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公开(公告)号：CN103345933A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310213585.0
申请日：2013-05-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C8/06
摘要： 本发明公开了一种基于非字线分割的存储器多位翻转的显示方法，包括：选择粒子流速以及测试时间；FPGA板向存储器注入测试激励，存储器将反馈得到的数据通过串口回传到PC机；以及在PC机上通过LabView编程实现实时动态图形界面，显示存储器中所发生多位翻转的位置。利用本发明，能让测试人员实时、直观地了解多位翻转所发的位置，便于测试人员及时对实验进行调整，从而获得更有价值的实验数据。
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公开(公告)号：CN102065568B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200910237775.X
申请日：2009-11-17
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种基于数据描述符的MAC软硬件交互方法及其硬件实现装置。方法包括：软件部分将本次发送或待接收的帧数据信息及其控制信息按照规定格式组成发送或接收数据描述符，并发送给硬件部分完成对本次帧数据发送或接收的控制操作；在硬件架构设计中开放系统控制/状态寄存器堆与发送/接收状态寄存器堆以分别实现软、硬件之间的常规收发控制以及本次数据传输的控制及状态反馈；发送/接收描述符缓存控制器完成对描述符的解析并对协议控制单元的数据收发操作进行控制。利用本发明可实现MAC控制器中软件部分对硬件部分的实时控制及状态监控，避免了单一使用中断控制而造成的响应缓慢、操作复杂等弊端，具有灵活高效的特点。
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公开(公告)号：CN102075162B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200910238765.8
申请日：2009-11-24
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种基于共源极正反馈的双二阶单元，包括第一级电流积分器，用于接收输入电流信号给电容充电，提供输出电流信号，形成第一级电流积分器；第二级电流积分器，用于接收第一级电流积分器输出的电流信号给电容充电，提供输出电流信号，形成第二级电流积分器；反馈单元，用于与第一级电流积分器和第二级电流积分器一起综合复数极点；电流源，用于提供双二阶单元的支路电流。本发明提出的共源极正反馈的双二阶单元，用于级联设计方法实现高阶模拟滤波器，具有很高的带外线性度，同时有效降低了带内噪声，打破了带内的积分噪声和带外线性度是折中关系，进而提高了带外SFDR。
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公开(公告)号：CN102314538B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110279279.8
申请日：2011-09-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法，采用该方法的晶体管布局对应于双重互锁结构，该方法包括：在PMOS版图上放置4个PMOS管，且在中间两个PMOS管之间插入PMOS写入管和作为存储单元控制门的PMOS管；在NMOS版图上放置4个NMOS管，且两个中间NMOS管之间插入作为存储单元控制门的NMOS管；以及将上述所有PMOS管用一个保护环保护起来，并将上述所有NMOS管也用一个保护环保护起来。针对DICE结构的存储单元，本发明对SRAM单比特存储单元具有较好的容错能力，且具有一定抗多比特翻转的能力。
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公开(公告)号：CN101621493B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910304753.0
申请日：2009-07-23
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H04L27/26
摘要： 本发明提供了一种OFDM的频率偏移估计的判决方法，属于通信技术领域。所述方法包括：根据系统频率偏移参数的范围变化设置短自相关器的相关长度和长自相关器的相关长度；根据短自相关器的相关长度和长自相关器的相关长度，运算求得短自相关器的峰值和所述长自相关器的峰值；根据短自相关器的峰值估算大范围频率偏移估计初值，根据长自相关器的峰值估算小范围频率偏移估计初值；根据系统频率偏移参数的范围变化，确定频率偏移取值判决器的架构类型和频率偏移分段范围；根据频率偏移取值判决器的架构类型、频率偏移分段范围、大范围频率偏移估计初值和小范围频率偏移估计初值确定频率偏移的结果。本发明降低了该频率同步算法的运算复杂度。
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公开(公告)号：CN102385936A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110274888.4
申请日：2011-09-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C29/52
摘要： 本发明公开了一种基于汉明码对静态随机存储器多位翻转进行容错的方法，该方法包括：在静态随机存储器上采用汉明码进行编解码；采用两块完全相同的带汉明码编解码的静态随机存储器实现并行输入输出；以及在该两块静态随机存储器的输出端连接一个双模输出选择电路。本发明对于高能粒子造成的SRAM多比特位翻转具有一定的容忍性，且由于无需刷新或更新，大大提高了系统的速度。
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公开(公告)号：CN101447778B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810227127.1
申请日：2008-11-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，包括：一差分输入级，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入信号；一内部源极跟随器，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入级的输出信号；一电流源，提供双二阶单元支路电流；一级间差分电容，包括两个电容，确定双二阶单元的极点特性；一反相前馈电容元件，包括两个电容，抵消非理想因素，提高零点Q值；一同相前馈电容元件，包括两个电容，确定双二阶单元的复数共轭零点特性。本发明解决了零点Q值降低的问题，提出一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，可以采用级联设计方法实现零极点型高阶滤波器。
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公开(公告)号：CN101425785B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810224721.5
申请日：2008-12-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 本发明涉及一种翻转网络跨导-电容补偿电路，包括：一主信号跨导，包括N+1个主信号跨导单元，所述N+1个主信号跨导单元级联，形成主信号路径；一前馈补偿跨导，包括N个前馈补偿跨导单元，用来形成左半平面零点，改善相位裕度；一补偿电容，包括N个电容，由于米勒效应分离主极点和非主极点，用来提高跨导放大器稳定性；一负载电容，包括一个电容，与负载电阻一起形成跨导放大器极点。本发明提供的RNGCC电路有效改善相位裕度、结构简单，适合于未来CM0S工艺所必须的低电源电压，有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102279618A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010194451.5
申请日：2010-06-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G05F3/30
摘要： 本发明公开了一种低成本曲率校正带隙基准电流电压源电路，属于带隙基准源技术领域。该电路是在现有带隙基准结构的基础上，通过一个校正电阻，在一路电流支路中产生与温度有关的非线性项，与另一路电流支路中的非线性项抵消，校正了原输出基准电流的温度特性，进而通过电阻产生温度系数较低的基准电压。本发明提供的带隙基准电流电压源电路以极低的成本开销得到了较好的电流、电压基准温度特性。
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公开(公告)号：CN101609345B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910304212.8
申请日：2009-07-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种线性电压调节器，属于电子技术领域。该线性电压调节器包括：误差放大器，其由一级折叠共源共栅放大器构成，用于比较参考电压Vref和结点NETF的反馈电压，并产生第一输出电压；输出放大电路，其包括功率PMOS管和分压电阻，功率PMOS管在所述第一输出电压的作用下产生第二输出电压Vout，分压电阻产生所述反馈电压；频率补偿电路，其包括压控电流源和补偿电容，用于接收所述反馈电压和所述第二输出电压Vout并产生与所述输出放大电路的极点相匹配的零点。本发明降低了线性电压调节器的复杂度，减少了频率补偿需要的电容数目，并且补偿电容的数值小，使线性电压调节器适合全芯片集成。
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