份有限公司

发明人： 邓浩 ,  付楠楠 ,  王向东

IPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC分类号： C30B29/06 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182

摘要： 本发明的晶体硅材料包括硅、镓及元素X，所述元素X的浓度为1010～1016原子/立方厘米。利用如上所述的晶体硅制造的太阳能电池，转换效率大于20％。本发明还提供如上所述的晶体硅的制备方法。本发明的晶体硅材料利用镓元素替代现有的P型晶体硅中的硼元素，可以避免硼氧复合体的生成，从而降低光致衰减作用。并且，掺杂的元素X通过下转换作用，能够有效的提高硅材料对紫外波段光的利用率，利用该晶体制得的太阳能电池显著提高了转换效率。

公开(公告)号：CN105609571A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610104676.4

申请日：2016-02-25

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 刘超 ,  刘成法 ,  张松 ,  张为国 ,  王佩然 ,  陈寒

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明涉及一种IBC太阳电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼掺杂源层，将其放入热氧化炉中进行反应，在第二表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在第一表面上形成氧化硅层；采用激光去除第二表面的特定区域的硼硅玻璃和p+发射极；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n++表面场区域，在第一表面上依次形成n+表面场层和磷硅玻璃层；采用激光隔开第二表面上的p+发射极和n++表面场区域；去除硼硅玻璃和磷硅玻璃；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述IBC太阳电池及其制作方法，简化工艺流程和步骤。

公开(公告)号：CN105576074A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410525546.9

申请日：2014-10-08

申请人： 上海神舟新能源发展有限公司

发明人： 郑飞 ,  张忠卫 ,  石磊 ,  阮忠立 ,  赵晨 ,  赵钰雪

IPC分类号： H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC分类号： H01L31/0684 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种N型双面电池的湿法刻蚀方法，(1)N型硅片经表面织构化，硼扩散制备PN结后，经过混酸刻蚀边缘及背面，然后进行第一次纯水洗、碱洗、第二次纯水洗、混酸洗，第三次纯水洗，风干；(2)在硅片正面覆盖水膜，然后经过混酸处理，再经过第四次纯水洗、碱洗、第五次纯水洗、混酸洗、第六次纯水洗、风干后，完成对N型双面电池的刻蚀。与现有技术相比，本发明可以完全解决N型双面电池边缘PN结去除不彻底的问题，且可以明显改善背面抛光钝化的效果，进而提升N型双面电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN105552170A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610065201.9

申请日：2016-01-29

申请人： 佛山市聚成生化技术研发有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0288

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明涉及一种太阳能电池的制备方法及由该方法制备的太阳能电池，该方法包括按照质量比为1：(0.5-10)，将掺硼硅片放入质量分数为1-5％的卤化稀土的溶液中，在密闭的反应釜中150-300摄氏度下进行浸渍反应12-120小时，得到掺硼和稀土的硅片；将所述掺硼和稀土的硅片在650-850℃摄氏度下进行磷扩散1-12小时，得到掺稀土的PN结硅片；将所述掺稀土的PN结硅片与银电极的正电极、银电极的负电极构成背接触太阳能电池。本发明太阳能电池的光电转化效率为14-24％。