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公开(公告)号：CN107500277B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710890641.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述技术方案，本发明提供一种石墨烯边界调控方法，通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例，以实现石墨烯的边界可控；本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上，通过改变生长条件使其继续生长，改变原有的石墨烯的边界形状；还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯，通过对应取向台阶优化生长条件，得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。
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公开(公告)号：CN110118948A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910481742.3
申请日：2019-06-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种基于超导量子干涉仪的总场测量方法及装置，所述方法包括：对高灵敏度三轴SQUID磁强计进行非正交度、灵敏度和零点偏移的标定；通过高灵敏度三轴SQUID磁强计对待测环境中的磁场分量进行测量，并在磁场分量值大于预设阈值时对相应高灵敏度SQUID进行复位后再重新锁定工作点；同时利用相应低灵敏度SQUID收集高灵敏度SQUID在死区时间内发生的磁通变化以获取磁通量子跳跃数，并以此对死区时间内高灵敏度SQUID测得的磁场分量值进行补偿，以获取准确磁场分量值；基于准确磁场分量值进行总场合成，以获取待测环境中的总场。通过本发明解决了现有技术中使用三轴矢量磁通门进行总场测量时探测精度较低的问题。
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公开(公告)号：CN106756871B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611019332.X
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法。方法包括：步骤A：分别提供衬底、源物质Ⅰ、源物质Ⅱ、以及碳源，将衬底升温，在保护气氛下使碳源溶解到衬底的表面，源物质Ⅰ与源物质Ⅱ分别受热挥发，进一步在溶解有碳的衬底的表面沉积并反应生成一种过渡金属硫族化合物二维材料；步骤B：控制衬底以一定的降温速率进行降温，在过渡金属硫族化合物二维材料与衬底的界面处析出石墨烯，从而获得一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构。本方法生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为后期制备过渡金属硫族化合物二维材—石墨烯相关的微电子器件奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN109205599A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811042914.9
申请日：2018-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
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公开(公告)号：CN106154187B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610457760.4
申请日：2016-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R33/022
Abstract: 本发明提供一种三阶梯度线圈及探测器，包括：平行设置的第一平面二阶梯度线圈及第二平面二阶梯度线圈，所述第一平面二阶梯度线圈与所述第二平面二阶梯度线圈串联后与SQUID磁传感器连接，且所述第一平面二阶梯度线圈与所述第二平面二阶梯度线圈产生的感应电流方向相反。基于上述三阶梯度线圈以及SQUID磁传感器构成的三阶梯度探测器。本发明采用上下两层面二阶梯度线圈，同时检测环境磁场的平面二阶梯度信号，以平面为主、轴向为辅，构成三阶差分；通过增加共模抑制线圈进一步提高共模抑制；通过填充高磁导率材料进一步增强被测信号的强度；进而大大减少环境磁场的干扰，实现高信噪比的胎儿心磁信号检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104569883B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201310470963.3
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器件的特性扫描装置及方法。本发明中包括：基于互感原理输出变化电压信号并向超导量子干涉器件提供高频交流扫描磁场环境的扫描磁通加载单元；与所述超导量子干涉器件的供电端相连、且提供变化的偏置电流的偏置电压发生单元；与所述超导量子干涉器件的输出端相连的放大滤波单元；与所述偏置电压发生单元和所述放大滤波单元相连的特性曲线生成单元，用于将所述偏置电压发生单元所提供的变化的偏置电流与所述放大滤波单元所输出的感应信号幅度描绘成磁通电压转换强度与偏置电流关系的特性曲线。本发明能够直接利用该特性曲线来确定所述超导量子干涉器件的磁通转换的情况，并判断超导量子干涉器件的性能好坏，依此筛选出合格的所述超导量子干涉器件。
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公开(公告)号：CN106814403B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710031598.4
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/38
Abstract: 本发明提供一种补偿瞬变电磁信号负值的方法，其中，所述补偿瞬变电磁信号负值的方法至少包括如下步骤：根据瞬变电磁信号的测量数据曲线，选取负值段作为拟合段；对所述拟合段进行e指数拟合，以得到拟合数据；将所述测量数据与所述拟合数据作差，以补偿所述瞬变电磁信号负值。本发明的补偿瞬变电磁信号负值的方法，具有以下有益效果：采用本发明的方法，能够有效处理瞬变电磁信号的负值，从而得到较长时间的有效数据，有效提高地质探测深度。经过补偿后的瞬变电磁信号，就可以通过传统成熟的TEM数据处理解释方法对其进行解释，提高了电阻率解释的准确性。
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公开(公告)号：CN108577825A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810026117.5
申请日：2018-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/04
Abstract: 本发明提供一种心肌缺血病变位置定位方法及系统、存储介质及终端，包括以下步骤：对多通道心磁图仪采集的心磁图数据集进行预处理，获取均值后的T波波段心磁图数据集；基于所述T波波段心磁图数据集和所述多通道心磁图仪的各个通道所获取的磁场强度和通道位置，获取T波波段的等磁图和电流密度图；基于所述等磁图和所述电流密度图提取与心肌缺血病变位置相关的特征参数；根据所述特征参数判断心肌缺血的病变位置。本发明的心肌缺血病变位置定位方法及系统、存储介质及终端通过分析心磁图的信号特征，发掘特征参数的分布规律，根据对心肌缺血位置敏感的特征参数来辅助实现心肌缺血病变位置的定位。
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公开(公告)号：CN105785286B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610231298.6
申请日：2016-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/025 , G01R33/035 , A61B5/04
Abstract: 本发明提供一种胎儿心磁检测探头、系统及方法，包括：第一三轴磁强计、第二三轴磁强计、核心梯度计，第一三轴磁强计对核心梯度计所处的环境磁场进行检测，并驱动磁补偿线圈对环境磁场进行抑制；第二三轴磁强计对抑制后的环境磁场进行检测；核心梯度计在抑制后的环境磁场中对被测磁场进行检测，将第二三轴磁强计和核心梯度计输出信号进行合成，抵消核心梯度计输出信号中的环境磁场信号，得到被测信号。本发明可以在无屏蔽环境下实现高信噪比的微弱信号探测，不使用屏蔽室大大降低了系统成本，提高了系统的灵活性，突破了传统超导量子干涉器磁探测器的应用壁垒，进一步推动超导量子干涉器系统的应用，具有重要的经济价值。
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公开(公告)号：CN106025061B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610552773.X
申请日：2016-07-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供种新型量子霍尔器件及其制备方法,包括:1)提供衬底,在所述衬底表面形成第超导薄膜层;2)在所述第超导薄膜层表面覆盖第介电薄膜层;3)然后在所述第介电薄膜层表面形成具有预设图形的石墨烯层或半导体薄膜层;4)在所述步骤3)形成的结构表面自下而上依次形成第二介电薄膜层和第二超导薄膜层;5)在所述衬底表面形成金属电极,所述金属电极与石墨烯层或半导体薄膜层接触。本发明基于二维材料和微电子加工工艺,在该器件中采用两层超导薄膜,利用超导材料对磁场的屏蔽特性,控制作用于器件的磁场大小,当超导薄膜较薄时,屏蔽部分外加磁场,剩余的磁力线形成周期磁场作用于超导薄膜,使其工作在正常态向超导态转变的区间,形成量子器件,在实现量子器件高速低功耗的同时,降低器件制备的技术难度。
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