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公开(公告)号：CN1221806A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN97122035.2
申请日：1995-09-11
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 一种复合激光化学气相沉积金刚石膜的方法,最低沉积温度为250℃,其特征在于选用波长在308nm的XeCl准分子激光作激光源,同时复合辐照红外激光,波长范围在1.06μm～10.6μm,过程如下:将欲沉积衬底放在高导热率材料的工作台上,用XeCl准分子激光和红外激光辐照衬底欲沉积金刚石膜区,并在预抽真空的反应室中通入能吸收该激光波长的碳氢化合物反应气(含汽化液体或固体)和氢气,碳氢化合物反应气与氢气的流量比为(1～3)∶100,在适当工艺条件下,在衬底表面沉积出金刚石膜,工艺条件是:XeCl激光单脉冲能量20～500j/pules;XeCl激光脉宽15～40ms;脉冲频率5～40Hz。本发明所制膜层纯度高,沉积温度低,易于实现,安全可靠。
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公开(公告)号：CN1221652A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN97126198.9
申请日：1997-12-31
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
CPC分类号： Y02P20/52
摘要： 一种从偏三甲苯－甲醇制取均四甲苯催化剂,其特征在于:该催化剂以HZSM－5分子筛为活性组分。制备过程如下:将ZSM－5沸石原粉用硝酸铵交换法脱去Na+,加5～40wt%Al2O3混合均匀后成型,再经400～700℃,焙烧2～8小时。本发明用于偏甲苯－甲醇烷基化反应,具有较高的转化率,选择性和收率。
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公开(公告)号：CN1221048A
公开(公告)日：1999-06-30
申请号：CN97119825.X
申请日：1997-12-25
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 一种制备单壁纳米碳管的方法,采用碳源与催化剂在气态下充分混合匀速输入反应区的方法生成单壁纳米碳管;其中碳源为低熔点的水分子碳氢化合物,碳原子数小于10;稀释气体为氢气、氩气、氮气,碳源与稀释气体的摩尔比在0.5～5范围内;催化剂为铁、铂、镍的金属有机化合物,催化剂与碳源的摩尔比1/20～1/10;当催化剂为铁、钴类时,导入碳源的温度为400～500℃,到最终反应温度1050～1250℃,所用升温速率为20～30℃/min,保温0.5～2小时;当催化剂为镍时,导入碳源的温度为250～350℃,到最终反应温度600～800℃,所用升温速率为20～30℃/min,保温0.5～2小时。本发明可以大量生成高纯度高质量的单壁纳米碳管。
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公开(公告)号：CN1220364A
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：CN97122038.7
申请日：1997-12-15
IPC分类号： F16N3/04
摘要： 一种气动式自吸高效注油枪由气动注油装置和贮油装置两部分组成,贮油装置为一密封油筒,气动注油装置中在油缸腔体内壁上开有一槽沟,于槽黄设置有密封圈,密封槽设在油缸外侧腔体上。该气动式注油枪注油塞和密封油筒密闭性好,长期使用无漏油现象,油筒中的黄油几乎可以全部使用,与普通的黄油注油枪相比,黄油使用率可提高30%,特别是采用一次性的密封油筒时,操作更为方便,注油效率也可大大提高。
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公开(公告)号：CN1220251A
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：CN97122036.0
申请日：1997-12-15
申请人： 中国科学院沈阳应用生态研究所
CPC分类号： C05C9/005
摘要： 本发明涉及化学肥料及其制造工艺,具体地说是一种长效尿素及生产工艺。它是在尿素表面喷涂占其含量(重量)0.2～1.5%的二氰二胺。采用的生产工艺为:溶液喷涂法,是用喷射器在造粒塔中部通风口处,均匀将二氰二胺水溶液喷涂在自上而下降落的尿素颗粒表面上,制成涂层长效尿素产品。本发明可有效地提高氮素利用率,使农作物增产、节肥、省工。其生产工艺简单,可在现有尿素生产工艺基础上,只很少量改造和投资即可生产。
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公开(公告)号：CN1218908A
公开(公告)日：1999-06-09
申请号：CN97119498.X
申请日：1997-12-05
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
IPC分类号： G01N33/48
摘要： 一种用于基因诊断的毛细管电泳无胶筛分体系,其特征在于:该体系以TBE为背景电解质,以混合的羟丙基甲基纤维素为筛分介质,以尿素为变性剂,以甘露醇为添加剂;TBE的浓度范围是80－250mMTris,80－250mMBorate,2mMEDTA;尿素的浓度范围是3.5M－7M;甘露醇的浓度范围是4%－8%;混合的羟丙基甲基纤维素为1.2%－2.4%。本发明应用安全方便,且大大提高分离效率。
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公开(公告)号：CN1218321A
公开(公告)日：1999-06-02
申请号：CN98113893.4
申请日：1998-04-08
申请人： 孙树文
发明人： 孙树文
CPC分类号： Y02E40/30
摘要： 本发明公开了一种高低压电网功率因数自动补偿控制装置,在高压电网补偿中,运用高压取样、高压调磁选样电路;高压取样、低压调磁选样电路,在低压电网补偿中,运用低压取样、低压调磁选样;低压自耦调磁选样电路,适用高压CT二次自耦或高压CT至CT2绕组自耦,具有筛选稳定感性电流信号的功能,送至JR构成的控制器,自动控制投切电容器补偿提高功率因数,适用于高低压电网,大、中、小型变电所、配电室自动补偿无功负荷损失。
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公开(公告)号：CN1215043A
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：CN97119071.2
申请日：1997-10-22
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
摘要： 一种顺式二溴菊酸的制备方法是以3,3－二甲基－2－(1′－羟基－2′,2′,2′－三溴乙基)－环丙烷－1－羧酸内酯在Zn/醋酸体系下发生消除反应来制取,消除反应是在有机溶剂中加入Zn/醋酸,于20～30℃下进行,Zn反应物的摩尔比为1～5∶1,反应所用的有机溶剂可采用四氢呋喃、二氧六环或乙二醇二甲醚,溶剂使用重量为反应物的2～10倍。该方法突出的优点是Zn粉消耗少,反应安全,污染小,有利于工业应用。
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公开(公告)号：CN1215039A
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：CN97119078.X
申请日：1997-10-22
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C04B35/52 , C04B35/565
摘要： 一种自愈合抗氧化陶瓷/碳素复合材料,由50～80%的焦粉、20～50%的SiC和B4C粉压力成型烧结复合而成,其中B4C:SiC在0.2～0.8之间,其特征在于:SiC粉用纳米SiC和/或Si3N4粉替代,替代量占SiC加入量的30～100%。或者将SiC和B4C粉用机械合金化的Si/C/B复合粉替代,替代量占SiC和B4C粉总量的15～25%。本发明具有优良的高温抗氧化性能,且成本较低。
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